含氟有机减反射膜的研究

采用低温等离子体辉光放电技术,用含氟有机单体在硅太阳电池表面聚合成膜。测定膜的光电性能和反射率证实:有膜电池的短路电流、光电转换效率及光谱响应都有明显增加,反射率绝对值降低2％左右,膜为非晶结构。此外,还研究了成膜工艺因素和膜电池性能的关系。     

1.3μm超辐射发光二极管

本文报告了电子束蒸镀 Si_3N_4减反射膜的结果,并制成了1.3μm 超辐射发光二极管。室温连续输出功率1.2mW,光谱半功率宽度9nm。     

GaAIAs半导体功率放大激光器耦合效率的研究

通过对波长808nm的GaAIAs／GaAs半导体功率放大激光器端面镀ZrO2减反射膜工艺过程，从理论和实验上分析了涂层特性，透射率由无膜时的69％和32．6％提高到镀膜后的90％和80％以上，提高器件的耦合效率、输出光功率和工作寿命。     

固定式光伏方阵日照性能

照射到太阳电池表面的太阳光的入射角随时间而变化，导致电池表面减反射膜系的反射率随时间发生变化，使太阳电池对太阳能的吸收产生了影响。该文从地球绕太阳运动的基本规律出发，设计出了实用的计算机软件，对固定式光伏方阵的减反射膜系统进行了分析，比较了在改变减反射膜参数的情况下，光伏方阵对太阳能的利用情况，对光伏方阵的设计具有一定的指导意义。     

晶体硅太阳电池减反射膜的研究

为了提高晶体硅太阳能电池的光电转换效率,以及获得较佳的减反射膜的膜厚和折射率,根据计算得出的在波长为600 nm的太阳光下减反射膜的膜厚和折射率的最佳理论值,设计了三组等离子体增强化学气相沉积工艺(1#,2#和3#工艺),来制备不同膜厚和折射率的SiNx∶H(氮化硅)减反射膜.实验结果显示:1#工艺对应的膜厚为83 n...     

溶胶-凝胶法制备硼硅酸盐玻璃上减反射薄膜

以正硅酸乙酯(TEOS)、不同相对分子量的聚乙二醇(PEG)为主要原料,采用溶胶-凝胶法在硼硅酸盐玻璃板上制备单层SiO2减反射薄膜,研究了制备工艺对薄膜光学性能的影响.结果表明:PEG的添加量可以改变薄膜的透过率,当PEG/TEOS的摩尔比为50/50时能达到最大值.PEG1K能将反射率最小值调整到550 nm,从而对应于最高的太阳辐射波长.     

在锗基底上采用离子辅助淀积的宽带减反射膜

在220℃温度的锗基底上,采用或未采用离子辅助淀积片镀制了五种宽带减反射膜.在这些膜上进行1.06μm波长、0.1μm脉冲的激光损伤阈值的测量.在氩离子轰击下淀积的锗膜显示出较高的激光损伤阈值,所以,锗基底上的减反射膜具有更强的牢固度.     

溶胶—凝胶法制备TEOS—DOS基SiO2疏水减反射膜溶胶微结构对膜性能的影响

以乙醇为溶剂，正硅酸乙酯（TEOS，tetraethoxysilane）在氢氧化铵催化下水解缩聚为纳米尺度的无定型SiO2溶胶颗粒，二甲基二乙氧基硅烷（DDS，dimethyldiethoxysilane）在盐酸催化下水解缩聚为线状聚二甲基硅氧链。用混合溶胶在玻璃基片上旋转镀膜，然后于80℃空气气氛下热处理。实验证明通过DDS将疏水的双甲基链引入镀膜胶体，使膜兼具疏水性和减反射性能。利用激光散射粒度分析仪和电子显微镜研究了溶胶颗粒的粒度变化和聚集情况等溶胶微结构，用物理吸附仪研究了膜的孔结构，考察了热处理前后膜的疏水性和透射谱，得到了溶胶微结构与膜性能之间的关联。     

应用于红外区的多光谱减反射膜

介绍了在1.8～12.5μm光谱区能够减少衬底反射的宽带ZnSe和Ge减反射膜（同时在2个或3个大气透射窗口内），从理论上讲，这种宽带减反射膜是在高真空状态下通过热蒸发材料实现的。     

PECVD沉积双层SiNx对太阳电池性能的影响

提出了一种简单有效的制备双层SiNx薄膜的方法,其薄膜具有良好的减反射钝化特性。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法,通过控制SiH4和NH3气体流量比,在p型多晶硅衬底上生长单层及双层SiNx膜。随后使用薄膜测试分析仪测量了薄膜的厚度、折射率及反射率,并用Semilab WT-2000测量少数载流子寿命,通过测量量子效率,对单、双层膜电池进行了比较。实验结果表明:相比单层减反射钝化膜,采用双层SiNx膜,少数载流子寿命可以得到更好的改善,开路电压可提高约2 mV,短路电流可提高约40 mA,电池效率能提高0.15%。