磁控反应溅射制备氧化锡膜的工艺研究

介绍了磁控反应溅射制备氧化锡膜时，反应气体氧流量对放电参数、薄膜沉积率及沉积膜性能的影响，指出随氧流量的不同，放电分别处于金属溅射，过渡溅射和氧化物溅射三种不同的模式。三咱模式下的放电电压及沉积速率均有较大差别，相应的沉积膜依次具有金属相、金属及氧化物混合相和氧化物相三种不同属性。     

氧化担感湿薄膜的研究

在Ar-O2混合气氛中采用直流磁拉反应溅针沉积制得了氧化担薄膜。文章介绍了沉积薄膜的实验装置与工艺, 叙述了反应溅舫的过程与机理。用AES，XPS和X射线衍射研究了薄膜的成分与结晶结构, 用Ta2O5 薄膜研制成Si-MOS薄膜湿敏器件。测试结果表明, 这种新的湿敏器件具有高的灵敏度和非常快的响应速度。     

金刚石自支撑膜衬底制备AlN薄膜的性能

采用射频磁控反应溅射法在金刚石自支撑膜衬底上沉积了AlN薄膜,XRD结果表明得到了（002）面择优取向的AlN薄膜;AFM的表面形貌结果显示薄膜表面平整,晶粒均匀,表面粗糙度为2.97 nm。XPS分析结果表明,离子剥蚀2.1 nm后Al/N原子百分比接近于1∶1;结合红外透过曲线和纳米力学探针测试,表明AlN薄膜在1500～800 cm-1波段对金刚石膜有约14%的增透作用,其平均硬度为21.5 GPa,平均弹性模量为233.3 GPa。     

磁控溅射电致变色非晶态氧化钨薄膜

利用平面磁控反应溅射在具有透明导电膜的玻璃基片上沉积氧化钨膜层。Ｘ射线衍射分析结果表明，基片在室温状态下得到的膜呈非晶态。以０．２Ｎ浓度的ＨＣｌ为电解液，用电化学方法研究了Ｈ＋注入及抽出后氧化钨膜光学性能的变化及这种变化与膜的制备参数之间的关系。获得了沉积氧化钨膜近于最佳的工艺条件。在纯氧气氛下，溅射功率密度１．２Ｗ／ｃｍ２，溅射气体压强１．３Ｐａ时，制备的非晶态氧化钨膜，在５０次电化学循环后，漂白态与着色态的可见光透射率之差约为０．５７，其电化学循环的变色寿命也长。光电子能谱（ＸＰＳ）分析表明，Ｈ＋注入后着色态膜内出现了Ｗ５＋、Ｗ４＋。对电致变色机理也作了讨论。     

可录CD无机存储介质──AgOx的研究

本文研究了AgOx薄膜的光学性能、分解过程和记录特性．研究表明，在氩气分压为0.67Pa和氧气分压为2.0Pa的条件下，反应溅射制备的AgOx薄膜是非晶态的，在400℃热处理时，完全分解为Ag;本文成功地对AgOx薄膜进行了静态写入实验，AgOx有望成为一种新的CD－R存储介质．     

直流溅射中氮气分量对氮化锆薄膜性质的影响

用直流溅射方法制备氮化锆薄膜,其晶体结构,氮原子组分以及电阻率都与溅射气氛中氮气分量有直接关系。用X射线衍射分析薄膜结构,随氮气分量由5％至30％增加,玻璃衬底上的氮化锗薄膜首先呈(111)和(200)两主要生长取向;然后(200)取向逐渐消失,只有(111)单个优化生长取向;最后,没有衍射峰出现,薄膜趋于无定型结构。     

Si基体上双层Ti—O薄膜的XPS和AES分析研究

采用沉积－离子轰击－沉积工艺制备了双层Ｔｉ－Ｏ薄膜，并利用ＸＰＳ和ＡＥＳ对膜层进行了深度分析。结果发现：在氩离子轰击后的薄膜上再沉积同质薄膜，在膜表层一定厚度内可得到具有化学配比的ＴｉＯ２薄膜；氩离子的轰击使钛太碳氧化物内迁入Ｓｉ基体，而Ｓｉ外迁到膜内，并造成多价形式的Ｔｉ氧化物共存，ＴｉＯ２在这些Ｔｉ氧化物中所占的比例随沉积膜深度呈现先逐渐减少而后又逐渐增大的分布规律；此外，氩离子的轰击使得薄膜     

用反应溅射法制备无衬底的氮化钽薄靶

我们制备无衬底氮化钽薄靶的目的,是为着用核物理背散射实验法研究工业上生产的氮化钽薄膜的钽和氮的组份比,或它们的原子比。 众所周知,阴极溅射就是在真空室中把衬底片置于阳极上,靶材钽片作为阴极。在阳极和阴极间施加直流高压后,阳极和阴极之间便产生辉光放电,使惰性气体氩气电离所产生的正离子去轰击阴极表面,使靶材表面的原子从中逸出而沉积在衬底片表面上。而反应溅射就是在这种阴极溅射的同时,在惰性气体中有意混入一定量的反应性气体来获得反应生成物薄膜。如果使用氮气为反应性气体,那么得到的就是有衬底的氮化钽薄膜。若在衬底片表面上事先喷镀一薄层脱膜剂,如NaCl、CsI、Al、Cu等。把这种反应溅射后生成的氮化钽膜连同衬底片一起放入相应的溶剂或腐蚀剂中。待脱膜剂被溶解或腐蚀后,就得到无衬底的氮化钽薄膜。     

磁控反应溅射氧化镍薄膜电致变色特性的研究

本文介绍了直流磁控反应溅射制备的氧化镍薄膜。研究了所沉积的氧化镍薄膜的电致变色性能、响应速度、开路记忆能力及循环寿命。实验结果表明：氧化镍薄膜初始态透射率和电化学测试方法与条件的选择对其电致变色性能有较大的影响。