氧化锡纳米针生长机理的研究

采用热蒸发技术并控制生长条件制备一维氧化锡纳米结构。结果发现衬底温度和催化层的厚度对氧化锡纳米结构的尺寸和形状有较大影响;当衬底生长温度在850℃时针状氧化锡纳米结构遵循的是催化辅助的VLS机制,而衬底温度高于900℃时受气固机制作用。     

以丝绸为模板合成纤维状氧化锡纳米晶材料

以丝绸为模板,通过生物模板法合成了纤维形态纳米氧化锡。丝绸模板在前驱体溶液中浸渍后在不同温度下进行焙烧得到最终产物,并采用XRD、SEM、EDS、TEM和IR对其成分和结构进行了表征。结果表明,通过原位自组装合成,产物很好地保留了原始模板的微观结构,蛋白纤维转变为纳米晶粒组成的SnO2纤维,纤维直径约15μm,SnO2晶粒尺寸约55nm。讨论了反应条件对产物微观形貌的影响,确定了最佳反应温度为600℃,并分析了产物的形成机理。这种生物模板法为制备纳米SnO2提供了一种简易、环保的方法。     

掺杂对纳米Sn2O3晶化及阻温特性的影响

研究了纯及掺入写的, , 的纳米微粉晶拉尺寸随温度 的变化情况℃以前晶拉生长缓慢℃以后晶拉长大迅速掺入十, 可有效 地抑制晶拉的长大, ℃退火晶拉尺寸仍小于晶拉尺寸下降可使电导温度 峰往低温移动, 当晶粒尺寸小于时, 电导峰出现在℃附近, 而掺杂可使电导温 度峰展宽成平台掺的纳米材料在℃时对乙醉有较高的灵敏度和动态响应,     

气相激光光刻法沉积氧化锡薄膜的工艺特点

气相激光光刻法的特点是快速沉积,衬底表面无污染,并且有可能获得比较平展的截面电导膜。     

PECVD法制备的SnOx气敏膜的色变机理

有用ＰＥＶＣＤ法制备了非晶掺Ｓｎ有机膜，经过退火处理得到ＳｎＯｘ气敏膜，考察了退火过程和气敏响应过程的阻温特性和颜色变化的关系，研究了表面掺Ａｇ对ＳｎＯｘ元件电阻、     

电接触材料银氧化锡制备方法获得突破

在电接触材料中．银氧化镉材料具有优良的抗电弧侵蚀性、抗熔焊性和较低的接触电阻，广泛用于多种低压电器中。但在银氧化镉材料的生产、使用、回收的过程中都存在着“镉毒”污染问题。研制开发新一代无毒副作用、具有良好电接触性能的银金属氧化物电接触材料已成为亟待解决的问题。     

掺杂对纳米SnO2晶化及阻温特性的影响

研究了纯SnO_2及掺入5%at的Cu~( 2),Y~( 3),Si~( 4)的SnO_2纳米微粉晶粒尺寸随温度的变化情况:600℃以前晶粒生长缓慢;600℃以后晶粒长大迅速.掺入Y~( 3),Si~( 4)可有效地抑制晶粒的长大,900℃退火2h晶粒尺寸仍小于30nm.晶粒尺寸下降可使电导温度峰往低温移动,当晶粒尺寸小于5nm时,电导峰出现在170℃附近,而掺杂可使电导温度峰展宽成平台.掺Si的纳米SnO_2,材料在200℃时对乙醇有较高的灵敏度和动态响应.