高密度互连印制板

本文阐述了RCC材料与化学蚀刻法制作高密度互连印制板的工序和详细方法,意在探寻最为经济、简单而又行 之有效的工艺。     

CMP系统技术与市场

概述了CMP系统技术的发展历史、发展趋势以及在IC生产中的重要性,介绍了国外CMP设备主要制造厂家的设备型号和性能及CMP设备市场分布和需求,阐述了CMP系统技术的基础研究、关键技术和国内研究概况。     

化学基础课程改革的实践与深化

设计了以基本理论为基础，化学实验为支柱的化学教育的改革模型。对教学内容进行整体设计与优化，重新组合与更新，构建了化学原理为先导，理工融合的课程、教材新体系及三级实验教学新模式。经过试点班连续4届的实践，效果良好，新体系是可行和有效的，并已在全院推广。     

溶胶-凝胶法合成纳米多孔SiO2-TiO2块材的化学稳定性

以正硅酸乙酯、钛酸正丁酯和聚乙二醇等为主要原料，采用溶胶-凝胶法成功合成了多孔SiO2-TiO2系块状材料。500℃焙烧2h后材料呈现非晶态结构。引入较多钛量时，使材料的孔径分布变窄、平均孔径下降，但增加了比表面积。在80℃热水中浸泡72小时以后，吸附一脱附曲线的类型和形状几乎没有变化；随着Ti含量的增加，比表面积和孔容积的变化率减小。多孔材料在98℃的20％硫酸溶液中重量损失率随Ti含量变化不大，Ti引入并不能提高材料在酸液中的耐蚀性；但引入Ti使多孔材料在95℃NaOH碱液中的耐蚀性明显改善。     

流量比对等离子体基团分布和薄膜结构的影响

使用光强标定的发射光谱(AOES)测量了CHF3／C6H6混合气体的微波电子回旋共振(ECR)放电等离子体中基团的分布状态。实验发现随着CHF3流量的增加，成膜基团CF、CF2、CH等的相对密度增大，而刻蚀基团F的密度也会增加，从而使得a—C：F薄膜的沉积速率降低。同时红外吸收谱(IR)分析表明，在高CHF3流量下沉积的a—C：F薄膜中含有更高的C—F键成分。可见在a—C：F薄膜的制备中CHF3／(CHF3 C6H6)流量比是重要的控制参量。     

铝薄膜CMP影响因素分析

提出了在碱性抛光液中铝薄膜化学机械抛光的机理模型,对抛光液的pH值、磨料、氧化剂浓度对过程参数的影响做了一些试验分析。试验结果表面粗糙度的铝薄膜所需的最优化CMP过程参数:硅溶胶粒径为15～20nm,pH值为10.8～11.2,氧化剂浓度为2.5%～3%。     

乙烯基硅氧烷改性苯丙乳液的研究

在苯乙烯 -丙烯酸酯乳液共聚反应后期 ,加入少量乙烯基硅氧烷 ,制得改性苯丙乳液 ,通过红外光谱初步确定了聚合物结构。研究了反应温度、反应时间、有机硅加入方式、乳化剂用量等因素对反应进程、乳液稳定性及涂膜性能的影响。     

日本开发一种回收氯的新工艺

日本住友化学公司使用一种新型的氧化方法从副产氯化氢中回收氯气，回收率高于９９％。这一回收率大大高于传统工艺所得到的回收率。该工艺使用负载在金属氧化物上的氧气和贵金属催化剂在汽相中氧化HCl。反应在２５０～３５０℃和几个巴的压力下进行。反应得到的氯气用浓硫酸脱氢，然后通过系列液化和汽化精制。将未转化的HCl气体循环到反应器中。住友公司已在一所异氰酸酯工厂许可了该工艺，氯气的回收装置规模为１００kt／a。日本开发一种回收氯的新工艺@郑元昌     

聚甲亚胺改性尼龙6复合材料的等温结晶动力学

采用差示扫描量热法（DSC）对聚甲亚胺（PAM）/尼龙6复合材料等温结晶过程进行了研究。结果表明，PAM的加入使得基体的结晶速率增大，尤其是当含量为5%时，半结晶期明显减少。研究还发现，该体系的等温结晶过程完全可以用Avrami方程来描述，各试样的Avrami指数均在2-3之间，表明Avrami指数，球晶生长方式基本不受聚甲亚胺加入的影响。基体中原位形成的聚甲胺微纤起到了诱导结晶的作用，使得基体的结晶速率加快，但随着微纤含量的增加，由于分散性能变差而使得诱导结晶的能力减弱，表现为结晶速率又有所降低。