利用半导体激光器功率—电流曲线斜率的变化控制AR膜的镀制

研究了不同偏置条件下半导体激光器的微分输出功率与端面反射率的关系,为主动法控制半导体光放大器端面减反射膜的镀制提供了必要的使用判据。镀膜实验证实了理论预测,使用本判据有助于提高镀膜的可靠性。     

基底亚表面裂纹对减反射膜激光损伤阈值的影响

利用化学沥滤技术,分析了亚表面裂纹对基底表面和减反射膜激光损伤阈值(LIDT)的影响。通过去除或保留研磨裂纹,获得了亚表面裂纹数密度有明显区别的两类基底。为了凸出亚表面裂纹层的作用,基底采用化学沥滤去除另外一种可能的影响因素,即再沉积层中的抛光杂质。然后采用电子束蒸发镀制HfO2/SiO2减反射膜。355nm激光损伤阈值测试结果和损伤形貌分析证实了基底亚表面裂纹对减反射膜抗激光损伤能力的负面影响。根据熔石英基底抛光表面的烘烤现象,提出了亚表面缺陷影响膜层激光损伤的耦合模型。     

可应用于四结砷化镓太阳电池的ZnS/MgF_2/SiO_2减反射膜的结构设计

在采用磁控溅射方法分别制备单层ZnS、MgF_2、SiO_2薄膜及表征其折射率基础上,以折射率逐渐减小的三层结构(HML结构)思想,采用TFC光学薄膜软件,设计并模拟了可用于四结砷化镓(GaInP/GaAs/GaInAs/GaInAs)太阳电池的三层ZnS/MgF_2/SiO_2减反射膜系.并分析模拟了窗口层厚度、各膜层厚度和折射率以及光入射角对有效反射率的影响.结果表明:窗口层厚度、SiO_2的折射率和ZnS膜层厚度对有效反射率R_e的影响最为显著;在350~1 800nm宽波段,当窗口层厚度为83nm,膜系厚度分别为57nm、37nm和88nm,且光入射角为0°时,有效反射率Re最小可达3.38%.     

溶胶-凝胶法制备平板玻璃减反射膜的工艺研究

应用溶胶-凝胶法技术在普通的平板玻璃上制备了具有减反射效果的SiO2薄膜，着重讨论了溶胶的组成及陈化时间对镀膜玻璃减反射性能的影响；应用原子力显微镜、激光椭圆偏振仪和分光光度仪等测定和分析了镀膜平板玻璃的特性．结果表明：膜层的增透效果与制备条件存在着一定的内在规律。     

大面积减反射膜的制备

采用溶胶－凝胶技术在玻璃镀出大面积的减反射膜，此膜为多层复合膜，所得的膜具有优良的光学及机械性能，光反射比由基片的８％降低到２％以下，耐磨擦，并可进行大面积镀膜，本文探讨了制备大面积优质减反射膜过程中所遇到的一些工艺上的问题。     

旋涂法制备PMMA纳米孔隙减反射膜的研究

以十二烷基硫酸钠(SDS)为致孔剂,将其与聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)纳米乳液混合后旋涂成膜,再水洗除去SDS,从而形成纳米孔隙减反射膜。考察了SDS/PMMA质量比、乳液中PMMA含量和涂膜干燥温度对薄膜透光率的影响。研究发现,当SDS/PMMA=3/10(w/w),PMMA含量为4.5%,干燥温度为80℃时薄膜透光率最高,达到了94.6%(λ=664 nm)。本方法工艺简单方便,不使用有机溶剂,且薄膜与基底结合性好,置于水中超声60 min之后透光率几乎不变。     

半导体激光器腔面全介质涂层的研究

通过对GaAs/GaAlAs激光器谐振腔前、后腔面蒸镀2rO₂和ZrO₂、MgF₂的工艺过程,从理论和实验上分析涂层特性,透射率、反射率分别由无膜时的68%、32%,镀膜后提高到94%、95.0%以上,提高了激光输出功率和工作寿命,保护了器件端面。     

硅太阳能电池减反射膜的研究进展

综述了国内外对硅太阳能电池减反射膜的研究进展,包括减反射膜的种类、膜层结构、减反射原理以及减反射膜的制备方法,重点介绍了硅太阳能电池减反射膜的主要制备方法,并对比了各种制备方法的优缺点,指出新型制备技术和新膜系的选取是目前硅太阳能电池减反射膜的研究重点.最后讨论了硅太阳能电池减反射膜存在的问题,并提出进一步发展的方向.     

电子束蒸镀半导体发光二极管的减反射膜

用电子束蒸发设备，制备了用于光纤通信等中的ＧａＡｓ和ＩｎＰ系列双异质结红外发光二级管的减反射介质膜。测量结果表明，对发光波长为０．８５μｍ和０．９０μｍ的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ发光二级管，蒸镀四分之一波长厚的Ａｌ２Ｏ３减反射膜，输出光功率在５０ｍＡ和１００ｍＡ电流注入下，可增加２５￣３５％，最大可增加５０％。但对于１．３μｍ波长的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ型红外发光二极管，用ＺｒＯ２作减反射膜，比用Ａ     

玻璃专利

装甲材料及其制备方法;具有减反射膜的玻璃片和用于窗子的层叠玻璃;带电极的玻璃基板的制造方法;装甲材料及其制备方法;介电层成型组合物、坯片、基板,基板和等离子显示板制造方法;显示器用玻璃基板和显示器;