铜粉/环氧树脂导电胶的研制

以硅烷偶联剂(KH-550)改性的微细Cu(铜)粉为导电填料、环氧树脂(EP)为基体树脂、乙二胺为固化剂和无水乙醇为溶剂,制备了改性Cu粉/EP导电胶。研究结果表明:不同Cu粉掺量不会改变Cu粉/EP导电胶的基本结构;纯EP导电胶和改性Cu粉/EP导电胶的表面均比较光滑(无气泡),并且结构规整、固化良好;改性Cu粉/EP导电胶的电导率随Cu粉掺量增加而增大,导电性能增强;当w(KH-550改性Cu粉)=50%(相对于EP质量而言)时,改性Cu粉/EP导电胶的导电性能良好。     

低成本铜 -石墨烯复合导电胶的性能研究

以环氧树脂和超支化环氧树脂共混物作为基体,低相对分子质量改性聚酰胺作为固化剂,树枝状和球状混合铜粉为主要导电填料,石墨烯作为填充导电填料,制备出导电性、粘接性、耐老化性优异的导电胶。研究结果表明：超支化树脂质量分数 30%,环氧基和活泼氢物质的量比为 1,添加 70%铜粉（其中树枝状铜粉质量分数为 70%）添加 0. 5%石墨烯,导电胶的粘接强度最大（13. 5 MPa）、体积电阻率最低（ 1. 88×10^-4 Ω·cm）。在温度 85 ℃、相对湿度 85%环境老化 1 000 h后,导电胶的导电性能及附着力降低均在 10%以内,稳定性较好。综合来看,石墨烯的加入不仅优化恒定,了铜导电胶的性能,还极大优化了导电胶的表面效果。     

原位法制备不同形貌纳米银导电胶

采用原位一步法制备导电胶,通过改变实验工艺条件,研究了聚乙烯吡咯烷酮含量、超声分散时间、微波加热时间对导电胶性能的影响。通过TEM对产物形貌进行表征,并分析了不同条件对纳米银形貌的影响。当PVP为0.2 g、超声分散时间8 min、微波加热时间6 min时,制备的纳米银的尺寸4均一,导电胶的体积电阻率可达到3.56×10Ω·cm,可替代传统的锡铅焊料。     

导电胶的研究进展

目的 综述电子封装中用于代替锡铅焊料的导电胶的研究进展,对导电胶未来研究方向进行展望,为导电胶的应用提供参考。方法 从导电胶的组成、导电机理、类型入手,重点介绍导电胶应用时的关键性能要求与测试方法,并总结近几年在提高导电性、稳定性及降低固化温度、成本等方面的研究进展。结果 对导电胶中基体树脂进行改性并选择合适的导电填料(形状、组成),可改善导电胶的固化条件,并提高导电胶的导电性能、黏结性能、耐久性,满足苛刻应用环境下对器件连接高可靠性的要求。结论 相比传统铅锡焊料焊接的方式,导电胶具有绿色环保、连接温度低、分辨率高等特点。因此导电胶适用于电子封装与智能包装领域。目前导电胶的研究方向主要为提高导电性、黏结强度以及黏结稳定性。但是在面对固化时间长、耐湿热性弱、成本较高等缺点时,仍需不断优化组成,以满足实际应用要求。     

电子封装用导电胶的研究现状及展望

导电胶在电子封装领域虽受到广泛关注,但由于导电胶性能的一些限制,仍不能完全用导电胶代替焊料。这主要与导电胶的可靠性有关,例如不稳定的接触电阻、有限的抗冲击性、低附着力和导电性。本文介绍了导电胶的分类、各类导电填料以及导电胶可靠性的研究现状,旨在阐述导电胶的综合性能,展望未来导电胶的发展趋势。     

各向异性导电胶用新型导电复合粒子的制备

采用无钯活化的化学镀的方法成功地制备出外镀银/铜/环氧树脂新型导电复合粒子,并对导电复合粒子进行了光学显微镜、SEM和EDS分析.结果表明:制备的导电微粒密度小,具有良好的导电性能,可以满足各向异性导电胶应用需求.     

环境对各向异性导电胶膜性能参数的影响

各向异性导电胶膜(ACF)的玻璃转化温度T_g是它的一个重要性能参数,用差示扫描热示计(DSC)分别测定商用各向异性导电胶膜固化前和固化后的玻璃转化温度,并确定不同的固化时间对它的玻璃转化温度的影响,以及高温高湿(85℃,85%RH)环境对它的玻璃转化温度影响,得到各向异性导电胶玻璃转化温度下降是其粘接强度下降的原因之一。     

填充碳纳米管各向同性导电胶的性能

制备了以碳纳米管(CNTs) 和镀银碳纳米管(SCCNTs) 为导电填料的各向同性导电胶, 研究了它们的电学性能、力学性能及抗老化性能, 并与传统的以微米量级的银粒子作为导电填料的导电胶的性能进行比较。研究发现: CNTs 作为导电填料时, 在填料体积分数为31 %时出现体积电阻率的最低值2. 4 ×10-3Ω·cm; 在填料体积分数为23 %时导电胶表现出最好的抗剪切性能。在填料体积分数同为28 %时, 填充SCCNTs 导电胶具有最低的体积电阻率2. 2 ×10-4Ω·cm; 填充CNTs 和SCCNTs 显示出比填充微米量级银粒子导电胶高的抗剪切强度(19. 6 MPa) 。在85 ℃、RH 85 %环境下经过1000h 老化测试结果表明: 填充SCCNTs 或CNTs 导电胶体积电阻率的变化和剪切强度的变化均不超过10 %; 而填充微米量级银粒子导电胶在老化后体积电阻率的变化和抗剪切强度的变化分别达到350 %和120 %。      

填充银纳米线各向同性导电胶的性能

以Ti (OC₄H₉)₄ 水解形成的溶胶体系为模板, 以AgNO₃ 为银纳米线的前驱体, 低温下合成长径比为50～60 的银纳米线, 采用TEM 和XRD 对所制得的银纳米线进行表征。以银纳米线作为导电胶的导电填料, 成功制备了一种高电导率的各向同性导电胶。导电胶的电学性能和力学性能测试表明: 这种导电胶在导电填料含量为56 wt %时的电导率比填充75 wt %微米银粒子的导电胶高约6 倍(体积电阻率为1. 2 ×10-4Ω·cm) 。由于填料含量的降低, 该导电胶的抗剪切强度(以Al 为基板时的抗剪切强度为17. 6 MPa) 相比于填充75 wt %微米银粒子和75 wt %纳米银粒子导电胶均有不同程度的提高。      

CLD-20结构型导电胶的研制及应用

介绍了ＣＬＤ－２０结构型导电胶的研制及应用过程;该导电胶具有高强度,高导电率及良好的工艺性等优点。