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111.
利用Silvaco-TCAD半导体器件仿真软件,全面系统地分析了光照区域结构参数对硅NPN型红外光电晶体管光电转换特性的影响.仿真结果表明:厚度为240 nm/130 nm的SiO2/Si3 N4双层减反射膜在特征波长(λ =0.88μm)处具有最优的光吸收效果和峰值光响应度(RM);为满足器件对红外波段的有效吸收和响应,外延层厚度应选择为55 ~ 60 μm;提高外延层电阻率虽可增大集-射击穿电压(BVCEO),但较高的外延层电阻率同时会降低红外波段光谱响应度;为了获得较高的红外光谱响应度,同时抑制可见光波段的响应,光照区域基区表面浓度应选择为5×1019 cm-3,结深应选择为2.5μm. 相似文献
112.
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114.
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116.
117.
118.
119.
本文在理论上,用角谱法分析了1.3μm InGaAsP/InP 半导体激光器腔面镀膜后的剩余反射率,并对 TE 波算出了单层近似结果。在实验上,较详细地讨论了 SiO 减反射膜的蒸镀。并通过对1.3μm 激光器前后腔面蒸镀 SiO 减反射膜而制成了超发光二极管。 相似文献
120.
GaAlAs激光器腔面减反射涂层 总被引:3,自引:0,他引:3
通过对波长910nm GaAs/GaAlAs激光器谐振腔面蒸镀ZrO2膜的工艺过程,从理论和实验上分析了涂层特性,透射率由无膜时62%提高到蒸镀膜后的94%以上,提高了激光器的激光输出功率和工作寿命,对器件端面起到了保护作用。 相似文献