数字

分析机构TrendFocus近日发布报告称，2005年全球硬盘交付量达到3、8亿块，来自消费电子领域的旺盛需求是日立、希捷等硬盘制造商下一步增长的最大动力。该机构预计，到2008年，消费电子市场使用的硬盘量占硬盘业总交付量的比例将从2005年的20％增长到40％。     

网络交易终结“药价虚高”

药品电子交易领域内首张“批发牌照”的发放，将成为解决“药价虚高”难题的最新也是最有效的手段之一。[编者按]     

河南开通电子口岸

11月8日，河南省政府口岸办举行新闻发布会，宣布河南电子口岸正式开通。今后，十几个和出口业务相关的政府部门将实现协同作业，而进出口企业也将通过互联网方便快捷地完成各种审批手续。     

英国领先显示技术寻求中国合作伙伴

英国投资贸易总署显示技术访问团于2006年11月23日访沪,与上海相关显示技术企业进行会晤并就显示技术如何进行更广泛的合作交流作出表态和解释。英国是世界最受欢迎的研发(R&D)中心之一。目前在显示市场上英国有很多新的技术以及产品。在显示材料方面,目前电子企业都在研发一些     

200kA大型预焙槽强化电流后技术条件的优化——高分子比降低槽工作电压

本文主要通过对一、二、三电解厂强化电流前后技术条件的对比，阐述了适当提高分子比、降低电解槽槽工作电压对节能降耗的重要性。     

基于AD9851的高频高压脉冲发生器设计

当前脉冲发生器里的脉冲形成器件,大部分是用火花气隙（spark gap）和高压电子开关（high voltageswitch）.采用火花气隙充当脉冲形成器件有很多弊病：（1）火花气隙在低于1kV时,在机械和电气上不稳定,所以对低于2kV的试验电压要通过分压器来得到.     

RF磁控溅射制备钛酸锶钡BST纳米薄膜

钛酸锶钡(BST)薄膜作为一种高K介质材料在微电子和微机电系统等领域具有广阔的应用前景,人们已对BST薄膜的制备工艺技术和介电性能进行了大量的研究。BST纳米薄膜的制备工艺直接影响和决定着薄膜的介电性能(介电常数、漏电流密度、介电强度等)。对RF磁控反应溅射制备BST纳米薄膜的工艺技术进行了综述。从溅射靶的制备、溅射工艺参数的优化、热处理、薄膜组分的控制,及制备工艺对介电性能的影响等方面,对现有研究成果进行了较全面的总结。     

多带OFDM-UWB系统峰均功率比降低方法研究

针对多带OFDM—UWB信号存在高峰均功率比的问题，提出了利用扩展与交织降低系统信号峰均功率比的方法。该方法通过对传输数据进行正交扩展与交织，使得进入多载波调制的数据趋于高斯分布，减小了传输数据自相关函数的旁瓣峰值，降低了OFDM-UWB信号的峰均功率比。由于采用正交矩阵进行扩展，扩展前后的数据传输速率保持不变。仿真结果表明，扩展与交织可以有效地降低信号峰均功率比2-5dB左右。同时该方法还具有抗窄带干扰的鲁棒性。     

ZnO基薄膜晶体管的研究

ZnO是一种宽带隙的光电半导体材料,能应用于很多领域,如可用在压敏变阻器、声表面波器件、气敏元件、紫外光探测等。ZnO也可以作为有源层应用于薄膜晶体管(TFT)中。ZnO基薄膜晶体管具有以下突出优势:对于可见光部分平均具有80%以上的透射率,迁移率可以高达36cm2/V·s,开/关电流比大于106,可在较低温度(甚至室温)下制备。基于这些优点,ZnOTFT具有取代有源矩阵液晶显示器中常规a-SiTFT的趋势。同时对ZnOTFT的研究也推动了透明电子学的发展。本文阐述了ZnOTFT优越的电学性能,指出了其目前尚存在的不足,并对其发展前景进行了展望。     

中国信息化趋势报告(五十九)壮大电子信息企业的战略建议

发达国家主导了全球电子信息产业的发展，其战略是制定全球性规则，发挥本国企业的领先优势，利用知识产权和技术标准战略强化领先地位。中国电子信息企业在未来一段时期内基本上是跟随者，不得不在有限的市场和狭窄的价值空间内成长。要突破发展屏障，企业和政府应形成战略共识。政府要为跟随企业维持和创造发展空间，帮助企业不断积累力量。