导热型覆铜板研究进展

导热型覆铜板对于提升发热电子元器件的散热能力、延长其使用寿命具有重要意义,目前在LED照明、汽车电子、变频器、电源等方面具有重要作用。本文综述了国内外导热覆铜板研究进展,重点探讨了覆铜板的种类、特点、各类铝基及有机树脂基新型覆铜板及其制备工艺的新进展,分析了导热覆铜板行业面临的问题及未来发展。     

液相烧结SiC陶瓷性能的研究

以Al2O3、Y2O3(质量比为2:3)为烧结助剂,在氮气氛或氩气氛中、1900～1970℃、30 MPa下热压制备SiC陶瓷.根据Archimedes原理测量烧结体的体积密度和显气孔率;采用XRD、SEM(EDS)及瞬态热导率测试仪分别对材料的物相、显微结构和热导率进行表征.研究了烧结温度、烧结气氛和烧结助剂含量对材料烧结性能和热导率的影响.结果表明,当烧结助剂质量分数为10%,获得SiC致密体(气孔率＜0.30%),热导率高达182.50 W/(m·K);随着烧结助剂的质量分数降至6%,材料的致密度和热导率皆明显下降;在氩气氛中SiC与Al2O3、Y2O3具有更好的润湿性.     

功率电子器件用AlN陶瓷基板的研制

阐述了AlN陶瓷的烧结原理 ,分析了烧结工艺参数对大面积AlN基板性能的影响 ,成功研制出了高热导率(190W /m·K)、大面积 (14 0mm× 90mm)、翘曲度为 2 0 μm/5 0mm的AlN陶瓷基板。     

导热PCB材料及其应用

随着元器件的功率越来越高,半导体的密度也越来越大,产生过热已给PCBA组装引起效率和可靠性问题,可采用多种方法来改进热导率问题。     

流延成型用AlN无苯浆料的制备及其性能研究

氮化铝(AlN)陶瓷具有优良的热、电、力、光学性能,具有广阔的应用前景,已经引起了国内外研究者的广泛关注。以无水乙醇和异丙醇为混合溶剂,研究了分散剂添加量、Y值(表示粘结剂和增塑剂质量之比)、固含量及溶剂种类对AlN浆料性能的影响。在不添加二甲苯的前提下,当分散剂添加量为1.0%(质量分数)、Y值为0.75时,制备了固含量为39.5%(体积分数)的低黏度AlN浆料,并利用流延成型制备了AlN生坯,在氮气气氛中1 825℃,保温4 h烧结后得到相对密度为99.8%、热导率为178 W·m–1·K–1的AlN陶瓷。     

高热导率AIN陶瓷的工艺设计

AlN陶瓷的热导率受声子-声子之间的相互作用,即声子散射的影响,各种结构缺陷的存在使声子平均自由程减小,导致热导率降低。本文讨论了影响AlN热导率的主要结构缺陷及消除措施。对粉体、添加剂、成型及烧成等方面进行最佳工艺设计,并由此得到了热导率>140W/(m·K)的AlN陶瓷。     

一种环保型电子封装用复合材料

采用挤压铸造专利技术制备了体积分数为65%高纯Si的环保型Sip/Al-Si20复合材料。试验结果表明:复合材料的铸态组织均匀、致密,没有明显的颗粒团聚和偏聚,也不存在微小的孔洞和明显的缺陷;Sip/Al-Si20是一种轻质(密度为2.4g/cm3)、低膨胀系数(7.77×10-6℃-1)、高热导率[156.34W/(m·℃)]复合材料,电导率为4.08MS/m,具有较高的比模量和比强度;Sip/Al-Si20复合材料可以进行镀Ni和封装焊接。     

稀土掺杂对99氧化铍陶瓷性能的影响

对99BeO分别掺入16种稀土氧化物,系统地研究不同稀土氧化物掺杂对99BeO陶瓷热导率和密度的影响,研究发现：掺入0．1％和0．5％的Tb4O7能够提升BeO陶瓷的热导率,分别达到288w／（m·K）和295W／（m·K）。掺入CeO2,Nd2O3能够提升99BeO陶瓷的密度,在1630℃时烧结时达到2．939和2．927g／cm^3。     

电子封装材料用金刚石/铜复合材料的研究进展

电子技术的快速发展对封装材料的性能提出了更严格的要求.针对封装材料的发展趋势,金刚石/铜复合材料作为新一代的电子封装材料受到了广泛的重视.概述了金刚石/铜复合材料作为封装材料的优良性能及其制备工艺进展,并对其发展方向进行了展望.     

一种测试多层膜系热导率的方法

提出了一种测试多层薄膜热导率的结构.用ANSYS有限元分析软件对该结构进行了仿真,分析了加热功率以及悬梁长度和宽度等因素对测试结构温度分布的影响.仿真结果与理论相吻合,验证了该方法的可行性.微桥结构多层膜系的热导率是影响器件性能的关键参数之一.该测量方法无须在真空中实施,结构简单,操作方便.