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在光学系统中,设计了一种新型的近红外光纤宽带激光减反射膜,应用波段为800~1300 nm,能够同时适用于多波段大功率半导体激光器并具备较高损伤阈值。通过选择合适的光学材料,利用TFCalc软件仿真,调整最佳的工艺参数,采用热蒸发式真空镀膜机及RF离子源辅助沉积的方法,解决了小口径光纤端面的清洁和低温镀膜时膜层的牢固性等问题,实验采用Agilent CARY6000i型光波测量系统对镀膜后的样品进行光谱分析,实验结果显示,该减反射膜在800~1300 nm平均透射率为99.2%。分别用单管808 nm、980 nm和1064 nm半导体激光器为光源测得多模光纤镀膜后的输出功率较镀膜前均有明显提高。该膜层有效地提高了大功率半导体激光器与光纤的耦合效率具有更好的应用价值和实用意义。 相似文献
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宽角度硅太阳电池减反射膜的优化设计 总被引:1,自引:0,他引:1
以太阳电池减反射膜为研究对象,考虑太阳光从O°~60°宽角度人射,同时结合硅的光谱响应和太阳光谱分布,采用加权平均反射率作为评价膜系质量的标准,利用数值计算设计了的最佳双层减反射膜SiNx/SiOxo计算结果表明30°是设计减反射膜的最佳优化角度.对于入射介质为空气时,最优薄膜参数为nSiNx=2.3,dSiNx=56nm,nSiO2=1.46,dSiO2=90nm.当太阳电池封装后,即入射介质为硅胶时,最佳膜系参数为nSiNx=2.3,dSiNx=65nm,nSiOx=1.63nm,dSiO=80nm. 相似文献
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1引言
大多数多晶硅太阳电池的减反射膜都是用增强的等离子化学气相沉积法(PECVD)沉积的掺氢氮化硅膜层(Sinx:H)。和其它减反射膜(如二氧化钛)相比,Sinx:H的优点是它具有很好的表面和体钝化功能。除了这些优点之外,PECVD技术有几个显著的缺点,主要是PECVD工艺使用爆炸性气体以及维护周期较短,同时PECVD技术在大面积在线镀膜时的膜厚均匀性也存在问题,这些问题使人们对采用不同的沉积技术产生了兴趣。由于对不同材料在大面积基片上采用溅射镀膜具有高产能、良好的均匀性和较长的维护周期等优势,因此溅射技术成为在太阳电池片上沉积Sinx:H膜层的较为理想的方式。 相似文献
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对半导体激光器腔面分别蒸镀单层和双层减反射膜(AR)制备超辐射发光管(SLD),测试了器件功率特性、光谱特性和远场分布,并计算了器件端面的剩余反射率。 相似文献