复合栅控二极管新技术提取热载流子诱生的NMOS/SOI器件界面陷阱的横向分布

提出了用复合栅控二极管新技术提取MOS/SOI器件界面陷阱沿沟道横向分布的原理,给出了具体的测试步骤和方法.在此基础上,对具有体接触的NMOS/SOI器件进行了具体的测试和分析,给出了不同的累积应力时间下的界面陷阱沿沟道方向的横向分布.结果表明:随累积应力时间的增加,不仅漏端边界的界面陷阱峰值上升,而且沿沟道方向,界面陷阱从漏端不断向源端增生.     

《金山影霸2003》试用手记

如果你看过高画质的DVD影片,享受过令人震撼的AC-3音质,然后回过头再去看VCD一定是一件痛苦的事情。日前,又有一款DVD播放软件异军突起,它就是《金山影霸2003》。其实最早的《金山影霸》在486时代的知名度极高,经过数次版本更新,最新推出的《金山影霸2003》有什么独到之处呢?相信     

布里奇曼法生长碲镉汞晶体的固液界面形态研究

文中综述了布里奇曼法及加速坩埚旋转技术的布里奇曼法生工碲镉汞晶体过程中固液界面形态的研究结果，简单讨论了固液界面形态对组分分布的影响，并将两种技术所得的组分分布结果进行了比较，在分析影响固液界面形态因素的基础上，认为加速坩埚旋转技术是目前改善固液界面形态的有效方法。     

塑料卷镀吸附机理探讨

本文用表面能、界面能来说明真空蒸镀薄膜与基材的吸附机理。如薄膜与基材间的界面能越低，说明其键合越强，附着越牢固。基材表面事先经离子轰击或等离子处理形成的结构缺陷，将有利于降低界面能，增强附着力。     

碳纤维电沉积铜解决碳纤维／铝复合材料界面问题

碳纤维／铝复合材料界面相容性差，界面反应生成Ａｌ＿４Ｃ＿３。为此采用连续三步电沉积法对碳纤维电沉积铜获得碳／铜复合丝，使界面结合强度得到改善。本文对碳纤维／铝复合材料界面问题及连续三步电沉积工艺，作了初步分析讨论。     

氧化钇含量对Al2O3／Y—TZP复相陶瓷的影响

本文以ＺｒＯＣｌ２．８Ｈ２Ｏ、Ａｌ２Ｏ３及Ｙ（ＮＯ３）３为原料，用共沉淀法合成Ｙ２Ｏ３含量不同的ＺｒＯ２－Ａｌ２Ｏ３复合粉体，并采用热压工艺制备复相陶瓷。研究了氧化钇含量对复相陶瓷力学性能及应力诱导下氧化锆相变能力的影响。     

两种不同界面结合强度碳/铝复合材料的内耗特性

本文研究了两种不同界面结合强度的碳/铝复合材料经不同次数加载热循环处理后的内耗值及内耗机制。弱界面结合的C/L2复合材料的内耗值变化主要由界面脱粘引起,而强界面结合的C/LD2复合材料的内耗值变化主要由位错运动所致。     

LvP－16绘图仪基本软件包及其开发方法

论述了开发Ｌｖｐ－１６绘图仪基本软件包（ＬＢＳＰ）的必要性和实用性。它的开发思想和方法可为其它类型的绘图仪二次开发时采用，具有一定的普遍意义。文章着重介绍了ＬＢＳＰ的绘图功能和开发过程，以及使用方法。