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991.
992.
陈秀珩 《有色金属与稀土应用》1989,(2):39-46
用高压液封原位合成直拉法生长的半绝缘GaAs单晶是直接离子注入制造场效应晶体管或高速集成电路的理想材料。在单晶生长和器件或电路的制做过程中人们发现,杂质碳在半绝缘GaAs中具有不容忽视的重要地位。它不仅是导致材料呈半绝缘状态的关键杂质,而且岔碳量的多少对晶体质量、器件或电路制做的成败都起着决定性的作用。 相似文献
993.
995.
镁钙质耐火材料脱硫反应动力学研究 总被引:1,自引:0,他引:1
将镁钙砖(w(MgO)=75.13%,w(CaO)=22.09%)制成坩埚烘干,将配好的钢样放于镁钙坩埚内,置于高温管式炉中,同时通氩气保护,升温至1600℃恒温5~70min,每隔5min取样,利用偏光显微镜和直读光谱仪分析镁钙坩埚的显微结构变化及钢液中[S]含量的变化,并建立钢液脱硫反应动力学模型,研究1600℃时镁钙耐火材料对钢液脱硫的动力学机理。结果表明:在1600℃下,反应时间为45min时,脱硫效果最好,脱硫率可达到70.12%,但超过45min,脱硫率降低,出现“回硫”现象;脱硫反应初期为界面化学控制过程,后期是扩散控制过程;计算得到化学反应速率常数Kr=5.50×10-4m.s-1,扩散系数Deff=1.33×10-8m2.s-1。 相似文献
996.
997.
酸性光亮镀铜是近十几年发展起来的一项新工艺。然而,氯离子的含量对酸性光亮镀铜影响极大,适量的氯离子具有良好的作用,它能提高镀层的整平性和光亮度,降低镀层内应力。按照酸性光亮镀铜工艺要求,其含量范围为10~80mg/l,如果含量过低,镀液的整平性能和镀层的光亮度均下降,且易产生光亮树枝条纹,严重时镀层粗糙,甚至烧焦;如果含量过高,镀层光亮度下降,并产生白雾,低电流密度区发暗;严重时,阳极钝化,电流下跌,光亮剂失去作用,整个镀层不亮。目前除去酸性光亮镀铜溶液中过量氯离子有如下几种方法:即电解法、银盐法、氧化亚铜和锌粉法等。现在我们就锌粉法进行如下的探讨: 相似文献
998.
999.