基于氧化锌的紫外探测器研究进展北大核心

氧化锌(ZnO)是一种天然的宽禁带半导体材料,其理论上的禁带宽度为3.37 eV,近年来已经成为制备紫外探测器件的热门材料之一。然而,由于ZnO材料的本征缺陷,直接制备的紫外探测器件总是存在响应率低、暗电流大、响应速度慢等问题。为了获得更好的紫外探测性能,各种可行的器件改善和修饰方法被提出。文章从元素掺杂、表面修饰和异质结构造等三个方面评述了提升ZnO紫外探测器件性能的典型方法,分析了这些方法存在的问题,并展望了未来高性能紫外探测器的发展方向。     

行业进入成本是否影响中国工业企业生产率——基于中国微观企业的经验研究

企业生产效率是经济管理领域的核心话题,但对生产效率差异问题的研究却一直少有探讨。基于Melitz的异质企业模型,建立行业进入成本与生产效率的理论模型,证明行业进入成本减少了竞争,进而可能导致该行业生产效率较低。选用中国29个行业1999-2009年的企业微观数据进行实证研究,估计结果也证实了进入成本与企业效率的负相关关系,进入成本是导致企业生产率异质的一个重要原因;此外工资水平、出口规模和研发投入也显著影响了企业效率。     

低温常压下废弃混凝土的固化再利用研究

采用水热固化技术,可将废弃混凝土在100℃低温、常压的条件下固化成抗折强度约为18 MPa的一种新型建筑材料.实验表明,NaOH溶液的浓度及添加量、Ca (OH)2添加量、固化时间等因素对固化体强度均有重要影响.样品强度提高的主要因素是水化硅酸钙凝胶(C-S-H)的生成.该技术可为工业化连续性处理废弃混凝土提供了参考.     

CdSe／ZnSe异质结势垒的费米能量及其温度效应

采用量物理的方法，计算了CdSe/ZnSe异质结势垒的费米能量，并给出了费米能量随温度的变化关系。     

FeMn-MOF/CN异质结光芬顿催化剂制备及性能研究

通过一种简便的原位负载策略制备了铁锰双金属有机骨架/氮化碳异质结光芬顿催化剂FeMn-MOF/CN,并利用X射线衍射（XRD）、红外光谱（FT-IR）、扫描电镜（SEM）、光致发光（PL）光谱等测试手段对催化剂的组成、结构及光电化学性质进行了表征。以降解高浓度左氧氟沙星（LEV,100 mg/L）为模型反应评价了催化剂的光芬顿反应性能,并提出了可能的光芬顿反应机理。由于光催化和芬顿反应之间的协同作用,5%FeMn-MOF/CN（FeMn-MOF与CN的质量比为5%）异质结表现出优异的光芬顿反应性能,在40 min内对LEV的移除率达到98.8%。基于原位合成的策略,FeMn-MOF和CN之间形成了紧密的异质结界面,不但极大地提高了光生载流子的分离和传递效率,而且显著地促进了Fe（Ⅲ）/Fe（Ⅱ）和Mn（Ⅲ）/Mn（Ⅱ）的循环。该工作为高效光芬顿催化材料的设计和制备提供了新思路。     

国外GaN功率器件衬底材料和外延技术研发现状

GaN基功率器件的衬底和外延技术的发展对于器件性能的提升和成本的降低起着非常重要的作用.介绍了国外SiC基、Si基以及新型金刚石基GaN功率器件衬底材料和GaN外延技术的研发现状.重点讨论了大尺寸衬底技术(6英寸SiC衬底、8英寸Si衬底)、GaN HEMT与Si CMOS器件异质集成技术以及金刚石基GaN HEMT材料集成技术的研发进展.分析了GaN功率器件材料技术的发展趋势,认为更大尺寸更高质量衬底和外延材料制作、外延技术的改进、金刚石等新型衬底材料研发以及GaN基材料与Si材料的异质集成技术等将是未来研究的重点.     

异质信息网络分析及其语义探索

由多种类型的实体和关系构成的异质信息网络逐渐成为社会网络分析的研究热点.作为异质信息网络的一个独特属性,元路径包含了丰富的语义信息.实际生活中的许多网络都包含带权值的链接,这使得不考虑链接上权值的传统元路径不能精确地捕捉网络中的语义信息.基于此,描述了异质信息网络的相关概念,并对异质信息网络的应用进行了简要介绍.通过将传统元路径扩展为带权元路径,更精确地描述了带权值的异质信息网络中微妙的语义信息.通过在两个真实数据集上进行实验,说明了带权元路径在推荐、相关性搜索中的应用效果.     

5.8～6.2GHz高效率InGaP/GaAs HBT J类功率放大器

介绍了一个工作在5.8~6.2GHz的高效率磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管(InGaP/GaAs HBT)功率放大器。设计了具有良好带宽性能的J类输出匹配网络,并通过InGaP/GaAs HBT单片微波集成电路(MMIC)技术和射频基板封装技术得以实现。在5.8~6.2GHz的频率范围内,用连续波(CW)信号测试放大器得到的1dB压缩点输出功率都大于31dBm,饱和输出功率都大于32dBm、最大的附加功率效率(PAE)都大于56%。     

应用于WLAN InGaP/GaAs HBT线性功率放大器

设计了一款基于2μm InGaP/GaAs HBT工艺的移动通信用高线性功率放大器,应用于移动终端WLAN 802.11b/g/n 2.4~2.5GHz。整个放大器芯片由三级放大电路构成,芯片面积为1.9mm×1.7mm。在VCC=Vbias=+5V、VReg=VPdown=+2.85V双电源供电条件下,测试频点为2.45GHz时,线性增益为35dB,1dB压缩点处输出功率为34.5dBm,此时效率为37.5%。输出功率为27dBm时,EVM(误差矢量幅度)值小于3%(输入信号为WLAN 802.11g 64QAM 54 Mb/s),可以满足WLAN应用对线性度的需求。