采用真空磁控反应溅射和沸水氧化法制备Al2O3增透膜

在玻璃基片上采用金属Al靶在溅射气体Ar和反应气体O2的混合气体中,真空磁控溅射半透明的Al-Al2O3金属陶瓷薄膜,再将沉积薄膜的玻璃基片浸入沸腾的去离子水中氧化,制备成陶瓷增透膜.优化镀膜工艺和沸水氧化时间,在3.2 mm厚的低铁玻璃载片上单面沉积的增透膜的太阳透射比Te由未镀膜原片的90.4％增加到93.9％,提高了3.5％,可见光透射比Tv由91.6％增加到95.5％,提高了3.9％.双面沉积增透膜玻璃载片的Te达到96.2％,增加了5.8％,Tv达到97.2％,增加了5.6％.经过400℃高温持续40 min烘烤后膜层的光学性能基本不变.     

蓝宝石衬底表面SiO2薄膜的应力分析

采用射频磁控反应溅射法分别在Si和蓝宝石衬底上沉积SiO2薄膜.通过改变沉积薄膜的工艺参数,考察反应气体流量比、沉积温度、射频功率等因素对SiO2薄膜内应力的影响.采用压痕裂纹法分析了镀膜前后蓝宝石的表面应力.结果表明:制备SiO2薄膜时,工艺参数影响SiO2薄膜的成分,当O2/Ar流量比值为1.25,衬底温度为300℃,射频功率为100 W时,可以制备出化学计量比的SiO2薄膜,此时薄膜中的内应力较小;制备的SiO2薄膜呈压应力状态,镀SiO2薄膜可以改变蓝宝石的表面应力,蓝宝石的表面应力已由原来的拉应力变为压应力.     

反应溅射条件对WO3薄膜光电性能的影响与探索

使用反应溅射法在FTO导电玻璃基底上制备了附着力强、表面光滑、均匀的WO3光电薄膜,系统地研究了氩气与氧气流量比和溅射功率对该薄膜光电性能的影响。通过XRD、AFM、Mott-Schottky(M-S)分别分析薄膜的物相、形貌、光电性质。光电转化效率(IPCE)测试表明:当氩氧流量比为2和溅射功率250 W时,WO3薄膜的光电性能最好。该薄膜在400 nm波长处的IPCE值高达40%。     

非晶氧化钛薄膜的电学特性研究

室温下,通过采用直流反应磁控溅射法在覆盖有氮化硅薄膜的单晶硅衬底上生长了厚度约为100nm的氧化钛薄膜。掠入射X射线衍射分析结果表明在室温下,不同氧分压下生长的氧化钛薄膜均具有非晶结构。分别采用场发射扫描电子显微镜、X射线光电子能谱对薄膜的表面和断面形貌以及薄膜的组分进行了分析和表征。对薄膜的电学特性测试发现非晶氧化钛薄膜在293～373K的温度范围内主要依靠热激发至扩展态中的电子导电。     

PVD法304不锈钢基体表面（Ti，Cr）N和Ti／TiN涂层的磨损腐蚀行为

当坚硬的氮化物涂层应用在腐蚀性的环境下,磨损现象与腐蚀相伴发生;因此把耐腐蚀性和耐磨损性看成是两个独立的方面,它们的特性就不能代表真实降解过程,这两种现象之间的关联就变得极其重要了。通过实验室设备所做的耐磨损实验,很容易得到其电化学特性,在氯化钠溶液中,对TiN涂层（底层有钛和没有钛）和（Ti,Cr）N涂层做了不同的磨损实验。对实验结果进行了比较,并根据PVD过程的膜层织构和残余应力对不同的行为进行了解释。（Ti,Cr）N有着最佳本征耐腐蚀性的涂层,但在磨损腐蚀过程中的耐蚀层却很薄．很有可能是因为残余应力大于在TiN中的的残余应力．使得基体表面的涂层更脆且不易粘接。TiN/Ti样品在磨损腐蚀下表现最好,这主要是由于钛基体加强了涂层的连接性。由此可见,钛基层是减少TiN层残余应力的有效手段。     

Mo电极上磁控反应溅射AlN薄膜

采用射频反应磁控溅射法在Mo电极上沉积了AlN薄膜.研究了溅射气压、靶基距、溅射功率、衬底温度及N_2含量等不同工艺条件对AlN薄膜择优取向生长的影响.用XRD分析了薄膜的择优取向,用原子力显微镜、高分辨场发射扫描电镜表征了薄膜的形貌.实验结果表明,靶基距和溅射气压的减小,衬底温度及溅射功率的升高有利于AlN(002)晶面的择优取向生长.氮氩比对AlN薄膜择优取向生长影响较小,N_2≥50%(体积分数)时均可制得高c轴择优取向的AlN薄膜.经优化工艺参数制备的AlN柱状晶薄膜适用于体声波谐振滤波器的制备.     

非制冷红外探测器用VO_x薄膜的制备

介绍了一种采用反应溅射工艺 ,通过控制不同气氛的分布制备VOx 薄膜的方法 ,并制备出电阻温度系数 (TCR)优于 - 2 %的非制冷红外探测器用VOx 薄膜。其XPS、XRD分析结果表明 ,薄膜的生长情况与制备工艺条件有密切关系。     

反应溅射制备的a-A12O3薄膜中的时效过程

用反应溅射方法制备了非晶氧化铝薄膜,以Al/a-Al2O3/Al电容器为载体,研究了此种电容器的电容量,随样品放置时间的衰减过程及其影响因素,结论如下：（1）同一样品,高频下测得的电容随样品旋转时间而变小的趋势相对于低频值要缓慢。（2）其它条件相同时,低的工作气压下形成的样品,其电容量不易随时间而改变。（3）真空中的低温热处理有助于改善时效过程。（4）时效的机制可能是样品中亚稳态的缺陷逐渐消失。这些缺陷跟缺氧和吸水没有必然联系,也不太可能是Al2O3/Al的界面缺陷;它们的消失跟电老化也无必然联系。机制之一可能是氧过量引起的铝离子过配位的逐渐消失。     

磁控反应溅射TaN薄膜的结构和性能

采用磁控溅射仪制备了ＴａＮ薄膜,研究了不同氮分压条件下ＴａＮ薄膜的成份、结构和力学性能。结果表明,氮分压在０．２＊１０＾－１Ｐａ时镀层由两相混合物正方的β－Ｔａ和面心立方结构的δ－ＴａＮ组成。而氮分压在０．４＊１０＾－１－０．８＊１０＾－１Ｐａ时,得到单相六方ＴａＮ结构。     

沉积条件对RF反应溅射多晶ZnO薄膜结构的影响

采用ＲＦ反应溅射法在Ｓｉ（１１１）、玻璃衬底上制备了具有良好Ｃ轴承向的多晶ＺｎＯ薄膜。用ＸＲＤ分析了沉积条件（衬底温度、工作气体中的氧与氩气压比和衬底种类）对样品结构的影响,发现（１）薄膜的取向性随着衬底温或高而增强,超过４００℃后薄膜质量开始变差;（２）工作气体中氧与氩气压比（Ｐｏ２／ＰＡｒ）为２：３时,薄膜取向性最好;（３）薄膜晶粒尺寸１１－３４ｎｍ,相同沉积条件下,单晶硅衬底样品（００２）衍