1.3μm超辐射发光二极管制作和实验

通过在激光二极管端面底高减反膜，实现了辐射发光，制成了超辐射发光二极管，它在较宽的驱动电流范围（３３￣６８ｍＡ）内均呈现超辐射发光特性，对超辐射发光二极管特性进行了研究，实验表明，它的发射谱很宽，在输出功率达１ｍＷ情况下，谱线宽度仍达１５ｎｍ。     

850nm高亮度半导体激光器腔面膜技术研究

利用真空镀膜设备,采用电子束离子辅助蒸发技术,在条宽100μm腔长1mm的半导体激光器发光芯片的端面沉积光学介质膜。经测试采用这种技术制作出的高亮度半导体激光器发光芯片的输出功率达3.6W,与未镀膜的器件相比功率提高了2.5-3.1倍,外微分量子效率提高到89.76%,功率效率达到40.2%。激射波长为850.7nm。     

晶硅太阳能电池的(SiO_2/SiO_2-TiO_2/TiO_2)减反射膜的水性溶胶法制备（英文）

用旋转涂覆水性溶胶的方法太阳能电池用单晶硅片上制备了(SiO_2/SiO_2-TiO_2/TiO_2)三层减反射膜。膜层的折射率及反射光谱分别用椭圆偏正光谱仪和分光光度计进行测试,单晶硅片上并溶胶的润湿角使用DSLR相机拍摄照片后处理而成。TiO_2,SiO_2-TiO_2和SiO_2水溶胶对单晶硅片的润湿角分别为25.6°,25.5°,21.1°,表明溶胶对单晶硅片具有优异的润湿性能。在300~900nm波长范围内,SiO_2/SiO_2-TiO_2/TiO_2三层减反射膜的平均反射率大约为11.7%,比空白硅片降低了约66.7%。表明水性溶胶适用于低成本晶硅太阳能电池减反膜的制备。     

可见区的高级减反射膜：各种沉积技术的比较

对光学薄膜硬度和环境稳定性的要求不断地提高,促使人们开发离子辅助镀膜技术。今天的用户越来越注意膜层的坚固性和耐久性。典型的要求是优良的光学性能加上最好的环境稳定性和较低的价格。     

稀土铕掺入多孔二氧化硅减反射膜对太阳能电池效率的影响(英文)

稀土元素铕通过溶胶凝胶法掺入到多孔二氧化硅制成的减反射膜层中,并被用来提高硅太阳能电池的转换效率.在标准测试条件下,和用超白钢化玻璃相比较,该掺入铕的二氧化硅减反射薄膜使太阳能电池的效率提高了9.5%.     

荷能离子束沉积的氧化物薄膜光学性质

报道在不加热的基底上,由双离子束溅射或离子辅助的电子束蒸发技术制造的ＺｒＯ２ 和ＴｉＯ２ 单层薄膜的光学性质,并提供了工艺参数和离子束设备的详情。这两种荷能离子束工艺已被用于光学多层膜,如减反射膜和短波通滤光片的制备。     

AlxGa1-xAs/GaAs太阳电池MgF2/ZnS双层减反射膜的研究

介绍了在AlxGa1-xAs/GaAs太阳电池上制备MgF2/ZnS双层减反射膜的研究工作,引入了有效反射率R,并通过使Re极小来实现减反射膜的优化设计,考虑了MgF2/ZnS双层减反射膜与窗口层的耦合,实验上获得了良好的减反射膜,提高了AlxGa1-xAs/GaAs太阳电池的短路电流和效率,表明用Re极小化来设计减反射膜是合理的。     

新型减反屏蔽膜系的模拟设计

为解决航空条件下复杂外界环境对液晶显示器的各种干扰,本文设计了一种新型减反屏蔽膜系结构,将ITO透明导电膜层作为减反膜系中的一层,使膜系在达到减反效果的同时还具有屏蔽功能,大大降低了ITO作为屏蔽膜层单独使用时在可见光部分的剩余反射率。通过TFCalc光学膜系设计软件进行模拟．结果表明该膜系结构在可见光部分的剩余反射率明显下降,其中最优膜系的平均剩余反射率为0．43％,面电阻率达到11．8Ω／□,使得液晶显示器在航空环境条件下的工作性能有了显著提高。     

一氧化硅减反射涂层的理论分析和蒸镀

本文在理论上,用角谱法分析了1.3μm InGaAsP/InP 半导体激光器腔面镀膜后的剩余反射率,并对 TE 波算出了单层近似结果。在实验上,较详细地讨论了 SiO 减反射膜的蒸镀。并通过对1.3μm 激光器前后腔面蒸镀 SiO 减反射膜而制成了超发光二极管。