流量比对等离子体基团分布和薄膜结构的影响

使用光强标定的发射光谱(AOES)测量了CHF3／C6H6混合气体的微波电子回旋共振(ECR)放电等离子体中基团的分布状态。实验发现随着CHF3流量的增加，成膜基团CF、CF2、CH等的相对密度增大，而刻蚀基团F的密度也会增加，从而使得a—C：F薄膜的沉积速率降低。同时红外吸收谱(IR)分析表明，在高CHF3流量下沉积的a—C：F薄膜中含有更高的C—F键成分。可见在a—C：F薄膜的制备中CHF3／(CHF3 C6H6)流量比是重要的控制参量。     

铝薄膜CMP影响因素分析

提出了在碱性抛光液中铝薄膜化学机械抛光的机理模型,对抛光液的pH值、磨料、氧化剂浓度对过程参数的影响做了一些试验分析。试验结果表面粗糙度的铝薄膜所需的最优化CMP过程参数:硅溶胶粒径为15～20nm,pH值为10.8～11.2,氧化剂浓度为2.5%～3%。     

日本开发一种回收氯的新工艺

日本住友化学公司使用一种新型的氧化方法从副产氯化氢中回收氯气，回收率高于９９％。这一回收率大大高于传统工艺所得到的回收率。该工艺使用负载在金属氧化物上的氧气和贵金属催化剂在汽相中氧化HCl。反应在２５０～３５０℃和几个巴的压力下进行。反应得到的氯气用浓硫酸脱氢，然后通过系列液化和汽化精制。将未转化的HCl气体循环到反应器中。住友公司已在一所异氰酸酯工厂许可了该工艺，氯气的回收装置规模为１００kt／a。日本开发一种回收氯的新工艺@郑元昌     

人工神经网络理论及其应用

简要介绍了人工神经网络的发展过程和基本理论，从神经网络具有自学习功能、联想存储功能和高速寻找优化解的能力三个方面论述了其特点和优越性，详细阐述了在模式识别、信号处理、自动控制、人工智能、自适应的人机接口、优化计算、通信以及其它方面的应用，探讨和分析了其发展前景。     

HRB335螺纹钢表面裂纹成因分析

用高、低倍和化学检验分析方法，对341-6052螺纹钢的表面裂纹进行了分析，发现螺纹钢表面裂纹，是由于炼钢中包和冶炼原材料烘烤不够干燥，连铸方坯上出现的皮下气泡所致。     

江汉油田采油工艺技术现状及发展方向

总结了江汉采油工艺30年来取得的成就，重点介绍了近年来研究并成功应用的具有江汉特色的采油工艺技术，展望了江汉采油工艺的发展方向。     

镍层耐硝酸腐蚀性测试——一种简单的预先探测ENIG镍层“黑盘”现象的测试方法

随着更加精细的SMT、BGA等表面贴装技术的运用,化学沉镍金(ENIG)作为线路板最终表面处理得到了越来越广泛的应用,同时可怕的“黑盘”现象也随之更广泛地“流行”起来,直接导致贴装后元器件焊接点不规则接触不良。为了贯彻执行最好的流程控制和采取有效的预防措施,了解这种焊接失败的产生机理是非常重要的,及早的观测到可能发生“黑盘”现象的迹象变得同样关键。本文介绍了一种简单的预先探测ENIG镍层“黑盘”现象的测试方法-镍层耐硝酸腐蚀性测试,这种测试可以用于作为一种常规的测试方法监测一般化学沉镍溶液在有效使用寿命范围内新鲜沉积的镍层的质量。利用Weibull概率统计分析在不同的金属置换周期(MTO)下镍层的可靠性能表现。结合试验结果得出了一个镍层耐硝酸腐蚀性的判定标准。     

镍铬合金在酸性CuCl2溶液中反应机理

对铜在酸性CuCl_2溶液中蚀刻反应机理论述,利用氧化-还原电动势原理,详细论述了Ni80Cr20合金在酸性CuCl_2溶液中化学蚀刻反应机理,以及影响蚀刻速度的因素,并对溶液中金属离子的存在形式作了验证。     

Preparation and properties of nano-sized SnO2 powder

1　INTRODUCTIONSnO2isoneofthemainmaterialsusedingassensor.Becauseofthehumidityandgassensingfunction,itattractsmoreandmoreattentions.Butthepresentproblemishowtoimprovethestabilityandsensibilityofgassensor.Researchershavetakenmanymeasurestoresolvethisproble…     

PMN-PT陶瓷中的氧缺位及其消除

研究了组成中Pb含量的变化对组成为Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3的铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)陶瓷压电性能的影响,发现化学计量比组成(x=1)的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷经常出现压电性能的大幅度退化现象,而A位适量缺Pb能稳定地获得高性能的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷。XPS元素价态分析的结果表明,化学计量比的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷中含有较多的氧缺位,氧缺位的产生源于MgNb2O6(MN)合成过程中的气氛差异,A位适量缺Pb能有效地消除这种氧缺位而稳定地获得正常的压电性能,其机理被认为是氧缺位与铅缺位的复合。