磁增强反应离子刻蚀系统中的发射光谱诊断技术

利用发射光谱诊断技术研究了磁增强反应离子刻蚀系统中ＣＦ４＋Ｏ２的辐射谱、谱线成分及强度，分析了谱线强度与射频福射功率、氧气含量的关系，并与没有磁场存在时的情况作了比较。     

ZnO陶瓷材料的负阻特性

介绍了ＺｎＯ陶瓷的负阻特性，主要研究了ＭｎＯ２掺杂和Ｎｉ２Ｏ３掺杂对ＺｎＯ陶瓷负阻特性的影响。     

二苯并-18-冠-6的合成条件的优化

通过改变溶剂的极性、离子性、离去基团的活性及反应温度等方法,对传统的Pedersen冠醚合成法进行了优化,使目标产物的最高产率达到71%以上.产物通过IR、1H NMR及元素分析等方法进行结构表征.     

A Ray-Tracing Analysis of ICRH in Tokamaks

Power deposition profiles generated by Ion Cyclotron Resonance Heating （ICRH） in non-circular tokamaks are studied using a ray-tracing technique. The simulation results for the Experimental Advanced Superconductor Tokamak （EAST） D-shaped plasma are presented. It is indicated that the spatial distributions of plasma parameters （plasma density, species temperature, minority ion concentration, etc.） have an significant influence on the power deposition profiles. The findings may be highly useful to the planned plasma heating and experiments in EAST.     

Mg基贮氢合金性能的改进

Ag掺杂的机械合金化Mg2Ni粉末吸氢性能的改进 贮氢合金可划分为AB型、AB2、A2B和AB5型四大类，在为数众多的合金之中以A2B型Mg2Ni金属间化物具有最高的吸氢能力（吸氢容量高达3．6％（质量）），作为贮氢材料是很有发展前途的。但是它的低吸氢／脱氢速度而限制了它的实际应用。机械合金化能够成功地制备金属氢化物，对原料进行机械研磨不仅能使其粒度减小并且能引入缺陷浓度和增加新鲜表面，从而改进吸氢性能。在机械合金化过程中添加Al、Ti、Zr等元素产生晶格应变也可改进合金的贮氢性能。     

刻蚀电子线路板废液制取混凝剂研究

电子工业刻蚀电子线路板广泛使用氯化铁溶液 ,其排出液中含有大量铜、镍离子 ,采用铁粉还原的方法能有效地去除镍离子 ,处理后的溶液符合饮用水混凝剂要求 ,可作为水处理混凝剂使用 ,为该类废液提供了综合利用的方法。     

飞行时间二次离子质谱--强有力的表面、界面和薄膜分析手段

二次离子质谱（Secondary ion mass spectrometry，简称SIMS）是一种对表面灵敏的质谱技术，建立在表面各种类型带正、负电荷原子或分子发射的基础上。用飞行时间（Time of flight，简称TOF）仪器对这些二次离子进行质量分析，能确保并行质量登录、高质量范围、高流通率下的高分辨和精确质量测定这些优异性能。配合细聚焦扫描一次离子束，可在优于1nm的高深度分辨和优于50nm的横向分辨本领下，实现对表面优于单层ppm(百万分之一）量级的极高检测灵敏度。当今TOF－SIMS已发展为一种成熟且完善的表面分析技术。极高的灵敏度，再加上即使对大分子及不易挥发性分子都独具的敏感性，使它成为很多高技术领域不可缺少的分析手段，这些领域包括微电子学、化学和材料科学以至纳米技术和生命科学等。本文简述了TOF－SIMS的原理、仪器及其多方面的应用和展望。     

0.1微米以下晶体管对传统概念的挑战

晶体管在集成电路中占据着中心的位置,在“开”、“闭”两种状态下都要消耗能量:开路时,电流从源极流向漏极;闭路时,栅极和沟道之间存在的电荷泄漏同样也会形成电流。对较大尺寸(1微米)的晶体管来说,这种静态电流只占到整体能耗的0.01％,而在0.1微米以下的晶体管中,这种电流造成的能耗已占全部能耗的10％。对便携设备来讲,不但要有更小的设计尺度,消费者还要求电池能用更长的时间。     

ZnO压敏陶瓷最佳掺杂含量的理论计算

从对电子薄膜材料研究中得到的最佳掺杂含量定量理论推广到ZnO陶瓷材料。该理论建立了电子薄膜材料的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系，给出了一个能够拟合实验曲线的具有确定物理意义的抛物线方程。该方程的极值点确定了最佳掺杂含量与晶体结构和制备方法之间的定量关系，进而得到了一个掺杂最佳含量的表达式。系统地分析了ZnO压敏陶瓷的掺杂改性的实验结果，应用此表达式定量计算了ZnO压敏陶瓷的最佳掺杂含量，定量计算的结果与实验数据相符合。该理论也适用于其他薄膜材料最佳掺杂含量的理论计算。