氧化锌薄膜的p型掺杂研究现状

ZnO薄膜作为一种多用途的光电材料，一直受到国内外学术界的广泛关注。为了开发ZnO短波长光电器件，首要解决的关键问题是氧化锌的P型掺杂。综述了目前国际上常用的氧化锌P型掺杂方法，对不同方法制备的P型ZnO薄膜的性能进行了分析比较。     

中空Mn_(0.4-x)Mg_xZn_(0.6)Fe_2O_4(x=0.0,0.2)铁氧体纤维的制备和磁性能

以柠檬酸和金属盐为原料.采用有机凝胶-热分解法成功制备出了具有中空结构的Mn0.4-xMgxZn0.6Fe2O4(x=0.0,0.2)铁氧体纤维.通过 XRD、SEM和VSM对目标纤维进行了表征,并初步研究了纤维中空结构的形成机制以及Mg2+掺杂对Mn-Zn铁氧体纤维的结构、微观形貌和磁性能的影响.结果表明,所得纤维样品都为单一的立方尖晶石结构,直径在0.5-3 μm之间,长径比较大,纤维表面都较为光滑、致密.Mg2+掺杂改善了纤维的微观结构和磁性能,与未掺杂的Mn-Zn铁氧体相比.20 mol%Mg2+掺杂的Mn-Mg-Zn铁氧体纤维的晶格常数、晶粒尺寸、饱和磁化强度和矫顽力都有不同程度的提高.     

铁氮共掺杂纳米TiO2的水热法制备及其在可见光下抗菌性能的研究

以硫酸氧钛为前驱体，硝酸铁和盐酸胍作为掺杂的铁源和氮源，采用水热法制备了铁氮共掺杂纳米TiO2粉体。利用XRD、BET对样品进行表征，研究了掺杂后TiO2粉体的晶型、粒径、比表面积等性能。结果表明，所制备的共掺杂TiO2粉体呈黄色，均为锐钛矿相TiO2，经谢尔公式计算其粒径约为10nm，比表面积分布为（135～150）m^2／g。采用紫外．可见光漫反射光谱对样品进行表征，结果表明经过铁氮共掺杂改性后的TiO2具有很强的紫外线的吸收能力，并实现了良好的可见光响应。采用菌落计数法进行了样品抗菌性能的研究，在可见光照射下样品对大肠杆菌表现出良好的杀灭性能。     

铜掺杂对(Na0.5K0.5)NbO3无铅压电陶瓷性能的影响

采用传统固相反应法对(Na0.5K0.5)NbO3压电陶瓷进行铜掺杂改性研究。使用SEM、XRD并结合常规压电陶瓷性能测试手段对该体系的显微结构、压电性能等进行表征。研究结果表明:CuO的掺入使材料出现“硬化”现象,即材料的压电系数d33、平面机电耦合系数Kp和介电损耗tanδ下降了,机械品质因子Qm大大提高;CuO掺入量在1%mol时各项性能最佳。另外,从SEM图片中可以看出:(Na0.5K0.5)NbO3压电陶瓷材料的平均晶粒尺寸随着CuO掺入量的增加明显变大。这表明CuO有烧结助熔作用,能降低烧成温度。     

用于液晶背光源的双层掺杂白光OLED

制备了一种双层掺杂的白光有机电致发光器件(OLED),其中BAlq:TBPe掺杂层发蓝光,Zn(BTZ)2:Rubrene掺杂层发橙色光.器件在驱动电压5 V时就能发出白光,且在驱动电压5～15 V内色坐标变化较小,均在白光色域区,在15 V时亮度达到8 572 cd/m2,在电流密度50 mA/cm2时量子效率最高达到0.9%.对该白光OLED的发光和电学性能以及发光机理进行了深入的研究和探讨,进而制备了应用于液晶显示(LCD)背光源的近白光OLED,有效面积达到3 cm×3 cm,在10 V时平均亮度达到～1 300 cd/m2,发光亮度均匀性为90%,色度均匀性较好,很好地符合了LCD对背光源的要求.     

Mg掺杂AlGaN的特性研究

采用金属有机物化学气相淀积方法在Al2O3衬底上生长不同浓度Mg掺杂的AlxGa1-xN合金薄膜,并在750℃、N2气氛下对Mg进行热退火激活。用X射线衍射ω-2θ扫描计算确定样品的Al组分,发现Mg摩尔掺杂浓度和退火对Al组分均未产生明显影响。X射线衍射摇摆曲线与原子力显微镜扫描表明随Mg摩尔掺杂浓度增加,样品晶体质量下降,样品表面凹坑增加,但热退火对薄膜表面形貌有明显的改善。阴极射线发光测量发现带边峰强度随掺杂浓度增加而减弱,退火后样品的施主-受主对复合发射与导带受主的复合发射均有增强,验证了热退火对钝化受主杂质的激活作用,对实现高效AlGaN的p型掺杂具有重要意义。     

氮掺杂TiO_2纳米管阵列的制备研究

采用阳极氧化法制备了孔径为60～80 nm,壁厚约为20～30 nm的高有序TiO2纳米管阵列,并通过氨气氛下退火处理对TiO2纳米管进行N掺杂.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、喇曼光谱(Raman)及X射线光电子能谱(XPS)对得到的薄膜进行表征.SEM结果显示,经掺N后样品仍呈纳米管阵列的有序结构.XRD和Raman光谱研究表明,经过阳极氧化并在NH3气氛中500℃退火30min的纳米管阵列为锐钛矿与金红石晶型共存的TiO2,且N的引入促进了TiO2纳米管在低温下由锐钛矿相向金红石相的转变.N掺杂样品XPS中出现了结合能位于399.7 eV的N1s峰,该峰来源于TiO2的间隙N杂质原子,显示此方法在TiO2纳米管中实现了有效的N掺杂.     

掺锑钨酸铅晶体性能的测量

钨酸铅晶体是新一代对撞机谱仪ＣＭＳ的电磁量能器的主体。为达到所要求的测量精度,对晶体的各项性能提出了很高的要求。本文主要介绍了对几块全尺寸（２３ｃｍ长）掺锑钨酸铅晶体荧光性能和抗辐照能力的评估和测量方法,并给出了测量结果。     

White light emission from Dy3+-doped LiLuF4 single crystal grown by Bridgman method

Lithium lutetium fluoride （LiLuF4） single crystals doped with different Dy3＋ ion concentrations were grown by Bridgman method. The Judd-Ofelt （J-O） strength parameters （Ω2, Ω4, Ω6） of Dy3＋ in LiLuF4 crystal are calculated according to the measured absorption spectra and the J-O theory, by which the asymmetry of the Dy3＋：LiLuF4 single crystal and the possibility of attaining stimulated emission from 4F9/2 level are analyzed. The capability of the Dy3＋：LiLuF4 crystal in generating white light by simultaneous blue and yellow emissions under excitation with ultra- violet light is produced. The effects of excitation wavelength and doping concentration on chromaticity coordinates and photoluminescence intensity are also investigated. Favorable CIE coordinates, x=0.319 3 and y=0.349 3, can be obtained for Dy3＋ ion in 2.701% molar doping concentration under excitation of 350 nm.