Ge／Pd／n—GaAs低阻欧姆接触的SIMS分析

采用Ｇｅ／Ｐｄ／ＧａＡｓ结构和快速热退火在ｎ－ＧａＡｓ上形成了低阻欧姆接触，利用二次离子质谱技术揭示和讨论了低欧姆接触形成的机理。比较了采用Ｘ＾＋和ＧｓＸ＾＋信号检测的Ｇｅ，Ｐｄ，Ｇａ和Ａｓ的深度分布。结果表明采用ＣｓＸ＾＋可以提供更准确的结果和成分信息。     

全线相继速动距离保护新原理及其分析

在对现有构成全线相继速动原理分析基础上，提出了一种新的加速量以达到全线相继速动 的效果，此法简单可靠，无需考虑时间上的配合，真正起到了相继速动的作用，并带来了其 他某些优点，增加了自适应性。     

新型结构的1.3μmGexSi1—x／SiMQW波导探测器的优化设计

本首次提出了一种新型的环形ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ波导探测器结构，器件的主体由３μｍ宽的环形波导构成，器件的输入端是８μｍ宽的波导，这两部分通过劈形波导过渡连接，各部分经过优化设计，可以同时实现高的耦合效率和高内量子效率，对于器件的材料结构，电学和光学特性进行了仔细的分析与设计，结果表明，优化设计的器件其外量子效率可达２８％，比已经报道的直波导探测器的外量子效率提高２－３倍，而上升下降时间仍然保持     

硅化结形成技术

详细地讨论了和比较了三大类硅化硅形成方法特别是后两种方法的原理及优、缺点，并分析了硅化结形成方法的未来发展趋势。     

二次谐波产生的4.75μm激光

可重复生长的非线性红外晶体ＡｇＧａＳｅ２是Ⅰ－Ⅲ－Ⅵ２簇化合物之一。具有４２ｍ对称的负单轴特性。使用光栅选频要中调谐ＴＥＡ ＣＯ２激光器输出的９Ｐ支线泵浦ＡｇＧａＳｅ２晶体可产生波长４．７５μｍ左右的激光。晶体长度为６．７ｍｍ，在１０．６μｍ处按Ⅰ类相位匹配加工。     

炭质制品的硅化

1.前言炭质制品硅化已引起了人们的普遍重视,并且得到应用。因为由此而形成的SiC制品气孔率低、密度大,其性能远远优越于以SiC为原料经压型,烧结制成的SiC制品。另外在炭制品表面硅化的SiC防护层,对于弥补炭质制品的某些缺陷起了重要作用。     

二维条形码技术

本文讨论建立二维条形码的必要性及关键技术，介绍四种最近建议的堆栈式二维条形码：Ｃｏｄｅ ４９，１６Ｋ，Ｉｄｅｎｔｉｃｏｄｅ和Ｃｏｄｅ ＰＤＦ４１７。着重讨论垂直同步的实现和信息密度的做算。首次提出极坐标式二维条形码的概念，分析了它的方法，特点和技术性能。     

4，4＇－二苯醚二甲酸改性PET的热性能研究

采用示差扫描量热和热重分析的方法对合成的不同４，４＇－二苯醚二甲酸（ＯＢＢＡ）含量的共聚酯的热性能进行了研究。结果发现共聚酯的熔点和热结晶温度与ＰＥＴ相比有所降低；而冷结晶温度则升高。随着ＯＢＢＡ添加量的增加，在恒温热重分析中热失重速率常数减小；在升温热重分析中，热失重活化能则增加。所有的实验结果皆表明，芳族醚键的引入对提高共聚酯的热性能有重要作用。