316L不锈钢双激光选区熔化成形性能研究

为了研究不同的扫描模式对激光选区熔化（SLM）成形质量的影响,采用自主研发的双激光同步扫描激光选区熔化设备,在单激光扫描、双激光低功率同步扫描、双激光高速同步扫描模式下制备了316L不锈钢样件,对比了三种模式下的成形质量,分析了三种模式下飞溅形态、熔池形貌以及样件力学性能的差异。结果表明：采用双激光低功率（110 W）同步扫描时,由反冲压力引起的飞溅增多,熔池尺寸均匀且排列整齐;随着单束激光功率从95 W提升至120 W,样件的致密度从98.91%提升至99.32%;样件的微观组织主要由宽度为0.65～0.75μm的柱状亚晶与等轴亚晶组成。采用双激光高速（2000 mm/s）同步扫描时,熔池深宽发生较大变化,搭接率由单激光扫描时的30%提升至50%以上,柱状亚晶的平均尺寸由单激光扫描时的0.50μm降到0.35μm。两种双激光同步扫描模式下成形样件的力学性能与单激光扫描模式下的相当,致密度达到99%以上,抗拉强度均超过720 MPa,延伸率超过40%。双激光高速同步扫描使得成形效率相较单激光扫描提升了一倍,为大尺寸激光选区熔化设备的扫描策略设计提供了新思路。     

双光束耦合相位共轭振荡器的理论与实验研究

首先提出并构造了一种新型的光折变增益振荡器。在强泵浦条件下建立了它的稳态理论,实验研究了它的稳态输出特性。     

变流量节能系统动态监测及实时调节系统设计分析

为提高变流量节能系统自适应性能和实时调节能力,提出基于双启发式动态规划的变流量节能系统动态监测及实时调节系统设计方法,构建变流量节能动态监测及实时调节控制对象模型,以供水流量及一次侧的供水温度、供水流量为初始约束参量设计系统的控制规则。在此基础上,结合双启发式动态规划模式并采用模糊优化分配控制策略,对系统进行调节和控制,通过线性规划学习方法,实现变流量节能动态监测及实时调节。仿真结果表明,采用该方法进行变流量节能系统动态监测及实时调节的自适应性能较好,各时段流量预测误差曲线波动介于-1.5至1.5之间,且热负荷值与预测热负荷之间相对误差最大值为2.5%,误差较低。     

特殊靶标图像的Otsu自适应双阈值分割法

针对特殊管道弯曲度测量光斑的高精度定位要求,提出了一种特殊靶标图像的Otsu自适应双阈值分割法。介绍了基于准直激光管道弯曲度测量原理,先对特殊靶标图像进行处理,然后对整个图像灰度分布统计特性进行计算,建立起计算自适应双阈值的数学模型,从而实现特殊靶标图像自适应双阈值分割。实验结果表明,该方法具有较强的稳定性、实时性好、靶标图像分割效果较好,提高了光斑的定位精度。     

一种12位50 MSPS流水线逐次逼近A/D转换器

提出了一种两相非交叠时钟双SHA结构的12位50 MSPS流水线逐次逼近A/D转换器。电路在OrCAD/PSpice10.5平台上进行仿真和测试。结果表明,该A/D转换器最高采样速率为50 MSPS。在0.05 MHz和0.10 MHz信号输入下,有效位数分别为11.4位和10.7位;在2.00 MHz和4.00 MHz下,有效位数分别为7.4位和7.1位。给出了A/D转换器的总体结构和模块结构,以及测试波形和动态测试结果。     

一种新的OFDM系统优化脉冲成形方法

通过分析双弥散信道下脉冲成形正交频分复用(OFDM)系统的信干比(SIR)性能,提出了一种新的OFDM系统优化脉冲成形方法.该方法通过对高斯脉冲时宽、带宽与信道时延、多普勒频移进行匹配,使系统的SIR达到最优值.仿真结果表明,该优化高斯脉冲成形OFDM系统的SIR性能优于CP-OFDM系统,在减少符号间干扰(ISI)的同时更好地抑制了频率弥散信道带来的子载波间干扰(ICI),且频率弥散越大,ICI抑制的效果越好.     

基于Actel FPGA的双端口RAM设计

双端口RAM芯片主要应用于高速率、高可靠性、对宴时性要求高的场合,如实现DSP与PCI总线芯片之间的数据交换接口电路等。但普通双端口RAM最大的缺点是在两个CPU发生竞争时,     

电气和电子工程用材料科学

TG111 2010020123双辊连铸薄带温度场模型及其温度分布特性/张琦,于艳,梁高飞,方园(宝山钢铁股份公司技术中心)//上海交通大学学报.―2009,43(9).―1512～1516.建立了从结晶辊熔池到卷取整个过程中的双辊连铸薄带凝固传热模型,利用逆向法反推出了薄带表面与空气间的界面换热系数,通过所建模型     

通用电调谐双二阶电流模式滤波器

提出了一种利用可变电流增益双输出CCⅡ(DOCCⅡ)构成的状态完全可调谐的双二阶电流模式滤波器。滤波器的参数可以通过DOCCⅡ的可变电流增益因子独立调谐。基于一般双二阶滤波器的设计原则,给出了一种通用电调谐电流模式滤波器的设计方法,并推出了低通、高通、带通、带阻和全通二阶传输函数,给出了相应PSPICE仿真的频响结果。     

亚100nm多栅MOSFET的三维模拟

使用三维模拟软件对具有FINFET的多栅结构(主要是双栅和三栅)进行了模拟.对比了双栅和三栅的I-V特性.发现三栅的特性要优于双栅;减小FIN宽度(即两个侧栅之间的距离),双栅和三栅结构特性之间的差距变小.