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一、引言 金属有机化学气相淀积法(简称MOCVD法)是1968年由H.M.Manasevit等首先提出的。该法以挥发性金属有机物和气态的非金属氢化物作为源材料,采用与硅外延淀积相类似的生长装置,进行化合物半导体的外延淀积。 相似文献
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可控硅单相全波反并联可逆整流电路在半导体恒温装置中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
半导体恒温无噪声,体积小,寿命长,但它需要低电压大电流的直流电源,且要求电流方向可以自由改变。这里介绍了一种实际半导体恒温装置的可逆直流电。该电源采用新颖的反并联可控硅整流电路,通过适当安排触发脉冲的触发顺序,达到可逆整流目的。实践证明,简单实用可靠。 相似文献
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