微纳米尺度单晶硅各向异性表面的切削特性

利用纳米压痕仪和原子力显微镜,分别对单晶硅Si(100)、Si(110)、Si(111)三种晶面取向的表面进行微纳米尺度下的切削性能进行了实验研究。实验结果表明:在定载荷下,刻划速度的大小对单晶硅Si(100)、Si(110)晶面取向的切削力、摩擦系数的大小影响较小,但对单晶硅Si(111)晶体取向影响较大;在较低载荷下,单晶硅各晶面取向表面划痕细小,深度较浅且不明显,切削力大小无明显变化规律。随着载荷的逐渐增大,划痕宽度及深度也逐渐增大,切削力也相应增大,但并非呈线性增长。当载荷增大到一定值后,单晶硅各表面发生严重的塑性变形,变形积累一定程度后,沟槽两侧及探针前端形成明显的切屑堆积。     

南宋青瓷刻划花莲纹的艺术特征

宋代以青瓷的烧制最为风行,刻划花莲纹是宋代青瓷装饰中具有代表性的纹饰之一。宋代是中国绘画史的转折时期,受其影响,南宋青瓷刻划花莲纹也表现出独特的艺术魅力,在装饰风格上,莲纹的刻画上呈现出文人化的艺术特征;在表现方式上,更加多变,技法娴熟,行云流水。     

光栅刻划机300mm行程工作台研制及其自适应控制方法

光栅刻划机工作台性能及其控制算法是直接影响大面积光栅刻划精度的重要原因。为了提高光栅刻划机运行精度,研制了采用压电陶瓷进行微定位控制的300mm行程宏微两级工作台,建立了微定位工作台数学模型,仿真分析了工作台参数对系统动态性能的影响。采用反向传播(BP)神经网络比例-积分-微分(PID)算法对微定位工作台进行闭环控制。仿真分析表明通过增大内外台连接刚度或内外台之间阻尼在总体趋势上均可改善与光栅质量密切相关的微定位工作台动态性能。工作台定位实验表明,在以双频激光干涉仪为纳米位移测量基准的情况下,进行刻线密度为35line/mm以上常用光栅空运刻划时,BP神经网络PID算法可实现宏微两级工作台定位误差3σ值不大于5.0nm。以上研究为大尺寸光栅刻划机宏微两级工作台结构设计及控制算法的选择提供了理论及技术指导。     

绝对式光栅尺母光栅刻划装置的设计

简述了绝对式光栅尺母光栅刻划装置的设计方案.针对曝光光源均匀性、图案畸变、精确放大倍率等难点问题,设计了刻划装置的专业装调方案.同时利用刻划装置的物理样机进行曝光加工,得到了满足设计要求的母光栅码道图案.     

油基钻井液对泥岩特性影响实验研究

油基钻井液在大位移井长裸眼段钻井过程中有较好的防塌效果。针对采用油基钻井液钻井时井壁是否存在垮塌周期问题,该文利用连续刻划实验,研究了油基钻井液浸泡对泥岩单轴抗压强度、弹性模量的影响。结果表明:油基钻井液长时间浸泡会降低泥岩单轴抗压强度和弹性模量,与水基钻井液类似,油基钻井液同样存在垮塌周期,因此,在长裸眼井段施工中要考虑井壁坍塌周期。     

玻璃刻花图案CAD系统的研究

介绍了刻花机器人CAD／CAM系统的概况,并对刻花图案CAD系统的软件生成、数据结构和一些关键算法进行了分析。     

AFM光杠杆系统在刻划深度控制中的应用分析

应用AFM组建三维刻划加工系统,光杠杆系统是实现刻划深度控制的重要环节．通过分析微悬臂挠度、转角对光杠杆系统的影响,及不同刻划方向针尖扭转角对刻划深度的影响,得出以下结论：由非刚性微悬臂组成的光杠杆系统,与理想光杠杆系统存在3：2的线性检测变换关系,可采用单点标定方法对光杠杆系统进行标定;沿相对于微悬臂长轴进行横向刻划时针尖扭转角所产生的刻划深度误差,远小于沿纵向刻划所产生的刻划深度误差．     

龙泉青瓷刻划装饰表现形式浅探

当代审美影响下的青瓷装饰艺术表现形式,在统一与变化、韵律与节奏两个方面注重艺术传承;在现代艺术装饰中渗透着生活审美情趣和个性化追求。随着时代历史的发展,青瓷装饰表现形式不断创新,层出不穷,但都是独特精神文化与审美意识的发展。文章结合实际探讨龙泉青瓷装饰中根据主题表达需要选择表现形式;多法并用的装饰表现形式;将刻划与不同技艺的瓷釉、书法、绘画等形式相结合的装饰方式。对青瓷装饰艺术探讨和装饰创作的人们均具有良好的借鉴意义。