考虑自热效应的重掺杂AlGaAs/GaAs HBT电流特性分析

重掺杂使导带、价带带边同时发生了收缩,从而产生能带变窄效应(BGN)。对于因重掺杂NPN突变A1GaAs／GaAs HBT,而引起BGN导带和价带突变界面势垒形状及高度都发生改变结果,以致对电流输出特性产生重要的影响。本文基于Jain—Roulston禁带收缩模型及热场发射——扩散载流子输运机制,对考虑自热效应下的重掺杂AlGaAs／GaAs HBT电流特性进行了深入的研究。通过与其它计算程序常用的几种BGN模型比较得出：为了更好描述电流传输,利用Jain—Roulston的BGN模型,考虑导带、价带突变量的改变依赖于实际掺杂浓度值是必要的。     

含能材料热安全性的预测方法

根据分解反应动力学分析了含能材料在绝热和近似绝热条件下的热分解反应。结果表明,在该条件下含能材料发生的热分解反应只与材料本身的特性相关,而与外界环境的影响无关,利用热分解反应的特征来评价含能材料本身的热安全特性,得出了含能材料开始发生热分解反应初始湿度的计算公式。     

片式换档离合器滑磨功及滑磨功率的动态模拟计算

本文利用 SIMUL INK软件包对换档离合器结合过程进行了建模仿真分析 ,给出了动态求解滑磨功和滑磨功率的一种仿真方法 ,为换档离合器的热负荷分析提供了必要的理论基础     

CAD/CAM在水轮机叶片热模压成型工艺中的应用

介绍采用UG CAD/CAM及其强大的二次开发平台,解决混流式水轮机叶片热模压成型工艺中急需解决的叶片展开、压模设计及数控加工等关键技术问题。研究开发了叶片曲面的三维几何造型、密化计算处理、建立束展开的数学模型、及其带工程约束的几何近似展开方法及算法。并基于UG CAD/CAM用GRIP语言开发了解决这类技术问题相应的软件。该软件已实际用于叶片的制造,证明方法和软件都是可行的,具有良好的技术和经济性。     

非致冷焦平面热成象技术及其应用

９０年代以后，非致冷红外焦平面技术的实用化成为红外热成象技术中最引入注目的突破之一，基估军事和民用领域的广泛应用前景受到国内外的普遍重视。本文综述了非致冷红外焦平面技术的两大技术途径及其特点、发展趋势和应用情况，并了发展我国非致冷红外焦平面技术的途径。     

茶溶液中饱和吸收产生热致非线性效应的研究

本利用单光束扫描法研究了在４８８ｎｍ波长下，一种花茶酒精溶液因饱和吸收所产生的热致非线性效应，测得其热光系数ｄｎ／ｄＴ为＝１．２×１０＾－５℃，饱和光强为５．４ＫＷ／ｃｍ＾２。     

薄层SOI/MOSFET’s热载流子电流的数值模拟

本文应用“幸运电子”概念，取代平均电场热载流子模型［１］，利用二维数值计算的方法，建立起一组热载流子向栅氧化层注入的注入电流和栅电流模型（包括热电子和热空穴）．通过分别对ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ和相应的体硅器件模拟计算得出：栅电流和实验数据符合得很好；体硅器件的注入电流和通常一样，最大值发生在Ｖｇ＝Ｖｄ／２处；然而在薄膜（包括中等厚膜）ＳＯＩ器件中，由于存在着前栅、背栅的耦合作用，热载流子电流变化较为复杂．栅电流不能完全表现注入电流的变化情况．准确模拟注入电流是研究薄膜（包括中等厚膜）ＳＯＩ器件热载流子效应所     

利用“热”标准芯片评价集成电路的热性能

本研究研制出了符合国情的“热”标准芯片Ｓ、Ｍ、Ｌ三种规格，研制出了壳温变化小于０．５℃，相对误差小于２．３１％的恒定壳温电学法ＩＣ热阻测试系统，获得了２４种常用外壳和多种封装工艺热阻典型值及离散性，定量分析了同种样品，不同厂家封装的热阻差别；芯片面积对热阻的影响；粘片工艺对热阻的影响；背面金属化对热阻的影响。本研究还进行了实际电路与标准芯片稳态热阻比较，电学法与红外法热阻比较，说明研究成果有很好的