ATO/CaSO4复合导电粉制备的研究

复合导电粉具有良好的导电性、稳定性和分散性,广泛用于防静电、电磁屏蔽等诸多领域.采用共沉淀法在硫酸钙晶须表面包覆一层ATO来制备ATO/CaSO4复合导电粉,并研究制备条件对导电粉电阻率的影响.结果表明,最佳制备条件为:Sb/Sn摩尔比1∶10,硫酸钙晶须浓度7.5％,水解温度35℃,水解pH6,煅烧温度650℃,煅烧时间2h.     

掺Rh对纳米SnO2的气敏性能的影响

以无机试剂为前驱物,采用溶胶—凝胶法合成了纳米级 SnO_2,以此为基材掺入不同量 Rh 作为气敏材料制成气敏元件。测试了它们的阻温特性和气敏性能。通过比较它们对还原性气体的灵敏度和选择性,讨论了掺入 Rh 催化剂对纳米 SnO_2的阻温特性和气敏性能的影响。结果表明,纳米 SnO_2具有特征的阻温曲线。随着 Rh 催化剂掺入,不仅引起电阻增大,同时掺杂 Rh 占据表面活性位,使纳米 SnO_2对表面氧吸附时的物种类型相互转换的影响体现不出来。不过,在工作温度为300℃时。掺入0.2%Rh 催化剂使得纳米级 SnO_2对 C_2H_5OH 和 petrol、H_2的灵敏度提高了10倍以上,而且使其对 petrol 与 C_4H_(10)的选择性检测性提高了3倍以上,对 C_2H_5OH 与 CO 的选择性检测性提高2倍以上。     

常温一氧化碳气敏元件制备及气敏机理研究

介绍了以SnO2 为主 ,掺入Al2 O3 ,MgO ,InO ,Pd等添加剂的常温CO气敏元件的制备方法。根据其晶体结构特点对气敏机理进行了探讨。论述了传感器的信息传感机制 ,即晶界势垒控制和晶粒大小控制机制同时存在。为获得性能良好的气敏元件 ,需要最佳的制备方法和最好的添加剂     

水热法合成SnO2微球的酒敏特性研究

采用分析纯的SnCl4 ·5H2O和NaOH为起始原料,在160 ℃温度条件下水热法反应12 h得到SnO2微球.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜( SEM)对合成材料的结构、尺寸和形态进行了表征;采用静态配气法测试了材料的气敏性能.研究结果表明:在160 ℃水热条件下一步合成了均分散的SnO2微球,粒径大约为200 nm.用其制作的旁热式气敏元件在5 V工作电压下对0.005%的C2H5OH的灵敏度为8.7,达到了口腔酒精气体浓度检测限度0.008%的要求,并且响应-恢复特性良好.     

掺锑氧化锡纳米晶体的制备及性能研究

以SnCl4.5H2O和SbCl3乙醇溶液为原料,用离子交换除氯水解法制备得到无氯离子的前驱体掺锑氢氧化锡胶体沉淀。采用了乙酸异戊酯有机溶剂作脱水剂以消除掺锑氢氧化锡胶体干燥过程中硬团聚的形成,并和常用的正丁醇共沸溶剂进行了粉体性能的比较。用BET、XRD和TEM等方法对前驱体和掺锑氧化锡纳米粉体进行表征。结果表明,乙酸异戊酯溶剂比正丁醇溶剂更有效防止了粉体干燥过程中硬团聚的形成;将乙酸异戊酯干燥所得掺锑氢氧化锡干粉经热处理后得到了高比表面积的掺锑氧化锡纳米粉体,并对晶粒的生长过程进行了研究。