基于图像清晰度检测的光栅刻划平台调平装置

针对制备衍射光栅时刻划平台倾斜导致的光栅槽型误差,提出了一种基于图像清晰度检测与电动倾斜台调节的光栅刻划平台在线调平装置。建立了图像清晰度与光栅刻划平台倾角间关系的模型,应用该模型,控制光栅刻划平台在一定范围内实现了闭环动态调平。对上述理论研究进行了试验验证。试验结果表明,该调平装置简单可行;对于50mm×50mm的光栅毛胚,调平装置可控制刻划平台的水平倾角在4″以内,满足光栅刻划对平台定位精度的要求。该装置既可用于刻划前的调平准备,也可推广应用于光栅刻划过程中的实时检测。     

基于原子力显微镜的纳米三维刻划加工控制系统

介绍了一套新型的纳米三维刻划加工控制系统,系统基于AFM原子力显微镜,配合三维微动工作台,设计开发了专门的加工控制装置,成功的实现了纳米刻划加工中的深度控制问题,可实现在X、Y、Z方向分别为100μm×100μm×20μm范围内,X、Y向精度为±5 nm、Z向精度为±10 nm的三维结构机械刻划加工,应用结果表明,该系统实现了具有在位形貌检测功能的三维纳米刻划加工,在微纳米刻划加工领域具有一定的实用性和推广价值。     

地质体的二维数值剖分

本文通过对５种最基本的地质模型的建立及对角度不整合模式的剖分,详细探讨了对三维地质体进行二维（剖面）数值剖分的算法,建立起地质体和油气储层从建模到量化全过程的工作方法和思路。     

单晶硅裂纹萌生的刻划深度研究

单晶硅作为典型的脆性材料,实现其塑性域去除加工的关键是使切削深度小于裂纹萌生切削深度.采用断裂强度理论,建立单晶硅刻划加工时的径向裂纹、中位裂纹和横向裂纹萌生刻划深度计算方法,计算得到裂纹萌生的刻划深度和划痕深度.设计高速刻划单晶硅的玻氏压头试验装置,并进行单晶硅片刻划试验,实测其径向裂纹萌生的划痕深度,其划痕深度计算...     

同一套设备刻划和检测金属线纹尺时的硬件软件配置

金属线纹尺由同一套设备激光刻划并完成检测工序,为了达到线纹尺刻划精度和检测精度,同时要便于刻划、检测操作,设备应进行恰当的硬件、软件配置。     

Cosine算子值函数在t＞0上一致算子拓扑连续性的特征刻划

设Ｅ是一个Ｂａｎａｃｈ空间，考虑Ｅ上的强连续Ｃｏｓｈｅ算子值函数我们研究｛Ｃ（ｔ）｝－ｘ＜ｔ＜ｘ在ｔ＞０上一致算子拓扑划问题，本文证明了：｛Ｃ（ｔ）｝－ｘ＜ｔ＜ｘ在ｔ＞０上按一致算子拓扑连续的充分必要条件是其无穷小生成元为有界线性算子。进而得知：适定的Ｅ中的非完全二阶微分方程的Ｃａｕｃｈｙ问题（＊）．（Ａ为Ｅ上的一个闭稠定的线性算子）的解算子在ｔ＞０上按一致算子拓扑连续当且仅当Ａ有界，这种特征与Ｃ０类算子半群即适定的一阶抽象线性微分方程Ｃａｕｃｈｙ问题的解算子及适定的完全二阶及阶数ｎ≥３的高阶抽象线性微分方程Ｃａｕｃｈｙ问题解算于的性质迥然不同。     

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四川盆地川西坳陷陆相致密碎屑岩气藏储层具有致密、低孔渗、薄层交互、多层叠置和强非均质性的特点。长期以来,勘探成功率低、效益差。近年来,以高精度三维地震资料为主,多学科协同,深入研究含气地 震响应特征,充分利用地震资料信息,取得了一系列油气勘探开发的重大进展。其间,储层空间展布刻划技术起到了十分关键的作用。文章从储层基本地质特点,含气砂体地震响应模式建立,储层展布预测,储层边缘检测及空间展布刻划等方面,结合川西地区致密非均质气藏勘探的实践经验详细介绍了实现储层空间展布刻划的系列技术。     

Bernstein—Durrmeyer算子导数的等价刻划

研究了Bernstein-Durrmeyer算子高阶导数与函数光滑之间的等价关系，用Ditzian-Totik模刻划算子点态和整体导数的特征，得到了一个等价刻划定理，所得结果统一了该算子导数的点态和整体两种渐近性态的等价表征。     

多元Gauss－Weierstrass算子的L_p－逼近

本文借助于Ｋ－度函和光滑模的等价关系，给出了多元Ｇａｕｓｓ－Ｗｅｉｅｒｓｔｒｓｓ算子的Ｌ－逼近的特征定理．     

积分C半群的Laplace逆变换

以积分C半群生成定理的Laplace刻划为基础,利用积分半群的性质,推导出指数有界积分半群的一种表达形式——Laplace逆变换形式.利用泛函分析的基本理论得到了两个关于Laplace逆变换形式的相关结果.