首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   24697篇
  免费   2037篇
  国内免费   2095篇
电工技术   1487篇
技术理论   1篇
综合类   2425篇
化学工业   2911篇
金属工艺   1169篇
机械仪表   1122篇
建筑科学   2185篇
矿业工程   1064篇
能源动力   416篇
轻工业   1449篇
水利工程   836篇
石油天然气   2006篇
武器工业   340篇
无线电   2769篇
一般工业技术   2361篇
冶金工业   807篇
原子能技术   727篇
自动化技术   4754篇
  2024年   280篇
  2023年   802篇
  2022年   1084篇
  2021年   1176篇
  2020年   952篇
  2019年   924篇
  2018年   566篇
  2017年   771篇
  2016年   858篇
  2015年   906篇
  2014年   1589篇
  2013年   1355篇
  2012年   1517篇
  2011年   1529篇
  2010年   1422篇
  2009年   1456篇
  2008年   1688篇
  2007年   1363篇
  2006年   1145篇
  2005年   1127篇
  2004年   1026篇
  2003年   798篇
  2002年   623篇
  2001年   592篇
  2000年   381篇
  1999年   377篇
  1998年   375篇
  1997年   349篇
  1996年   328篇
  1995年   275篇
  1994年   250篇
  1993年   198篇
  1992年   208篇
  1991年   142篇
  1990年   139篇
  1989年   159篇
  1988年   26篇
  1987年   17篇
  1986年   15篇
  1985年   10篇
  1984年   7篇
  1983年   5篇
  1982年   2篇
  1981年   6篇
  1980年   1篇
  1979年   2篇
  1976年   1篇
  1959年   3篇
  1951年   4篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
41.
42.
定量电子晶体学硼对Ni3Al的电荷密度分布的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
朱静 《材料研究学报》1997,11(6):639-648
阐述了定量电子晶体学测定晶体电荷密度分布的基本原理和方法,不足之处和改善途径。以硼对Ni3Al的电荷密度分布的影响为实例,介绍了定量电子晶体学在研究晶体电子结构方面的应用前景。  相似文献   
43.
目前,我国各省市电视台使用较多的3/4英寸U型机,即V0系列或BVU系列机种,由于声像质量不高,价格较贵,特别是采用3/4英寸磁带,机器体积大,操作不方便、记录密度又低,已不能满足要求。随着广播电视技术的发展,电视应用领域日益扩大,迫切需要一种具有优良的声像质量、操作方便、价格便宜的高性能录像机。S-VHS磁带录像机正是在这种形势下,为了在专业等领域取代3/4英寸U型机而研制成功的。  相似文献   
44.
45.
本文用不同模型研究了原子核的库仑能。研究结果表明,核的库仑能的交换项的常用公式要乘上一个校正系数。新得到的公式的准确率可达百分之一以上。  相似文献   
46.
利用声体波反射效应的液体密度声传感器   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了一种新型的液体密度声传感器,其结构为压电基片-液体层-各向同性固体板。在特定取向压电基片的背离液体层的表面上有两个叉指换能器,选择恰当的叉指换能器激励频率,可得到较强的声体波响应。叉指换能器激励的声体波在传感器对应的层状结构中来回反射,液体层密度的变化,将从输出叉指换能器的相位或群延时中得到反映。实验结果表明,对于蒸馏水溶液,当其密度相对变化为10-6时能予以分辨。  相似文献   
47.
48.
49.
50.
本文采用胶体-超临界流体干燥法合成CaO稳定化ZrO2纳米粉体,并对粉体的烧结性能进行研究。研究结果表明,该法合成的粉体具有粒径小、粒径分布范围窄、比表面积大等特点;将粉体作为ZrO2基陶瓷起始粉料,具有很高的烧结活性,可以有效地降低烧结温度,缩短烧结时间。此外,粉体中稳定剂的含量会很大程度上影响其性能。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号