半连续铸锭缺陷及其预防措施（9）

3.3 金属化合物一次晶偏析在锰、铁、镍、钛、钒含量较高的变形铝合金中,当化学成分和工艺因素控制不当时,铸锭中可能出现含有这些元素的金属化合物一次晶偏析.3.3.1 组织特征及其本性在铸锭低培试片上发现的金属化合物一次晶偏析,呈黑褐色边界整齐的块状、条状和点状,在断口上也呈块状、针状或点状,但颜色发亮;具有金属光泽(图77).这种金属化     

苏北盆地油源判别指标研究

苏北盆地有上白垩统泰州组二段、古新统阜宁组二段、四段3套油源,母岩干酪根性质和地质环境十分接近,通过一般的地球化学指标很难彻底区分它们,为此因地制宜采用了多参数联合图版以及正烷烃分布、原生甾烷分布、三芳甾系列、二甲基咔唑系列等指标,使3套油源达到有效区分。值得提出的是,用于运移研究的二甲基咔唑系列分布在同源油之间也表现出惊人的稳定性,并且提供出进一步细分油源的指纹信息。      

水电站引水明渠中的波浪现象

水电站引水明渠中的波浪现象的发生是由于水力发电按日负荷曲线工作,和偶然的负荷突然卸除以及其他原因而引起的。文章阐述了波浪现象产生的基本关系。     

利用电阻场板提高SOI-LIGBT的性能

通过在SOI-LIGBT中引入电阻场板和一个p-MOSFET结构,IGBT的性能得以大幅提高.p-MOSFET的栅信号由电阻场板分压得到.在IGBT关断过程中,p-MOSFET将被开启,作为阳极短路结构起作用,从而使漂移区的过剩载流子迅速消失,IGBT快速关断.而且由于电场受到电阻场板的影响,使得过剩载流子能沿着一个更宽的通道流过漂移区,几乎消去了普通SOI-LIGBT由于衬偏造成的关断的第二阶段.这两个因素使得新结构的关断时间大大减少.在IGBT的开启状态,由于p-MOSFET不导通,因此器件的开启特性几乎与普通器件一致.模拟结果表明,新结构至少能增加25%的耐压,减少65%的关断时间.     

消除非合金奥贝球铁中锰偏析的工艺

研究了消除非合金奥贝球铁中锰[w(Mn)=0.8%]偏析和不利影响的工艺措施。通过增加硅含量，强化孕育处理，降低奥氏体化温度及等温淬火后进行回火处理等措施，均可消除锰含量增高对组织和性能的不利影响。