世明光学:让绿色“照”进生活

随着"生态人居"、"绿色建筑"成为屡屡被提及的词语以及全球能源持续短缺,绿色照明逐渐成为推动城市可持续发展过程中的热门话题。     

SH波的转移矩阵及其在声子晶体中的应用

利用边界条件,推导出SH波在多层介质系统中的转移矩阵,利用移矩阵法研究了SH波在一维声子晶体中禁带和缺陷模的特征。得出了SH波的禁带中心频率和频率宽度随入射角和周期厚度的变化规律。得出了SH波的缺陷模中心频率和频率宽度随入射角和杂质厚度的变化规律。     

中国成为在德国电子行业投资项目最多的国家

<正>本刊上海消息(2014年4月10日)上月18-20日在上海举行的"慕尼黑上海电子展"展会上,德国联邦外贸与投资署的专家为中国企业家展示了德国在这个领域的存在的商机。据f Di Markets统计,中国已连续三年成为德国电子行业投资项目数量最多的国家。2010-2013年中国在德国的电子行业的投资项目总数为56个,高出第二名美国27%之多,并大幅超过第三名日本。德国是欧洲最大的电子行业市场以及生产地。2013年该领域的营业额达到1730亿欧元,其中近900亿来自于德     

涂硼CsI(Tl)探测器n-γ信号仿真及数字甄别方法研究

根据在涂硼CsI(Tl)探测器中产生的γ射线、中子脉冲信号的特征,利用电荷比较法、上升时间法、频率梯度法、向量投影法、聚类分析法、神经网络法完成了n/γ射线甄别。结果表明了这些方法均可以实现对涂硼CsI(Tl)探测器的中子甄别,这为今后搭建涂硼CsI(Tl)探测器的中子实时甄别系统打下基础。     

纳米半导体场电子发射:真空纳电子学的基石与愿景

综述了作者近20年在纳米半导体场电子发射及其作为冷阴极应用的理论模型、优化结构与相应实验研究方面取得的系列进展与突破.理论上提出了宽带半导体能带弯曲场发射模型和量子结构增强场发射的思想,并在其纳米半导体场发射特性实验研究中得到证实.实验上研制出了具有优异场发射性能的几种纳米半导体场发射冷阴极,为该真空纳米电子器件的实际应用奠定了基础.最后,对该领域研究的瓶颈问题及未来发展趋势进行了述评.     

氧化镓晶体不同晶面的纳米力学性能

为了分析易解理的脆性氧化镓晶体的精密加工过程中材料去除机理,采用金刚石压头、G200型纳米压痕仪,分别对氧化镓晶体的(100)和(010) 2个主要晶面的纳米力学性能进行了试验研究。纳米压痕试验发现:2个晶面都有"pop-in"现象,首次出现pop-in的载荷分别为:4.31 m N和5.42 m N。通过变载荷纳米划痕试验和VK-X110激光显微系统观测,发现2个晶面都有"pile-up"现象,刻划过程中期均出现了塑性域加工特征,(100)和(010)晶面的塑性域加工切削深度范围分别是96.5～576.8 nm和84.6～421.6 nm。     

MC法模拟宽能型HPGe γ谱仪全能峰效率

采用MCNP法对宽能型HPGe γ谱仪的全能峰效率进行了模拟计算.以固体(SiO2)体源作为参考源,获得宽能型探测器晶体结构的优化参数.宽能型探测器直径和高度的变化对全能峰效率的影响程度与N型和P型探测器存在一定差别.液体体源和生物体源模拟全能峰效率与实验结果吻合得较好,偏差均在±6％以内;气溶胶滤膜体源和活性炭滤盒体...     

一种SiC MOSFET快速短路保护电路研究

碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)具有工作频率高、耐温高、临界击穿场强高和寄生参数小等特点,广泛应用于高功率密度和高开关频率场合。首先总结分析了各种短路过流检测方法,然后基于分流器检测法设计了一款SiC MOSFET短路保护电路,最后简要分析其工作原理,并进行实验验证。实验结果表明,所设计的SiC MOSFET短路保护电路,能在发生短路的1μs内完成保护动作,确保器件的安全运行。     

半导体神话--未来半导体需求的真理

由中电网(ChinaECNet)、中国电子企业协会采购分会(CEPA)、展望咨询公司、中国电子器材总公司联合主办的 "2006全球IC市场分析与预测高峰论坛"于2006年4月13日在深圳圆满落下帷幕。国内外最权威的IC市场分析人士以前所未有的强大阵容齐聚一堂,共同探讨IC市场现状,展望产业发展走向。在这里,我们将演讲的部分精华内容整理成文,以飨读者。