硅／硅键合界面的正电子湮没分析

硅/硅键合是硅功率器件,功率集成电路以及集成传感器衬底制备新技术之一。键合界面的缺陷直接影响器件性能。我们采用正电子湮没技术对N/N~+硅键合片界面缺陷进行了研究。由正电子湮没谱可知:键合引入了界面缺陷,但其缺陷密度小于热扩散形成的N~-/N~+片而引入的缺陷。界面缺陷主要是一些复杂的空位团和微型空洞组成。而且在不同的退火温度下,缺陷状态不同,在高于键合温度下退火。可使键合片具有与原始硅片相近的特性。     

微光机电系统的微绞链研制

本文讨论了非硅微机械工艺和微绞链的研制工艺。我们研制的非硅表面微机械工艺采用两次或三次掩模电镀层，聚酰亚胺和光刻胶分别作为底层和第二、第三层的牺牲层。用这套工艺，研制成功了三种不同种类的微绞链。微绞链能在基片表面作０—１８０度自由转动。     

基于金刚石薄膜的微间隙室制备

采用金刚石薄膜作为阴-阳极间绝缘介质层是一种新型的微间隙室(MGC)结构。该文详细介绍和讨论了采用常规的微细加工工艺制备基于金刚石薄膜介质层的MGC的制备技术,其典型结构为阳极微条宽20μm,微条间隔180μm,器件探测区面积为38 mm×34 mm。采用热丝CVD法制备的金刚石薄膜作为阴-阳极间绝缘介质层,厚7~8μm,具有(100)晶面结构。金刚石的刻蚀采用反应离子刻蚀,Cr作掩膜,O2和SF6为刻蚀气体,刻蚀速率为79 nm/min,与Cr的刻蚀比约为20:1。实验结果表明,采用的微加工结合自套准工艺可很好地解决金刚石薄膜的制备、图形化及金属阳极电极与金刚石薄膜的相互套准等金刚石薄膜的可加工性及兼容性问题,并制备出采用金刚石薄膜作为电极间绝缘介质层的新型MGC结构。     

高纯多晶硅技术实现产业化 产品成本仅为国外1／6

我国自主研发的“物理法”提纯高纯度多晶硅技术成功实现产业化；从此占领了太阳能基础材料的“高地”。由迅天宇科技有限公司开发的这一技术，不仅打破了国内太阳能产业的高能耗瓶颈，还首次实现出口，确立了中国在世界光伏产业链上的地位。其生产的99．9999％以上纯度的太阳能电池硅产品，生产成本仅是国外的1／6，电耗和水耗分别为国际上流行的“西门子化学法”的1／3和1／10。[第一段]     

球团

小球团低硅烧结技术研究;竖炉球团造球喷加炼钢污水实践;八钢高炉使用高比例球团矿冶炼实践     

APR-5000-XLS阵列封装返工系统

新型植球锡膏BP-3106可在植球和其他应用中产生大量的锡沉积，所需设备仅为一台配有植球钢板的SMT印刷机。此植球锡膏应用于现有的设备，可通过增加拼版数目和提高印刷速度来提高产能，而不用购购买额外的BGA植球漏斗等昂贵的设备。BP-3106植球锡膏有良好的性能、很强的抗塌陷性和极低的空洞率。既可用于区域阵列，也可用于周边BGA，可在清洗前后通过表面绝缘电阻测试。     

500MPa级CO2焊焊丝微合金化元素对低温韧性的影响

研究了５００ＭＰａ级ＣＯ２焊实芯焊丝（简称焊丝）微合金化元素Ｔｉ及Ｔｉ－Ｂ（联合添加）对纯焊态组织熔敷金属低温冲击韧性的影响。结果表明Ｔｉ－Ｂ联合添加对稳定提高５００ＭＰａ级ＣＯ２焊焊丝熔敷金属的低温冲击韧性起着至关重要的作用。研制的高韧性５００ＭＰａ级ＣＯ２焊焊丝不但满足ＡＷＳＡ５．１８－７９的技术要求，而且具有适中的熔敷金属强度。