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21.
微波合成无机纳米材料的研究进展   总被引:9,自引:0,他引:9  
微波加热作为一种合成纳米材料的新方法,近年来得到飞速发展。介绍了微波加热原理,阐述了微波合成无机纳米材料的一些研究进展,主要是液相微波加热在制备金属氧化物和金属硫化物纳米材料以及微波烧结在合成陶瓷材料的应用,并对该领域未来作了一些展望。  相似文献   
22.
采用水热反应的方法合成了金属镁掺杂的磷铝分子筛MgAPO-5,通过XRD、DR UV-Vis、FT-IR等手段对其结构性能进行表征,并以亚甲基蓝溶液为目标降解物,在可见光下考察了MgAPO-5的光催化性能.结果表明,MgAPO-5具有与AlPO4-5相同的分子筛结构,掺杂的镁可能存在于磷铝分子筛的骨架中,在可见光下对亚甲基蓝溶液具有优良的光催化性能,反应5 h,脱色率可达92.5%.  相似文献   
23.
 以Si-MCM-41、Al-MCM-41(1) (n(Si)/n(Al)=15)、Al-MCM-41(2) (n(Si)/n(Al)=10)以及用NH4NO3或HAc的醇溶液分别与Si-MCM-41离子交换所得的H-MCM-41(N)和H-MCM-41(H)为载体制备了系列Ru/MCM-41催化剂。采用N2吸附、XRD和H2-TPR表征了负载Ru前后催化剂的结构及Ru在各种载体表面上的分散状态。以0.5%(质量分数)苯的环己烷溶液为模型化合物,在298K、3.0MPa反应条件下,考察了上述催化剂的苯液相加氢反应性能,并与Ru/HY、Ru/H和Pt/MCM-41催化剂进行了比较。结果表明,载体MCM-41的n(Si)/n(Al)和表面化学组成等性质对Ru在其表面上的分散状态、还原性及催化性能均有影响。对苯的转化率与反应时间的关系曲线进行拟合,发现其遵循一级动力学方程,加氢反应速率常数按照Ru/Al-MCM-41(2)相似文献   
24.
改性纳米TiO2光催化降解苯酚活性的研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
在装有紫外光的光催化反应器中,用锐钛型纳米TiO2为光催化剂,进行了苯酚水溶液的光催化降解性能的研究。考察了溶液的pH值、纳米TiO2用量、镍(Ni^2+)掺杂量、苯酚的初始质量浓度等因素对苯酚水溶液光催化降解过程的影响。结果表明,在pH值为7时,苯酚水溶液的降解率达95%以上,强酸和强碱条件均不利于苯酚的降解。当TiO2用量为50mg,UV辐照40min时,200mL质量浓度为50mg/L的苯酚水溶液的降解率为96.3%;当TiO2用量为150mg,UV辐照60min时,200mL质量浓度100mg/L的苯酚水溶液的降解率为95.8%。镍掺杂增加了TiO2的光催化活性,用质量分数为10%的二氯化镍水溶液掺杂制备的复合光催化剂,苯酚水溶液的降解率比未掺杂时增加13.6%。  相似文献   
25.
直流反应磁控溅射生长p型ZnO薄膜及其特性的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
  相似文献   
26.
掺杂铌酸锂晶体吸收边的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
  相似文献   
27.
金属泡沫材料研究进展   总被引:14,自引:2,他引:12  
陈祥  李言祥 《材料导报》2003,17(5):5-8,11
综述了金属泡沫材料的各种制备方法。液相法制备金属泡沫材料包括气体吹入法、固体发泡剂法和固体—气体共晶凝固法、熔模铸造法、渗流铸造法、喷射沉积法以及粉末加压熔化法等制备方法。采用金属粉末烧结法、浆料发泡法等制备工艺可以从固相制备金属泡沫材料。电沉积法以及气相沉积法可用于制备高孔隙率的金属泡沫材料。最后简要总结了金属泡沫材料的应用。  相似文献   
28.
掺杂聚苯胺导电膜的制备及对核设施表面铀的去污   总被引:3,自引:0,他引:3  
制备了掺杂导电聚苯胺可剥离膜,首次采用涂膜、电解联用去污方法,进行涂膜电解去除渗透到核设施金属材料内部形成氧化物的铀。在膜中,聚苯胺、盐酸、EDTA-2Na含量各为4%、0.5%~1%、1%;电解电压2.3V、电解时间25min~30min时,其去污率可达99%,优于其它的方法。  相似文献   
29.
研究了Ca掺杂钨镁酸铅(PMW)陶瓷材料的合成、结构、烧结以及介电性能。结果发现:在Ca^2 摩尔分数小于15%时,能形成单相的PCMW钙铁矿相,结构由原来的斜方相向立方相转变。用二步合成法制备的样品容易致密烧结,气孔率比一步法制备的样品小。Ca的加入降低了材料的介电损耗,在频率为1MHz时,介质损耗达到了10^-4。当Ca^2 摩尔分数大于10%时,材料的Curie峰宽化显著,介电常数温度系数降低。  相似文献   
30.
中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.  相似文献   
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