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利用SIMS和变温霍尔测量手段对P型Hg0.77Gd0.23Te液相外延材料的Ag掺杂技术、机理及掺杂碲镉汞材料的性能进行了研究。结果表明采用AgNO3溶液直接浸泡方式对该材料进行掺Ag是成功的,掺杂浓度与被掺杂材料中的汞空位浓度是一致的,掺杂后,P型碲镉汞材料的受主能级比掺杂前有明显的减小,从实验结果可看到掺Ag碲镉汞材料的电学性能在室温下保持稳定。 相似文献
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ZnO压敏陶瓷最佳掺杂含量的理论计算 总被引:3,自引:0,他引:3
从对电子薄膜材料研究中得到的最佳掺杂含量定量理论推广到ZnO陶瓷材料。该理论建立了电子薄膜材料的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系,给出了一个能够拟合实验曲线的具有确定物理意义的抛物线方程。该方程的极值点确定了最佳掺杂含量与晶体结构和制备方法之间的定量关系,进而得到了一个掺杂最佳含量的表达式。系统地分析了ZnO压敏陶瓷的掺杂改性的实验结果,应用此表达式定量计算了ZnO压敏陶瓷的最佳掺杂含量,定量计算的结果与实验数据相符合。该理论也适用于其他薄膜材料最佳掺杂含量的理论计算。 相似文献
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36.
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The Gd substituting effects for La in La0.67Ca0.33MnO3 has been studied .With increasing the substituting amount of Gd,the phase transition temperature of metal-isolator for the samples decreases,the corresponding peak resistivity increases,the Curie temperature decreases monotonically.The substitution of La-Ca-Mn-O with 11% Gd for La improved the magnetoresistance ratio by an order of magnitude.The effects of substituting Gd can be explained in terms of the lattice effects.An irreversible MR behaviour was observed in Gd-substituting compounds.This effect became marked when the substituting amount of Gd was greater than 7%.A maximum irreversible increment of MR ratio as large as 91% was obtained when Gd substituting amount was 11%. 相似文献
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采用溶胶-凝胶法制备具有介孔结构的降硫基质材料,选择具有降硫选择性的活性元素对合成的基质材料进行改性处理,考察不同的改性方法对制得的催化裂化原位降硫助剂性能的影响,并对基质材料和降硫助剂的结构进行表征。采用美国进口的ACE-R小型催化裂化评价装置将降硫助剂与催化裂化催化剂匹配进行性能评价,在不改变原催化裂化产品分布和产品性质的同时,降低原料的总硫含量,总硫降低可达40%以上。 相似文献
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利用变温Hall测量研究了重掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中二维电子气,发现在量子阱中由于存在电子对称态和反对称态导致纵向电阻出现拍频现象。通过分析拍频节点位置,得到电子对称态和反对称态之间的能级间距为4meV。此外,通过迁移率谱方法和多载流子拟合过程研究了不同迁移率电子的浓度和迁移率随温度的变化关系。 相似文献
40.
静压下ZnS:Te中Te等电子陷阱的发光 总被引:2,自引:2,他引:0
研究了4块ZnS:Te薄膜样品(Te组分从0.5%到3.1%)的光致发光谱在常压下的温度特性.对于Te组分较小的2块样品观察到2个发光峰,分别来自Te1和Te2等电子陷阱;而对Te组分较大的2块样品则只观察到1个来自Te2等电子陷阱的发光.我们还研究了这些发光峰在低温1.5K下的流体静压压力行为.观察到与Te1有关的发光峰压力系数比ZnS带边的要大很多,而与Te2有关的发光峰压力系数则比带边小.根据Koster-Slater模型,价带态密度半宽随压力的增加是Te1中心有较大压力系数的主要原因,而Te1和Te2中心的不同压力行为则是由于压力对两者缺陷势增强的不同效果引起的. 相似文献