材料织构的中子衍射测量

概述了中子衍射测量材料织构的进展和国际国内现状,以及对未来发展的展望.     

薄膜的截面TEM样品制备

薄膜材料的厚度仅为微米量级或者更薄，对其微结构的研究十分困难，许多表征方法难以采用。透射电子显微分析（TEM）是薄膜材料微结构研究最重要的手段之一。尽管采用TEM平面样品研究薄膜的微结构在样品制备方面相对容易，但由于薄膜依附于基材生长，且通常具有择优取向和柱状晶生长等微结构特征，因而采用截面样品从薄膜生长的横断面进行观察和研究，可以得到更多的材料微结构信息。但是薄膜的TEM截面样品制备过程较为繁杂，难以掌握。已有的文献主要介绍了Si基片上生长薄膜的TEM截面样品制备方法，对金属基片薄膜截面样品的制备方法介绍不多。     

用MOCVD在非平面衬底上生长的量子阱,量子线及其光学性质

本文报道在６５０℃的衬底温度下实现了ＭＯＣＶＤ在（１００）面和（１１１）面上生长ＧａＡｓ与Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ的不同选择性。这一衬底温度比国际上以前报道的要低，对制作适于光电器件的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱层比较有利。用此技术，在ＧａＡｓ非平面衬底上生长了ＧａＡｓ／Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ量子阱，并用扫描电镜、低温光致发光谱及偏振激发的光反射率谱技术进行了研究。结果不仅证明了ＭＣＣＶＤ外延生     

超深冲IF钢退火过程中织构变化的ODF分析

采用ＯＤＦ分析方法对ＩＦ钢冷轧板在退火过程中织构变化进行了分析。结果表明，随退火时间的延长，冷轧ＩＦ钢板在呔α，γ取向线上的｛１００｝〈１１０〉，｛１１２｝〈１１０〉，｛１１１｝〈１１０〉，｛１１１｝〈１１２〉织构有所增减，其中｛１１１｝〈１１２〉织构明显增加。最终形成以｛１１１｝〈１１０〉，｛１１１｝〈１１２〉为主的退火织构。这正是使ＩＦ钢获得优良深冲性能必要条件。     

气相生长炭纤维

本文在参阅大量文献资料的基础上，系统地阐述了气相生长炭纤维的发展方向、制备方法（基极播种法、气相流动法）、生长机理（扩散控制机理、两步生长机理、碳化物机理、三步生长机理）、特性及用途。     

冷轧形变量对钛板材再结晶织构形成的影响

采用三维晶体学取向分布函数（ＣＯＤＦ）分析法研究了工业纯钛板材不同冷轧形变量对织构形成的影响。结果表明，冷轧形变量为５０－７０％时，再结晶退火后形成了（２１１８）（０１１０）和（１０１８）（１２１０）的部分纤维织构，而在３０％较低或８６％较高的形变量冷轧时，形成典型的轧制织构（２１１５）（０１１０）和再结晶织构（１０１３）（１２１０）型式。     

销钉型螺杆的产量有效系数

用销钉型螺杆纺丝，产量约高２０－３０％，且熔体质量了，温度均匀一致。但在设计计算时缺少产量有效系数。本文对进口机器进行测试，并经分析，算出有效系数，以设计计算需要。