浅谈离子膜法电解整流装置的配置

离子膜电槽由于膜的特性和面积,电槽的结构,单元数量及组合方式等不同,其设计电流密度和运行直流电流亦不同。因此,在生产规模一定的条件下,槽型不同,电解回路数以及运行直流电压,直流电流各不相同。与此相关的整流装置参数也不相同。离子膜电槽总体上可分成单极式和复     

TiO_2压敏陶瓷晶粒半导化

本文主要研究 TiO_2陶瓷晶粒半导化的途径及晶粒电阻率的测试方法。实验结果表明,通过掺入Nb_2O_5施主杂质可以有效地降低晶粒电阻率,并使 TiO_2系陶瓷具有良好的压敏特性。     

Ge/Pd/n-GaAs低阻欧姆接触的SIMS分析

采用Ge／Pd／GaAs结构和快速热退火在n－GaAs上形成了低阻欧姆接触。利用H次离子质谱（SIMS）技术揭示和讨论了低欧姆接触形成的机理。比较了采用X 和CsX 信号检测的Ge，Pd，Ga和As的深度分布。结果表明采用CSX 可以提供更准确的结果和成分信息。     

a—Si：H磷掺杂固相效率和相关分配系数

证明了分配系数ｄ是气相浓度Ｘｐ（ｇ）的解析函数，其系数由ａ－Ｓｉ：Ｈ生长期间界面上固／气相平衡反应常数决定。ｄ这种性质致磷掺杂固相效率可藉助Ｘｐ（ｇ）进行解析计算。     

固溶体的精细结构和有关新材料的开发

固溶体的精细结构及对材料物理、化学性质的影响是固态化学领域里的一个新课题。以Ｂｉ２Ｏ３为主的二元金属氧化物固溶体为例，阐述了其中精细结构的形成及其对材料性质的影响的影响，讨论了几种新材料的开发前景。     

δ掺杂样品中空穴态的新行为

用有效质量理论研究了δ掺杂势中电子和空穴的行为。发现能量接近于δ势垒峰的空穴穿越势垒时能产生一系列谐振态。这些状态中的空穴波函数汇聚在势垒峰周围而同量子限制在势阱中的电子波函数交叠,产生光跃迁。用MBE生长的δ掺杂样品进行光调制光谱测量,发现明显的带间跃迁峰。测得的光谱峰同理论计算的能级相吻合,证实了δ势垒中空穴的新行为。     

微波等离子体源在钢表面氮化中的应用

对微波等离子体源和常规等离子体源进行了对比，分析了微波等离子体源应用于离子氮化的优越性，报道了微波等离子体在钢表面氮化中的应用．     

电子型／离子型导电高分子共混物

用苯胺在酸性水溶液中的进行化学氧化聚合合成了能溶于Ｎ－甲基吡咯烷酮的高分子量聚苯胺（ＰＡｎ），并用这种ＰＡｎ与一种高分子固态离子导体－－聚乙二醇聚醚氨酯脲（ＰＥＵＵ）和ＬｉＣｌＯ４的复合物（ＰＥＵＵ－ＬｉＣｌＯ４）进行溶液共混制得了具有电子型／离子型两种导电功能的新型高分子共混物。用差示扫描量热法、动态粘弹仪、应力－应变试验、四探针法和交流阻抗谱对这种高分子共混物进行研究。实验结果表明，上述ＰＡｎ     

激光相变硬化对离子渗氮层的影响

采用ＸＰＳ研究了３５ＣｒＭｏ钢离子氮化加激光相变硬化复合处理后不同层深处氮的变化。结果指出，复合工艺可在表层获得更深的氧氮化物层，含氮层的深度也将加大，并且与原渗氮层相比可在更深的位置得到氮化物层。