Atomic scale imaging of monocrystalline Si （001） surface by molecular dynamic simulation

Non-contact atomic force microscopy(nc-AFM) atomic-scale imaging process of monocrystalline silicon surface using capped single-wall carbon nanotube tip is simulated by molecular dynamic method. The simulation results show that the nc-AFM imaging force mainly comes from the C-Si and C-C chemical covalent bonding forces, especially the former, the nonbonding Van der Waals force change is small during the range of stable imaging height. When the tip-surface distance is smaller than the stable imaging height, several neighboring carbon atoms at the tip apex are attracted, and some of them jump onto the sample surface. Finally the tip apex configuration is destroyed with the tip indenting further.     

高斯长脉冲激光辐照单晶硅温度场的数值模拟

建立二维轴对称模型,通过Matlab软件对长脉冲高斯激光与单晶硅相互作用的加热过程进行数值模拟。分析不同激光功率密度和辐照时间作用下单晶硅的温度分布和温度历史, 估算单晶硅的熔融损伤阈值和热量沉积深度。结果表明:单晶硅的熔融损伤阈值的功率密度I₀=0.22 MW/cm2且激光热量沉积深度大约在1 mm范围内; 单晶硅的温度随激光功率密度和辐照时间的增加而升高,且随着光斑半径方向的延伸与靶材厚度的增加而逐渐减小; 在脉冲作用期间,硅表面中心温度迅速上升,这主要由高斯激光的能量分布特点决定; 在激光作用结束后,辐照区的热量通过热传导效应从高温区向低温区转移,单晶硅的表面中心温度随时间的增加而缓慢下降, 最后趋于室温。     

选择性外延隔离P^＋多晶硅栅PMOSFET

在离子注入埋层的硅片上,以SiO_2层为掩膜和隔离,生长了选择性外延(SEG)单晶硅层,并在此外延层上制作了P~+掺杂的多晶硅栅PMOSFET。浅源漏结的P~+多晶硅栅PMOSFET是使用一次离子注入同时完成栅与源漏的掺杂注入,并由低温退火与快速热退火完成杂质的再分布推进。测试结果表明PMOSFET的短沟道效应明显减小。     

不同单晶硅衬底的多孔硅的拉曼和致发光谱研究

用拉曼谱和光致发光谱研究了不同掺杂类型和掺杂浓度的单晶硅衬底上制备的多孔硅（PS）。根据拉曼谱估计了不同衬底PS的硅残留体的尺寸，结果与其它实验的结论相符。把由拉曼谱得到的PS尺寸和由光致发光谱得到的PS荧光峰能量相对比，发现单纯的量子限制模型不能统一解释不同衬底PS的光发射现象。     

电力科技信息

德国博世公司PERC单晶硅太阳能电池转换效率达19.6%经德国Fraunhofer太阳能系统研究所(Insti-tute for Solar Energy Systems)证实,德国博世太阳能(Bosch Solar Energy)公司研制的钝化发射极与背面太阳能电池(passivated emitter and rear cell,PERC)转换效率达19.6%。     

中国多晶硅产业链现状及发展方向

多晶硅是全球电子工业及光伏产业的基石，95％以上的半导体器件和99％以上的集成电路（IC）以及90％的太阳能电池芯片都是由硅材料（合单晶硅及多晶硅）制造的。本文对多晶硅产业链进行了详细的分析和叙述，对中国多晶硅产业现状和产业链存在的问题提出了自己的建议和看法。     

基于双正交提升小波的单晶硅绒面的去噪研究

单晶硅绒面在制绒时随着制绒液的浓度的变化,有可能会导致腐蚀不均匀,绒面的顶部或底部会有准方形的凹坑出现。基于双正交小波,结合提升小波的优点,形成双正交提升小波,对单晶硅绒面进行去噪处理。结果表明,双正交提升小波能将表面的"凹坑"缺陷去除,并以光的吸收率为依据将"凹坑信号"等价为"小的三角形"。     

压痕诱发单晶硅非晶化相变的透射电镜观察

晶体硅在高压下会发生相变［１］。显微压痕实验能够产生极大的压强（ＧＰａ级），有可能诱发硅的相变［２］。Ｃｌａｒｋｅ等人首次利用透射电子显微镜（ＴＥＭ）在微观尺度上给出了单晶硅上维氏显微压痕的平视形貌像（ｐｌａｎ－ｖｉｅｗ）［３］，指出压痕中心已经发生...     

云阳将建西部硅产业基地年产值将达10亿元

藏在深山人未识的“石头”将成为全球半导体的配套产品。昨日，重庆人和工业园区消息称，在香港上市的锦艺纺织科技国际有限公司将斥资10亿元，开发云阳石英矿。据称，将建立年产1000吨多晶硅及单晶硅，向国际国内市场销售。     

高能Ar离子辐照单晶Si引起的损伤研究

用１１２ＭｅＶ Ａｒ离子以５０Ｋ的低温辐照了〈１１１〉取向的单晶Ｓｉ后在室温下采用Ｘ射线光电子谱（ＸＲＳ）、电子顺磁共振（ＥＰＲ）和红外光吸收（ＩＲ）技术对样品进行了分析。ＸＰＳ分析结果表明，表面处Ｓｉ以单元素和ＳｉＯ２两种形式共存，辐照对这两种形式Ｓｉ的２ｐ轨道电子的结合能影响较小。ＥＰＲ测量结果显示，Ｓｉ中的损伤产生明显地依赖于辐照剂量，当剂量为１．０×１０＾１４－１．８×１０＾１４ｃｍ＾－２