薄膜生长的计算机模拟

薄膜技术在现代科技领域中有着广泛的应用。人们对薄膜的生长过程通过理论和实验进行了深入的研究，其中计算机模拟是重要的方法，本文概述了对薄膜生长过程的实验观察结果及其理论分析，主要讨论了薄膜生长的计算机模拟中经常采用的方法-蒙特卡罗法和分子动力学方法、描述衬底上成膜粒子运动的一些模型以及在计算机模拟中需注意的一些问题，其中主要包括粒子间的相互作用，入射粒子的能量和粒子上的衬底上的扩散运动。     

化学沉积法制备的Ni(P)、Ni(B)纳米薄膜的结构与磁性

用化学沉积法制备了系列Ni(P),Ni(B)合金薄膜样品，用X射线衍射结构分析方法证明样品由尺寸为纳米量级的颗粒组成，样品在磁性上表现出超顺磁性，对热磁处理前后的磁学参数进行了比较研究。     

电沉积Ni-W合金镀层的X射线光电子能谱分析

采用X射线光电子能谱（XPS）对电沉积Ni-W合金镀层表面膜进行了分析。研究结果表明，Ni-W合金镀层表面存在一层薄的氧化膜，而钨的氧化作用远大于镍，Ni-W合金镀层中W含量的提高对耐蚀性起决定作用。     

制备高强度高导电材料的新途径

指明了发展高强度高导电率材料过程中存在的主要问题，通过对喷雾共沉积工艺过程的特殊性和高导电材料的强化机制两方面较为详尽的分析，指出采用喷雾共沉积的工艺可望制备出高强度高导电率的材料     

国外离子束系统（IBS）发展概况

综述了国外离子束刻蚀和沉积系统的研究进展，指出了离子束系统在半导体技术研究，开发和生产中的重要性。     

电沉积Co—Ni合金的原子探针场离子显微分析

用位置敏感原子探针场离子的显微镜（ＰｏＳＡＰ）、ＴＥＭ、ＳＥＭ等方法研究了电沉积工艺参数对Ｃｏ－Ｎｉ合金微观结构的影响，结果表明，低频脉冲直流电沉积的Ｃｏ－Ｎｉ合金的平均晶粒尺寸为７０ｎｍ，恒稳直流电沉积的晶粒尺寸为１００ｎｍ。Ｃｏ原子在沉积层中呈均匀分布，且Ｃｏ含量随电解中Ｃｏ离子浓度增加而显著增加。当电解液中ＣｏＳＯ４含量为１７．５ｇ／Ｌ时，沉积层由εＣｏ和αＣｏ两相组成，ＰｏＳＡＰ数据的三维     

双离子束沉积氮化钛技术在模具上的应用

采用双离子束动态混合技术，对模具材料的表面进行改性处理。经测试发现，材料 表面经该技术改性处理后，显微硬度和抗磨损性能均有很大提高。现场使用表明，经该 技术处理后的模具，其使用寿命较未经处理模具的使用寿命，提高２—４倍．使用俄歇 （ＡＥＳ）、Ｘ射线（Ｘ－ｒａｙ）和透射电镜（ＴＥＭ）技术对改性层的主要元素分布，含量及 其成份和结构进行了分析，并讨论了该双离子束混合技术对材料表面改性的机理．     

析氢电催化剂Ni—Mo—Pb合金的研究

用电沉积法得到了非晶态Ｎｉ－Ｍｏ－Ｐｂ合金，该事金在碱性溶液中对氢的阴极析出具有很好的电催化活性，并有良好的可逆性和稳定性。给出了Ｎｉ－Ｍｏ－Ｐｂ电极上析氢反应的有关动力学参数。用稳态极化测量和ＸＲＤ对Ｎｉ－Ｍｏ－Ｐｂ电催化剂进行了表征。     

Ⅱ．印刷Vs．滴涂

为了适应6万-8万cph(元件数川、时）高速贴装系统发展的需要，提高印制板上电子元器件的贴装速度就成为解决装配生产线上“瓶颈”的关键。充分利用每小时能形成50万个焊膏点的模板印刷机米涂敷贴装胶和其它粘合剂，其高速性能可为制造商带来丰厚回报。