精制氯化铵的生产方法与技术简介

简述精制氯化铵的7种生产方法，除杂质的技术措施，根据用户对产品质量的不同需求档次，选择适宜的生产方法和技术，达到优势，低耗的目标。     

高纯硼烷中杂质的低温气相色谱分析

用低温色谱法解决硼烷的分解问题，使硼烷中氢的分析成为可能，该法又能消除硼烷和四硼烷（B4H10)对氧、氮和甲烷峰测定的干扰，此方法的建立使硼烷的标准制定成为可能。     

一种分析烟草中作物保护剂的新方法

研究出分析烟草中作物保护剂 (CropProtectionAgent,缩写为CPA)的新方法。研究的目的是 :①大幅度提高实验室处理样品的数量 ;②需要时 ,可将该法扩大到其它CPA的分析。因此 ,根据 2种主要原则确定一种新的分析方法 ,即样品准备的自动化和采用串联质谱仪对样品进行选择性检测。本研究采用加速溶剂萃取 (AcceleratedSolventExtraction ,缩写为ASE)技术从物料 (样品 )中萃取出分析物 ,即以丙酮作溶剂 ,在高温高压 (一般为 10 0℃和 15 0MPa)下萃取烟草样品 ,得到的萃取物用Vortex蒸发仪进行浓缩 ,而后 ,再根据待分析有效成分 (A .I.)的化学性质 ,选用不同的固相萃取 (SPE)方法对浓缩物进行萃取 ,得到了 3种测试样品。前 2种样品用毛细管气相色谱仪 /串联质谱仪分别在正、负离子模式下进行分析 ,测定了大部分A .I.,如有机氯类、有机磷酯类、2 ,6 -二硝基苯胺类和酰基丙氨酸类 ,用装有荧光检测器的高效液相色谱仪分析N -甲基氨基甲酸酯类。讨论了本法的效率及未来对其它作物保护剂分析的潜力。     

高质量ZnO薄膜的退火性质研究

在LP－MOCVD中，我们利用Zn(C2H5)2作Zn源，CO2作氧源，在（0002）蓝宝石衬底上成功制备出皮c轴取向高度一致的ZnO薄膜，并对其进行500℃-800℃四个不同温度的退火。利用XRD、吸收谱、光致发光谱和AFM等手段研究了退火对ZnO晶体质量和光学性质的影响。退火后，（0002）ZnO的XRD衍射峰强度显著增强，c轴晶格常数变小，同时（0002）ZnOX射红衍射峰半高宽不断减小表明晶粒逐渐增大，这与AFM观察结果较一致。由透射谱拟合得到的光学带隙退火后变小，PL谱的带边发射则加强，并出现红移，蓝带发光被有效抑制，表明ZnO薄膜的质量得到提高。     

气相沉积制备硬质薄膜技术与应用述评

本对气相沉积技术的发展与最新趋势给出了述评，重点强调了等离子体辅助化学气相沉积（PCVD）的优势，进展及其在工模具领域的应用。     

碳/碳复合材料CVI工艺中热解碳形成机理的研究

对碳碳复合材料CVI或（CVD）工艺中热碳组织的类型，沉积机理等研究情况进行了简要的综述，并对其进一步研究提出了相应观点。     

分子束外延生长3英寸HgCdTe晶片

报道了用分子束外延的方法制备3英寸HgCdTe薄膜的研究结果,获得的HgCdTe外延材料均匀性良好,在直径70mm圆内,组份标准偏差率为1.2%,对应80K截止波长偏差仅为0.1μm.经过生长条件的改进,表面形貌获得了大幅度改善,缺陷密刃∮00cm-2,缺陷尺寸小于10μm,可以满足大规模HgCdTe焦平面列阵的应用需求.抖     

生长温度对等离子体增强化学气相沉积生长ZnO薄膜质量的影响

以Zn(C2 H5) 2 和CO2 为反应源 ,在低温下用等离子体增强化学气相沉积方法 ,在Si衬底上外延生长了高质量的ZnO薄膜。用X射线衍射谱和光致发光谱研究了衬底温度对ZnO薄膜质量的影响。X射线衍射结果表明 ,在生长温度为2 3 0℃时制备出了高质量 ( 0 0 0 2 )择优取向的ZnO薄膜 ,其半高宽为 0 2 6°。光致发光谱显示出强的紫外自由激子发射与微弱的与氧空位相关的深缺陷发光 ,表明获得了接近化学配比的ZnO薄膜