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61.
一、设备技术概况 我公司多年来始终以技术开发为宗旨,不断地进行技术积累,提高设备制造过程中的技术含量,经这三年精心策划、精心制作。于2002年12月份制造出整套与国际同类产品较接近的生产线设备,并一次试机成功。  相似文献   
62.
本文介绍一种膜片式传感器的基本工作原理,并结合实际讲述其在煤气生产工艺系统中的应用。该传感器结构简单、使用方便,在实践应用过程中起到了联锁控制作用。  相似文献   
63.
如果把计算机比作人的大脑,那么通讯就是人的神经网络.而传感器则是人的五官并具有五官的延伸功能。  相似文献   
64.
65.
66.
引言具有宽供电电压范围的传统单片微功率运算放大器需要一个大芯片面积,因而导致封装和占位面积都很大。非传统的双路运算放大器LT6011在一种纤巧的新型封装内实现了25μV输入的精准微功率操作以及2.7~36V的电源电压范围,这种3mm×3mm的DFN封装非常之小,甚至没有引线。LT6011还提供了轨至轨输出摆幅,并采用具有超级电流增益放大系数的输入晶体管来实现安培级的输入电流。霍尔传感器放大器图1示出了LT6011被用作一个低功率霍尔传感器放大器时的情形。霍尔传感器的磁灵敏度与加在其两端的DC激励电压成比例。当偏置电压为1V时,该霍尔传…  相似文献   
67.
直流反应磁控溅射生长p型ZnO薄膜及其特性的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
  相似文献   
68.
采用超高真空电子束蒸发法制备了新型高 K栅介质-非晶 ZrO2薄膜. X射线光电子能谱 (XPS) 中 Zr3d5/2 和 Zr3d3/2 对应的结合能分别为 182.1eV和 184.3eV, Zr元素的主要存在形式为 Zr4+,说明薄膜由完全氧化的 ZrO2组成 ,并且纵向分布均一.扩展电阻法( SRP)显示 ZrO2薄膜的 电阻率在 108Ω@ cm以上,通过高分辨率透射电镜( HR- XTEM)可以观察 ZrO2/Si界面陡直,没有 界面反应产物 ,证明 600℃快速退火后 ZrO2薄膜是非晶结构.原子力显微镜( AFM)表征了薄膜的 表面粗糙度,所有样品表面都很平整,其中 600℃快速退火样品 (RTA)的 RMS为 0.480nm.  相似文献   
69.
市场推广     
《电子质量》2006,(12):21-22
E+H第四届亚台地区ALN会议在上海召开市场推广;全国应变电测与传感器技术研讨会;施耐德电气在岭澳柱电站二期项目中获得1180万欧元订单;“中航”仪表走俏海外市场;  相似文献   
70.
好像在突然之间,电容式传感器就无处不在了。它被安装在汽车座位里以控制气囊配置和安全带预紧装置,在洗碗机和干燥机中以校正旋转桶的状态,甚至冰箱也使用其来控制自动去冰过程。但是直到现在,它最大的潜在应用领域还是触摸开关,触摸开关已越来越多地出现在消费电子产品中。  相似文献   
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