基于微型焊球的高密度叠层自适应封装技术

为了有效解决Ka频段信号在多层高密度叠层基板之间传输处理过程中的电气互联瓶颈问题,通过采用微型焊球在层间实现信号的垂直互联和支撑连接的方法,同时实现高密度叠层自适应封装,完成了一个高密度集成的小型化毫米波SIP低传输损耗模块的制作。对工作在Ka频段基于微型焊球的高密度叠层自适应封装的设计、制造工艺过程进行了深入研究,开拓了高密度叠层自适应封装微型焊球塌陷率精准控制工艺,基于微型焊球垂直互联以及电磁隔离的设计、SIW滤波器内埋、高密度多层基板焊接工艺等。     

应用于便携设备的BAW滤波器技术开发现状与展望

将手机无线收发功能块集成于一个LSI中——即所谓的“单芯片手机”。由于这种技术可使封装面积非常小，因此可以很容易地嵌入到各种数字家电产品中，从而使数字家电产品可以直接与公共网络无线连接，进行数字内容的下载等各种服务。     

基于UML的OOAD测试技术中几点问题的分析与研究

面向对象的开发技术有力的推进了软件产业的迅速发展。面向对象软件的独有特性,如抽象、继承、封装、多态等,使得传统的软件测试技术不能直接应用于面向对象的软件测试,从而形成一种新兴的软件测试技术——面向对象的测试技术。本文主要分析了面向对象软件测试中存在的几点问题及应对策略。     

KSrPO_4:Eu~(3+)红色发光材料的制备及性能研究

采用高温固相合成工艺制备了KSrPO4:x Eu3+红色发光材料,通过X射线衍射、荧光光谱、量子效率仪、封装对发光材料的晶体结构及发光特性进行了研究。XRD表明KSrPO4晶体结构并没有随着Eu3+的掺入而发生变化;荧光光谱表明KSrPO4:Eu3+在394 nm处存在最强激发峰,发射光谱最强发射峰为612nm;量子效率研究表明随着Eu3+掺杂量的增加,量子效率先增后降,在Eu3+掺杂量x=0.04时,量子效率存在最大值51%;封装光源的显色指数为83,色温3497 K,并且随着电流的变化色坐标(X,Y)基本保持不变,因此,KSrPO4:Eu3+红色发光材料作为近紫外激发的红色发光材料具有一定的潜力。     

日本BGA／CSP用基板材料的发展

一、BGA/CSP用基板材料的兴起和发展 近几年来,随着日本电子产品向着薄轻小型化的发展,BGA、CSP、MCM等半导体封装的市场迅速扩大。BGA、CSP、MCM-L,所用的有机树脂印制电路基板,用量也在迅速增长。据1998年5月日本印制电路工业协会(JPCA)公布的“对1997年日本超小型高速安装电路的市场予测”,日本到2002年,BGA基板(含PGA、LGA)的市场规模(以销售额计)将会达到约600亿日元;CSP基板达到约940亿日元,MCM基板将由1997的1亿1000万块,发展到3亿块,且销售额将达300～400亿日元的程度。     

微电子组件封装和封接技术的分析和最新进展

本文比较分析了集成电路,混合微电路和多芯片组件用的封装和封接方法,探讨最佳气密封装和高成品率熔焊以及其它传统的封接方法和焊料封接,玻璃封接和塑料封接,并着重强调了所用的材料和工艺方法,也简述了新出现的技术以及用于具体应用要求中的正确技术和材料的选择。     

积层(Build-up)封装工艺的发展及其设计挑战(1)

回顾了自1988年以来的逐次积层(SBU)层压基板的发展过程。文中报告了IBM自2000年采用的这种工艺的开发过程。这些层压基板是一种非均匀性结构,有3部分组成:芯板,积层和表面层,每一部分都是为满足封装应用的需求而开发。薄膜工艺极大提高了SBU层压基板的绕线能力,同时也使得这种工艺非常适合高性能设计。本文着重阐述了IBM在将该工艺用于ASIC和微处理器封装时,在设计、制造和可靠性测试等各个阶段所遇到的挑战。     

印制电路组件用高导热有机硅灌封料的研究

将自蔓延方法制备的氮化铝粉体加入到有机硅树脂中,制备出导热性能优良的印制电路组件用高导热有机硅灌封材料,并详细介绍了该灌封料的灌封工艺过程。     

环氧树脂/氧化铝复合材料的制备及导热模型

采用浇注成型法制备了环氧树脂/氧化铝复合材料,研究了氧化铝含量对所制复合材料导热、介电以及力学性能的影响.结果显示:当氧化铝含量小于体积分数0.3时,所制复合材料导热系数与Maxwell方程的计算值比较吻合,而混联模型更适合于预测氧化铝含量较高时的导热系数;该复合材料的介电常数随着氧化铝含量的增加而增加,弯曲强度随氧化...