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利用变温Hall测量研究了重掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中二维电子气,发现在量子阱中由于存在电子对称态和反对称态导致纵向电阻出现拍频现象。通过分析拍频节点位置,得到电子对称态和反对称态之间的能级间距为4meV。此外,通过迁移率谱方法和多载流子拟合过程研究了不同迁移率电子的浓度和迁移率随温度的变化关系。 相似文献
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PH值对化学沉积制备CdS薄膜性质的影响 总被引:3,自引:1,他引:2
实验研究了pH值对化学沉积制备CdS薄膜性质的影响。表明:在柠檬酸钠作为络合剂的体系中随着溶液中氨水浓度的提高CdS薄膜会发生相变,从立方相变为六方相,即当氨水浓度为0.31M时,得到立方相的CdS薄膜;而当氨水的浓度大于0.51M时,得到六方相的CdS薄膜。氨水浓度的提高也使得CdS薄膜的形貌有了很大的改善,且制备得到的CdS薄膜从富CA变为富S,但是薄膜仍是n型。氨水浓度对CdS薄膜的光学性质也有很大的影响,随着氨水浓度的提高所得到的CdS薄膜的禁带宽度增大。 相似文献
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立方相GaN的持续光电导 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了金属有机物化学气相外延 (MOVPE)方法生长的非故意掺杂的立方相 Ga N的持续光电导效应 .在六方相 Ga N中普遍认为持续光电导效应与黄光发射有关 ,而实验则显示在立方 Ga N中 ,持续光电导效应与其中的六方相 Ga N夹杂有关系 ,而与黄光发射没有关系 .文中提出 ,立方相 Ga N与其中的六方相 Ga N夹杂之间的势垒引起的空间载流子分离是导致持续光电导现象的物理原因 .通过建立势垒限制复合模型 ,解释了立方相 Ga N的持续光电导现象的物理过程 ,并对光电导衰减过程的动力学作了分析 .对实验数据拟合的结果证明以上的模型和推导是与实验相符的 . 相似文献
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