法国产CT4型横拼双金属专用真空电子束焊机原理与构造

试述法国TECHMETA公司产的CT4型横拼双金属专用真空电子束焊机原理与构造，其中主要阐述电子枪控制电路板的原理。     

高质量ZnO薄膜的退火性质研究

在LP－MOCVD中，我们利用Zn(C2H5)2作Zn源，CO2作氧源，在（0002）蓝宝石衬底上成功制备出皮c轴取向高度一致的ZnO薄膜，并对其进行500℃-800℃四个不同温度的退火。利用XRD、吸收谱、光致发光谱和AFM等手段研究了退火对ZnO晶体质量和光学性质的影响。退火后，（0002）ZnO的XRD衍射峰强度显著增强，c轴晶格常数变小，同时（0002）ZnOX射红衍射峰半高宽不断减小表明晶粒逐渐增大，这与AFM观察结果较一致。由透射谱拟合得到的光学带隙退火后变小，PL谱的带边发射则加强，并出现红移，蓝带发光被有效抑制，表明ZnO薄膜的质量得到提高。     

氧化钨物理特征的测量

对铵钨青铜（ATB）、氢钨青铜（HTB），紫色氧化钨（TVO）和蓝色氧化钨（TBO）四种氧化钨粉的氮气吸附/脱附等温线数据的分析。可以得出其表面积，微孔体积，微孔分布，中孔体积，平均孔径和分数维数。吸附/脱附等温线数据的分析表明，TVO粉末具有最大的中孔体积，最小的微孔体积，最窄的孔径分布，最小的分数维数和最大的平均孔径，其有利于氢还原制取超细钨粉，而不利于掺杂工艺，HTB粉末具有最大的微孔体积，最宽的孔径分布，最高的分数维数和最小的平均孔径，对于掺杂工艺来说是有利的，ATB和ABO的上述参数界于TVO和HTB之间。结果表明，利用吸附/脱附等温线来研究氧化物的物理特征是一个很好的方法；在氧化钨用于氢还原工艺和掺杂工艺之前必须研究其物理特征。     

电子束和接触式曝光机的混合曝光技术

Ⅰ线光致抗蚀剂可以同时实用电子束和光学系统曝光，在50kV加速电压下，其曝光剂量为50-100μC/cm^2，曝光后在0.7%NaOH溶液内显影1分钟。其灵敏度比PMMA快5倍，分辩率为0.5μm。采用两方法制备CaAsPHEMT：一种用Ⅰ线光致抗蚀剂，对源、漏及栅全部都采用电子束曝光，制备了0.5μm栅长的GaAs PHEMT；另一种将源、漏及栅分割成两部分，其中精细部分由电子束曝光，其余部分由光学系统曝光，用这种方法制备了0.25μm栅长的GaAs PHEMT。Ⅰ     

无镜自由电子激光器实现"饱和"发射

美国阿贡实验室的一个科研小组在无镜单通自由电子激光器中已达到自放大自发辐射饱和，其波长比从前这种无镜自由电子激光器的记录短1000倍以上。该小组展示了在可见光波长（530 nm)和紫外波长（385 nm)上指数增长和饱和的预言。该室研究人员报导了他们在Stephen Milton和Efim Gluskin领导下。逐步向X射线自由电子激光趋近的过程。同步辐射研究的历史仅有45年，真正的突破也只在屈指可数的几年里。据阿贡先进光源实验室副主任David Moncton说，他们的工作是突破中的一项。与普通激光器不同，该室的无镜自由电子激光器用强流电子加速器和…     

气相沉积制备硬质薄膜技术与应用述评

本对气相沉积技术的发展与最新趋势给出了述评，重点强调了等离子体辅助化学气相沉积（PCVD）的优势，进展及其在工模具领域的应用。     

碳/碳复合材料CVI工艺中热解碳形成机理的研究

对碳碳复合材料CVI或（CVD）工艺中热碳组织的类型，沉积机理等研究情况进行了简要的综述，并对其进一步研究提出了相应观点。     

PVD涂层工艺在M3滚刀上的应用

对M3滚刀进行了物理气相沉积 (PVD)工艺试验。经高温耐磨试验和切削试验证明 ,M3滚刀经TiN涂层后 ,其耐磨性和使用寿命显著提高。     

含盐不均匀基底变形对盖层构造的影响

根据相似性原理，选择不同的相似材料模拟双侧挤压作用下含盐不均匀基底变形对盖层构造的影响。实验表明：（1）双侧挤压背景下，受硬泡沫和凡士林代表的不同性质的基底的影响，上覆细沙盖层中形成的构造样式不同；（2）尽管模型的基底结构左右两侧基本对称，但上覆盖层的变形样式并不完全对称；（3）变形后期，盐脊顶部上覆沙层出现明显的塌陷构造；（4）实验最终结果显示的整个背冲构造的形成是由两个分割开的次级构造逐步合并而成的。