传真机常见故障分析和检修

故障现象1:复印、发送文件中有一条或几条竖黑线分析处理:采用线状电耦合器件(CCD)的机器一般为反射镜头上有脏物;采用接触式图像传感器(CIS)的机器是其透光玻璃上有脏物。出现这种情况用棉球或软布蘸酒精擦清洁即可。     

三维物体表面形状检测技术的深入研究

本文对三维检测技术做了简要的介绍,给出了迈克耳逊干涉仪、电子散斑干涉法（ESPI/DSPI）、三角检测法的检测原理,同时对三维轮廓检测技术做了深入的研究。     

校园多媒体课堂门禁设计

采用MIFARE完成IC读卡器射频天线相关的设计,提出具体射频天线和对应匹配电路的设计要求,以达到无接触式读卡通信的最佳性能.对射频卡的数据结构,数据传输的方式,相关的时序,典型电路的设计参数,匹配电路,电磁兼容性电路,数据安全性与完整性,门禁控制方式等进行了详尽地探讨,并给出了一个根据射频天线接口电路理论和无接触读卡通信协议设计出校园多媒体课堂的门禁系统.非接触式高频射频卡用于门禁系统,克服了传统门禁功能单一,升级困难,保密性差的缺点,是各类门禁系统的发展方向.     

恩智浦为非常快的数据线推出最小的静电保护器件

Toshiba Electronics Europe（TEE）推出很多微型数字输出磁传感器,结合了高级别灵敏度和低功耗工作。TCS10XXX系列在非接触式开关应用中非常理想,包括家用电器、数码相机以及手机的开／关传感。     

用于SiC MOSFET开关电压测量的非接触式电场耦合电压传感器EI北大核心CSCD

准确测量碳化硅(silicon carbide,SiC)金属–氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)开关电压是评估SiC MOSFET开关特性、计算开关损耗、优化变换器设计的关键。随着SiC MOSFET开关速度、耐压及功率密度的提升,开关电压测量难的问题逐渐凸显,因此对电压传感器的带宽、耐压和侵入性提出了新的要求。该文以SiC MOSFET的开关电压为研究对象,根据目前开关电压的测量需求,提出一种利用电场耦合原理测量开关电压的非接触式电压传感器,并设计混合积分电路对传感器输出信号进行电压重构。在此基础上,通过仿真和计算着重分析电场耦合电压传感器的结构和电路参数的设计依据。传感器带宽范围为5Hz~260MHz,量程为-1000~+1000V,输入电容约为0.73pF,最后利用双脉冲测试,将其与商用示波器探头的测量结果进行对比,验证电场耦合电压传感器的准确性。     

基于激光自混合干涉调频信号的位移测量实验

激光自混合干涉在高精度测量领域发挥着越来越重要的作用,微位移测量已应用于大型土木结构、航空航天、健康监测等。传统测量以调幅信号为主,但随着噪声加强,测量误差越来越大,甚至难以测量。为此,采用马赫-曾德尔干涉仪,实现了调幅/调频信号转换。针对大噪声环境下的调频信号,利用多次希尔伯特变换进行相位解卷,实现了原始信号的重构。数值仿真结果证明了该方法的有效性,在10 dB白噪声环境中,系统的信噪比为10.0614 dB,估计误差为0.0614 dB。实验结果表明,微位移重构的误差在100 nm以内,且调频信号的信噪比远高于调幅信号。该方法适用于超精密测量,且在大噪声环境下仍具有较高的信噪比。     

玻璃波导有效折射率的原位测量（特邀）

飞秒激光直写玻璃波导是快速制备三维集成光子芯片的一种重要手段,波导有效折射率的准确测量对于设计光子器件意义重大。设计并制备了一种断臂马赫-曾德尔干涉仪（MZI）结构对玻璃波导有效折射率进行原位精密测量。激光在断线区域和波导内的有效折射率不同,在传输相同长度下产生一定的相位差,最终导致不同的干涉结果。对断臂MZI结构的相位干涉结果进行处理,得到激光直写玻璃波导的有效折射率为1.504+7.7×10?4。利用RSOFT软件光束传播算法对器件进行模拟仿真,仿真结果与实验吻合良好。该精确测量玻璃波导有效折射率的方法对于提升光子芯片设计与制造能力具有重要意义。     

迈克尔逊干涉仪在相位相干成像测量系统中的应用

传统4f相位相干成像测量技术中,利用相位物体使测量材料产生的相位变化转换为可直接观察的振幅变化,实现材料光学非线性折射率的测量。然而相位物体的厚度是固定不变的,相位延迟会随激光波长的改变而改变,测量中需要更换合适的相位物体。理论分析了不同激光波长对相位物体相移大小的影响,详细讨论了不同形状光束下相位物体的半径和相移的大小对4f相位相干成像系统灵敏度的影响。利用了迈克尔逊干涉仪中两束光的相位延迟替代传统相位物体的功能,实现了一种相位可调的相位物体。因为迈克尔逊干涉仪两束光的相位延迟连续可调,使得在不同形状光束及不同波长激光下的测量灵敏度达到最优。该方法进一步完善了4f相位相干成像测量技术,不仅解决了传统相位物体的不足,而且提高了系统测量的精度。     

n型单晶硅片的电阻率和扩散方阻对IBC太阳电池电性能的影响

叉指背接触式(IBC)太阳电池因正面没有金属栅线遮挡,具有较高的短路电流,且组件外观更加美观。但由于IBC太阳电池正负电极在背面交叉式分布,在制备过程中需要采用光刻掩模技术进行隔离,难以实现大规模生产。采用Quokka软件仿真模拟了电阻率和扩散方阻对n型IBC太阳电池效率的影响,并对不同电阻率和扩散方阻的电池片进行了实验验证,从n型单晶硅片电阻率的选择和扩散工艺优化方面为IBC太阳电池的规模化生产提供了理论基础。实验结果表明,电阻率为3~5Ω·cm、扩散方阻为70Ω/时,小批量生产的IBC太阳电池平均光电转换效率可达23.73%,开路电压为693 mV,短路电流密度为42.44 mA/cm²,填充因子为80.69%。     

PG15-J4型激光平面干涉仪的数字化改造

本文研究对中国科学院上海光学精密机械研究所生产的PG15-J4型激光平面干涉仪进行数字化改造,通过加装CCD相机,将干涉图像采集到计算机中,然后对采集到的图像进行滤波、细化等处理,并按照JJG 28—2000《平晶检定规程》对图像处理后得到的条纹进行计算,得到被测平晶的平面度。经实验验证,改造后的干涉仪满足了对?150mm以下的一、二级平晶的检定要求,适用于计量部门对平晶进行检定。