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低阻VDMOSFET的优化设计与制造 总被引：1，自引：1，他引：0
文章对9926型双N沟增强型VDMOSFET进行了结构和版图的优化设计。给出了该器件的纵横向结构参数,材料的物理参数和版图总体结构。单胞结构的优化设计使单胞密度达到204万个/cm2,比国际市场现有产品的单胞密度(156万个/cm2)提高了30%。这种设计采用浅n+注入工艺可使器件生产成本下降31%。最后对研制结果进行了分析讨论。 相似文献
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KazuhitoNarumi DukumiKaida 《火工情报》2003,(3):146-154
电点火起爆器通过一对电信号输入元件将电信号传给连接着电信号输入元件的电阻元件，使它加热并用电阻元件产生的热点燃炸药，以启动车辆安全装置。电阻元件用蚀刻镍—铬合金薄膜做成，它位于基板的上表面。电阻元件的第一个侧面在电信号两输入端之间，是直线型的，而第二个侧面从每个电信号输入端开始倾斜，以使第一个侧面和第二个侧面上每条倾斜线之间的宽度随相应电信号输入端距离的增加而减小。电阻元件在倾斜线相交处有最小的截面积。 相似文献
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