镀银石墨/有机硅导电胶的耐热性能研究

以镀银石墨粉作为导电填料,环氧树脂(EP)改性有机硅树脂作为基料,制备镀银石墨/有机硅导电胶,并对导电胶的高温导电性能、耐热老化性能和热稳定性能进行了分析。研究结果表明:当老化时间为160 h、老化温度≤180℃时,导电胶的体积电阻率变化不大,剪切强度仍相对较高,说明导电胶可在此温度范围内较长时间使用。     

专利介绍

<正>高温可修复导电胶CN103 666 316(2014-03-26)。该导电胶(以质量分数计)由环氧树脂100%、片状银粉700%、固化剂30%、固化促进剂15%、聚甲基丙烯酸酯微粉[平均粒径≤6μm,玻璃化转变温度(Tg)<156℃]20%、熔点为156℃左右的铟粉2%和偶联剂15%等组成。与现有技术相比,该导电胶以聚甲基丙烯酸酯微粉和铟粉替代了现有自修复型导电胶中所用的微胶     

双氰胺固化型导电胶性能优化及作用机理研究

针对双氰胺固化型环氧导电胶体积电阻率大等缺点,调查了不同结构短链有机二元酸对其导电性能的改善效果。发现在所调查的五种短链二元酸中,己二酸不仅可以改善导电胶的导电性能,同时能提高导电胶的力学性能。采用己二酸对银粉进行表面处理,通过热重、XPS、DSC等分析测试发现,己二酸不仅可有效去除银粉表面硬脂酸,同时其中一个羧酸官能团在银粉表面形成己二酸盐,其另一官能团在导电胶加热固化过程中参与固化反应,进而在银粉与环氧树脂之间形成偶联,从而提高导电胶的导电和力学性能。     

利用置换化学镀制备微米尺度覆银铜粉

目的 开发新型的置换化学镀方法,制备微米尺寸的覆银铜粉,进一步开展覆银铜粉在导电胶中的应用研究.方法 通过改变置换反应的时间,分别得到10～60℃内银的覆载量的变化曲线,通过拟合表面反应动力学方程,得到该反应在不同温度下的速率常数.对所获得的材料开展XRD、SEM等的表征,并利用该材料开展了导电胶的应用研究.结果 通过拟合Arrhenius方程,确定了该置换反应的活化能为4.1×104 J/mol.利用形貌表征和20％的HNO3溶液浸泡处理,结果证实,经过3 h的置换反应,铜粉可以完全被银层覆盖.通过热重分析可知,覆银层可以显著提高材料的抗氧化性,且随着置换反应温度的提高,抗氧化性也进一步增强.将40℃条件下制备的覆银铜粉与环氧树脂制成55％的导电胶,测试了样品的热稳定性,结果表明,经过40 h的烘烤,电阻稳定在0.8?以内,随后电阻有小幅上升,但在65 h以后,电阻稳定在2?以内,不再发生变化.结论 利用置换化学镀获得的覆银铜粉具有良好的导电性和抗氧化能力.该方法简单可靠,具有较高的产业化前景,有利于对大规模工业化生产的指导.     

石膏表面电刷镀镍工艺

介绍了石膏表面电刷镀镍的工艺.石膏样品用环氧树脂封闭处理后,涂刷铜导电胶使其表面金属化,在10~14 V电刷镀镍,随后用高整平镍刷镀液在12~16 V第二次电刷镀镍,可以得到结晶细致的光亮镍镀层,测试了所得镀层的附着力、硬度及厚度.     

还原纳米石墨/聚氨酯导电胶的制备与性能研究

利用异氰酸酯与多元醇在不同的反应条件下制取三种性能不同的聚氨酯(PU)预聚体(PUⅠ、PUⅡ和PUⅢ),然后分别与还原纳米石墨(RNG)、三羟甲基丙烷(TMP)混合制备三种RNG/PU导电胶(RNG/PUⅠ、RNG/PUⅡ和RNG/PUⅢ)。运用多种检测手段对导电胶的导电性能、力学性能和热稳定性能进行了分析。结果表明:随着RNG质量分数的增加,三种导电胶的导电性能均增强,其导电逾渗阀值分别为10.0%、16.7%和20.0%;导电胶的拉伸剪切强度随RNG质量分数的增加呈先升后降的趋势,当w(RNG)=20%时导电胶的拉伸剪切强度为1.37～4.40MPa;RNG的加入使导电胶的热稳定性能明显提高。     

RFID标签用导电胶封装材料的研究进展

RFID是一种利用射频通信实现的非接触式自动识别技术,具有条形码所不具备的防水、防磁、耐高温、使用寿命长、读取距离大、标签上数据可以加密、存储数据容量更大、存储信息更改自如等优点,正在成为全球热门的新科技。本文主要介绍RFID封装的胶粘剂——导电胶粘剂。分别就导电胶粘剂的分类、组成、导电机理和在RFID实际封装中的设备、环境因素、热冲击性对互连可靠性的影响以及其在封装RFID芯片或天线上的应用进行综述介绍。     

用于金属—陶瓷粘接的无机导电胶

本文介绍了一种用于金属－陶瓷粘接的无机导电胶。试验表明：这种粘接剂具有良好的耐高温、密封及导电性能，可满足某装置电极的特殊要求。     

各向异性导电胶倒装封装电子标签的可靠性

各向异性导电胶(ACA)广泛用于RFID电子标签芯片封装,具有芯片对位方便、热压温度低和工艺时间短的优点.但ACA互连本质上是机械接触,其互连可靠性强烈依赖于粘接界面性质、胶水粘接力及环境稳定性.本文试验表明,168 h高温高湿和D20 mm心轴弯曲对芯片粘接点的电接触性能有所影响;铜模组良品率显著高于铝天线Inlay.