蜡油罐罐底板点蚀原因分析及防护对策

中国中部某炼化企业在对7号蜡油罐区的常压储罐进行清罐检修时经常发现罐底存在严重的点蚀穿孔现象,为详细掌握蜡油罐罐底板发生点蚀穿孔的原因,以G704蜡油罐罐底板腐蚀为例,分析了造成储罐罐底板发生点蚀穿孔的机理及原因,并提出了具体的防护对策,以提高储罐的安全运行水平。     

多级降压收集极中次级电子的研究

效率与电子回流率是考核多级降压收集极的重要指标,而多级降压收集极中次级电子的存在对效率和电子回流率有重要影响.因此,对次级电子的研究有重要意义.本文探讨了次级电子发射的物理原型,并根据其编制了相应的CAD程序, 在对多级降压收集极的试算中,取得了较好的效果.     

U-Pb定年锆石标准~(176)Hf/~(177)Hf比值的多接收器电感耦合等离子体质谱测定

利用MicromassIsoprobe型多接收器电感耦合等离子体质谱(MCICPMS)测定UPb定年国际锆石标准91500、Temora和本实验室锆石工作标准样We1的176Hf/177Hf比值。对添加Zr的室内Hf标准溶液HfGIG的模拟实验表明:Zr/Hf≤120时,Zr对Isoprobe型MCICPMS的Hf同位素比值测定值没有明显的影响,所以锆石Hf分离纯化流程采用改进的高温高压氢氟酸溶解和其后的一个离子交换分离流程实现,整个流程Hf的回收率高于90%。176Hf/177Hf比值测定采用JMC475Hf标准溶液(176Hf/177Hf=0.282160)进行外部校正并监控仪器漂移。标准样91500、Temora和We1平均的176Hf/177Hf比值测定结果分别为(0.282310±0.000034)、(0.282706±0.000020)和(0.281534±0.000009)。上述每个结果包括至少7组独立的锆石样品的溶解、分离和测定,表明标准样91500、Temora和We1是Hf同位素组成均一的。本实验结果对于激光熔蚀多接收器电感耦合等离子体质谱(LAMCICPMS)锆石原位176Hf/177Hf比值测定校正方法的检验具有重要意义。     

精细导线印制板图像转移工艺研究与实践

如何改进细导线印制板图像转移工艺,以便生产出高品质的PCB产品,PCB生产者面对的一个难题。通过多次实践操作与试验以及理论分析,主要解决了三个技术问题;材料的选择;图像转移的过程控制;湿处理工艺参数的确定。     

长脉冲激光辐照单晶硅的热损伤

为探究毫秒脉冲激光辐照单晶硅的热损伤规律和机理,利用高精度点温仪和光谱反演系统对毫秒脉冲激光辐照单晶硅的温度进行测量。分析温度演化过程,研究毫秒脉冲激光对单晶硅热损伤全过程的温度状态和对应的损伤结构形态。研究表明:脉冲宽度固定时,激光诱导的单晶硅的峰值温度随能量密度的增加而增加;当脉冲宽度在1.5~3.0 ms之间时,温度随脉冲宽度的增加而降减小。温度上升曲线在熔点(1 687 K)附近时出现拐点,反射系数由0.33增加为0.72。在气化和凝固阶段,出现气化和固化平台期。单晶硅热致解理损伤先于热致熔蚀损伤,在低能量密度激光作用条件下,应力损伤占主导地位,而在大能量密度条件下,热损伤效应占主导地位。损伤深度与能量密度成正比,随脉冲个数增加迅速增加。     

外腔式双波长喇曼激光器的耦合波理论

为了对基于喇曼晶体的主要喇曼频移模和次级喇曼频移模的外腔式双波长喇曼激光器进行理论分析,采用光场的波动方程和喇曼晶体中振动波的阻尼谐振子波方程推导出了描述基频光、喇曼光1和喇曼光2的耦合波方程组,通过引入归一化参量对耦合波方程组进行了归一化,并数值分析了输出镜反射率和归一化参量对外腔式双波长喇曼激光器性能的影响。结果表明,选择对主要频移模反射率小于0.5且对次级频移模反射率大于0.5的输出镜、两个喇曼振动模的增益系数相差不大的喇曼晶体,适当提高入射基频光的脉冲宽度可以提高次级喇曼频移模的转化效率,可实现有效双波长运转。所提出的归一化耦合波理论可以作为分析外腔式双波长喇曼激光器的辅助工具。     

(112)B碲锌镉衬底表面Everson腐蚀坑与材料缺陷的关系

通过研究碲锌镉衬底(112)B面缺陷腐蚀坑和(111)B面缺陷腐蚀坑之间的关系,揭示了(112)B面腐蚀坑与材料缺陷之间的关系.结果显示,Everson腐蚀剂在碲锌镉材料(112)B面上揭示的棒状腐蚀坑起源于材料中的体缺陷,或由延伸缺陷腐蚀坑在缺陷终止后演变而成,三种典型形状的锥形腐蚀坑分别来自延伸方向为<110>、<...     

阻挡层CMP中表面活性剂对抛光效果的影响

研究了阻挡层在化学机械抛光过程中表面活性剂的作用。利用5种活性剂体积分数不同的抛光液对3英寸(1英寸=2.54 cm)Cu/Ta/SiO2光片进行抛光。通过抛光前后质量变化可得各晶圆片的抛光速率,再对12英寸布线晶圆片进行抛光,利用台阶仪测量抛光前后碟形坑大小的变化,最后利用原子力显微镜对抛光后布线晶圆片的表面形貌进行测试。研究表明抛光液中活性剂体积分数不同会引起抛光速率的变化,也会影响碟形坑的修正效果。当抛光液中活性剂体积分数达到2.0%时,修正值达到85.6 nm/min,优于其他活性剂体积分数时的修正值。另外,活性剂体积分数的增加有助于降低抛光后晶圆表面的粗糙度。活性剂体积分数小于3.0%时,粗糙度随着活性剂体积分数的增加而降低。这一发现可以对配制抛光液时活性剂体积分数的确定起到一定的参考作用。     

Ge(211)衬底上分子束外延CdTe薄膜

采用分子束外延在3英寸Ge(211)衬底上生长了10 μm厚的CdTe(211)B薄膜.CdTe表面镜面光亮,3英寸范围厚度平均值9.72 μm,偏差0.3 μm;薄膜晶体质量通过X射线双晶迴摆曲线进行评价,FWHM平均值80.23 arcsec,偏差3.03 arcsec; EPD平均值为4.5×106cm-2.通过研究CdTe薄膜厚度与FWHM和EPD的关系,得到CdTe的理想厚度为8～9 μm.     

光致诱蚀无显影气相光刻（DFVP）作用机理及其应用

大功率半导体器件是机电一体化不可缺少的基础元件，光致诱蚀无显影气相ＤＦＶＰ光刻具有分辨高、钍孔密度低、光刻流程短、设备简单、经济上节约等优点。因此将ＤＦＶＰ运用于晶闸管器件的生产具有重要的意义。研究的技术关键是要解决厚ＳｉＯ２层的刻蚀、刻蚀的曝光量及速度问题。本课题对ＤＦＶＰ机理作了进一步研究，从而研究了两种新的光致诱蚀剂；已大大缩短曝光时间（约１分钟），并能刻蚀含杂质镓且厚达１．４μｍ的ＳｉＯ２