微腔中nc-Si/SiN超晶格的光致发光

研究了一维光子晶体微腔结构对nc-Si/a-SiNz超晶格发射的调制.一维光子晶体微腔采用两种具有不同折射率的非化学组分非晶氮化硅的周期调制结构,腔中嵌入采用激光晶化方法制备的硅量子点阵列,从Raman谱和透射电子显微镜分析得到其尺寸约为3～4 nm.从光致发光谱上观察到明显的选模作用、明显变窄的发光峰以及约两个量级的发光强度的增强.微腔对硅量子点阵列发光的调制主要表现在两个方面:共振模式的增强和非共振模式的抑制.硅量子点中位于腔共振模式的辐射跃迁被增强,非共振模式的辐射跃迁被抑制,因此位于腔共振频率处的跃迁通道成为硅量子点中唯一的辐射跃迁通道,导致光致发光谱的窄化和强度的增强.因此,在提高硅材料发光效率方面,光子晶体微腔具有非常大的应用前景.     

超临界干燥多孔硅的光致发光

对两种不同条件下制备的多孔硅进行了红外透射光谱测量，并对超临界干燥和自然干燥条件下的光致发光光谱进行了对比测量。用高分辨率透射电镜对其结构进行了观察，研究表明多孔硅的发光机理与其制备条件有关。     

HFCVD法制备SiC材料及室温光致发光

利用热丝化学气相沉积法(HFCVD)以CH4和SiH4作为反应气体在Si衬底上制备了SiC薄膜。用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收谱(FTIR)等手段对样品进行了结构和组分分析，分析结果表明已经在Si衬底上制备了SiC薄膜。对所制备的SiC薄膜进行了光致发光测试，在室温下观察到了薄膜峰值位于417nm和436nm的较强的可见光发射，认为这两个相近的蓝光发射起源可能是光激发载流子从SiC晶粒核心激发．然后转移到SiC晶粒表面发光中心上的辐射复合。     

多层In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As量子点 的变温光致发光研究

测量了自组织多层In     

LMBE法生长ZnO薄膜的结构和光学性能

利用激光分子束外延方法(LMBE)在单晶Si(100)和玻璃基片上生长了ZnO薄膜.通过XRD谱、拉曼光谱和光致发光(PL)谱研究了ZnO薄膜的结构和光学性能.结果表明,ZnO薄膜具有六方纤锌矿结构,(002)衍射峰较强,c轴择优取向良好.在可见光范围,ZnO薄膜的平均透射率＞80%,而在紫外范围,平均透射率急剧降低.拟合得到ZnO薄膜的禁带宽度为3.31eV.随激发波长增加,PL谱峰位没有变化,但强度发生了变化.同时,随测量温度升高,紫外发光峰强度减弱,峰位红移,半高宽展宽.理论拟合得到ZnO薄膜的活化能为59meV,接近于ZnO体材料的激子束缚能(60meV),说明紫外发光是由自由激子辐射复合引起的.     

Ca3(VO4)2:Eu3+的燃烧合成及光致发光

以稀土氧化铕、偏钒酸铵、硝酸钙为原料,以尿素作燃烧剂,采用燃烧法合成了Ca3(VO4)2:Eu3+.利用XRD,SEM,荧光分光光度计对其结构、形貌和发光性能进行了表征,并探讨其实际应用的可能性.结果表明,燃烧法合成的稀土Eu3+掺杂ca3(VO4)2荧光粉颗粒规则、均一,发射主峰位于614.0 nm,是现有PDP商品(Y,Gd)BO3:Eu3+红色荧光粉的良好替代品.     

马来酸酐包覆SrAl2O4:Eu2+,Dy3+发光粉及光致发光性能

用X射线光电子能谱研究马来酸酐(maleic anhydride,MA)包覆SrAl2O4:Eu2 ,Dy3 (SAO:ED)发光粉各元素的电子结合能,提出了界面配位键合的包覆机制.探讨了包覆参数溶剂种类、反应温度、溶液pH值及反应时间对包覆后MA/SAO:ED复合发光粉光致发光性能的影响.结果表明:以氯仿为溶剂,反应温度为30℃,溶液pH=9.0,反应时间为6 h时,制备的MA/SAO:ED复合发光粉的光致发光性能最优,在363 nm得到最大激发,在512nm得到最大发射,发光强度最大.除了初始亮度略有降低以外.MA包覆层并不影响MA/SAO:ED发光粉的余辉特性.     

两种不同方法制备的硅纳米颗粒的特性研究

采用激光烧蚀法和电化学腐蚀法制备硅纳米颗粒,两种方法制备的硅纳米颗粒粒径与形貌都不同,而且紫外-可见吸收谱也有很大差别.分析紫外-可见吸收谱发现,硅纳米颗粒与单晶硅相比发生了能带展宽、吸收边蓝移现象,并且有直接能隙的特点;两种方法制备的硅纳米颗粒的光致发光都与硅颗粒的粒径分布和表面层成分密切相关,并且光致发光谱还随激发波长的变化而规律地改变.用量子限制和表面层成分结合模型分析解释了这些现象.     

InAs/GaAs量子点光致发光光谱多峰结构发光本质

研究了InAs/GaAs量子点光致发光光谱中出现的多峰结构.观察到随着激发功率的增加光谱中发光峰的数目逐渐增多并且部分发光峰的峰位随激发功率的增加向高能量方向移动.解释了各发光峰的来源并结合量子点能级结构的特点,计算了量子点中电子和空穴各子带间的能级间距.     

sol-gel法制备ZAO薄膜的结构与光学性能研究

采用溶胶—凝胶法在普通玻璃衬底上制备了ZAO(ZnO:A1)薄膜,利用XRD、SEM、紫外—可见光谱和光致发光光谱对所制备的AZO薄膜进行了表征,研究了ZAO薄膜的结构和光学性能.结果表明:ZAO薄膜的微晶晶相与ZnO一致,且具有c轴择优取向;ZAO薄膜在可见光区的透过率超过了88％,在350～575 nm范围内有强的...