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排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 234 毫秒
21.
22.
一、公开漏洞情况根据国家信息安全漏洞库(CNNVD)统计,2020年1月份新增安全漏洞共1321个,从厂商分布来看,Oracle公司产品的漏洞数量最多,共发布205个;从漏洞类型来看,跨站脚本类的漏洞占比最大,达到14.61%。本月新增漏洞中,超危漏洞136个,相应修复率分别为69.85%、74.84%、77.72%以及85.41%。合计1006个漏洞已有修复补丁发布,本月整体修复率76.15%。截至2020年1月31日,CNNVD采集漏洞总量已达139143个。  相似文献   
23.
付东纪  丁亮  邢磊 《节能》2020,39(6):75-77
从糖化车间蒸汽疏水系统产生汽水冲击的原因着手进行理论、现状分析,通过并咨询斯派莎克专家,提出安装APT疏水阀组、改善漏气率、增加疏水管径和制作冷凝水喷射器等方案。通过实施改善,最终有效降低汽水冲击频次,同时也大幅降低了设备故障率,实现了节能降耗目标。  相似文献   
24.
赵冠南  李正豪 《热力发电》2020,49(12):114-119
不确定性因素存在于火电机组负荷分配中,影响机组负荷分配、节能环保目标。本文综合考虑负荷预测不确定性、机组煤耗率不确定性与其CO2排放系数不确定性,分别构建火电机组一次能源消耗成本与CO2排放量最小目标下的火电机组负荷优化分配模型;以此为基础,引入析因分析方差分解方法,量化多源不确定性因素单独与交互作用下对节能、环保目标的影响程度。结果表明:负荷预测不确定性对火电机组节能、环保目标影响最为显著,相对影响程度分别为51.13%、62.70%;机组煤耗特性及其CO2排放系数影响次之,相对影响程度分别为47.58%、34.95%。此研究结果对不确定性条件下电力系统负荷分配具有借鉴价值。  相似文献   
25.
26.
对5种活性焦水洗再生前后的脱硫性能进行实验研究,通过比表面积(BET)、X射线光电子能谱(XPS)方法表征水洗再生工艺对活性焦孔隙结构和表面化学性质的影响,揭示影响活性焦水洗再生性能的关键因素。结果表明:活性焦脱硫硫容的大小和水洗再生率的高低没有直接关系;微孔比表面积较大的活性焦脱硫性能较好,中大孔孔容较大的活性焦水洗再生率较高,同时具备较大的微孔比表面积和中大孔孔容结构的活性焦适宜水洗再生工艺;活性焦表面极性含氧官能团含量越高水洗再生效果越好;活性焦AC5经过6次水洗再生循环,微孔中的硫酸经过多次累积后可以被水洗出,稳定再生率保持在45%~50%,最适用于活性焦水洗再生工艺。  相似文献   
27.
以推动电力行业发展为前提,针对远程抄表数据采集完整率进行了分析,其次阐述了2点影响因素,提出了针对性的解决建议,最后围绕构建自动抄表系统,从制定方案、技术规范优化、通过勘查完善工作方案、组织专业培训、选择质量高的机械设备5个方面展开论述,明确保证远程抄表数据采集完整性的有效方法。  相似文献   
28.
张菽浪 《特钢技术》2006,11(1):13-13
攀西地区蕴藏着丰富的钒钛磁铁矿,但到目前为止,矿石中所含的钛资源利用率十分低下,从原矿到钛精矿的钛收得率仅为7%左右。原矿中约有50%的钛进入了攀钢特有的高钛型高炉渣中,其TiO2含量为20—26%,已堆存的高炉渣中约有1300多万吨TiO2,且每年新增至少60万吨TiO2。这种高钛型高炉渣作为提钛原料其含钛量太低,如何有效提取或利用其中宝贵的钛资源是一个难度极大且非常重要的课题。本文对过去所做过的提钛技术研究进行了全面回顾,探讨了一些关键问题,以期明确今后提钛研究的方向和工作重点。  相似文献   
29.
为使异构分层无线网络能服务更多的移动用户,提出了一种基于逗留时间的动态流量均衡算法.该算法首先根据用户移动模型计算其在小区内的逗留时间,然后基于小区呼叫到达率和重叠覆盖小区的流量状态来确定一个周期内呼叫转移的数量,最后依据逗留时间门限值将重负载小区中满足条件的呼叫转移到轻负载的重叠覆盖小区中.为降低切换呼叫掉线率,还对异构网间的呼叫切换策略做了改进.仿真实验结果表明,本算法在新呼叫阻塞率和切换呼叫掉线率等性能指标上比传统方法有显著的提高.  相似文献   
30.
ZnO基薄膜晶体管的研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
ZnO是一种宽带隙的光电半导体材料,能应用于很多领域,如可用在压敏变阻器、声表面波器件、气敏元件、紫外光探测等。ZnO也可以作为有源层应用于薄膜晶体管(TFT)中。ZnO基薄膜晶体管具有以下突出优势:对于可见光部分平均具有80%以上的透射率,迁移率可以高达36cm2/V·s,开/关电流比大于106,可在较低温度(甚至室温)下制备。基于这些优点,ZnOTFT具有取代有源矩阵液晶显示器中常规a-SiTFT的趋势。同时对ZnOTFT的研究也推动了透明电子学的发展。本文阐述了ZnOTFT优越的电学性能,指出了其目前尚存在的不足,并对其发展前景进行了展望。  相似文献   
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