无限维的不可微凸规划

本文在局部凸Ｈａｕｓｄｏｒｆｆ线性拓扑空间中讨论了一类不可微的凸规划，得到了Ｋｕｈｎ－Ｔｕｃｋｅｒ最优性条件和对偶定理。     

GY—500高精密样品架的改造

对川于超高其主设备中的ＧＹ－５００样品架进行了重要的改造。改造后的样品架复位精度达到±１０μｍ，可长期保持不变；高温达到８００℃，寿命长；低温达到－１５０℃，升温时间为原来１／９；消除了样品台的振颤，有利于微区分析；增加了样品台的倾斜功能。改造后的样品台体积缩小，外形美观．操作轻松灵活，完全满足各种电表面分析仪器的技术要求。     

硅对仰制涂层“氧化缺口”破坏的作用

本文对比了渗铝和铝－硅涂层的高温抗氧化性能，并用金相和电子探针分析技术研究了涂层的显微组织，从而揭示出硅抑制涂层“氧化缺口”破坏的机理在于：硅降低了铝的内扩散活性，使镍的外扩散活性相对提高，使合金最外表面形成很薄的表层，从而避免了ＭＣ碳化物的直接裸露；硅促进了ＭＣ－Ｍ５Ｃ的转化，生成富Ｓｉ的Ｍ６Ｃ，从而改善了涂层中碳化物自身的抗氧化性能。     

势垒区δ掺杂量子阱Si／Ge_（0．3）Si_（0．7）的电子能带结构及电子密度分布

在有效质量近似基础上，采用非均匀网格有限差分法，通过对薛定谔—泊松方程的自洽求解，得到了生长在Ｇｅ０．３Ｓｉ０．７（００１）衬底上的势垒区８掺杂量子阶Ｓｉ／Ｇｅ０．３Ｓｉ０．７的势位及电子密度分布．讨论了量子阶的几何结构参数——阱宽及δ掺杂位置和δ掺杂密度对势阱内电子密度分布的影响．     

不适定热传导反问题的两种求解方法及其比较

本文以不适定热传导反问题为对象，采用两种方法进行了求解。一种方法基于对具有测量误差的边界条件进行适当的微扰，使之化为适定问题；另一种方法基于Ｔｉｋｈｏｎｏｖ的正则平滑思想，对反问题中的输入数据进行平滑处理，以便使函数及其一阶导数均实现一致逼近。通过计算与求解表明，两种方法均能得到具有一定精度与稳定性的结果，其中以正则化法更为理想     

真空微电子三极管几何参数的设计考虑

真空微电子三极管是近年来兴起与发展的真空微电子学中的一类重要器件。本文从真空微三极管的工作特性出发,分析了这类器件中所需考虑的几何参数和工作特性的关系,并给出了一些理论和实验公式,为今后的设计提供一些参考。     

液晶微位移传感器

液晶微位移传感器的工作原理是以负介电各向异性的向列相液晶材料的动态散射效应为基础的，文中给出了这种传感器的结构，测量方法、精度、应用范围和实验结果；研究了在阈值电压附近光的吸收和散射，讨论了该传感器的稳定性和遥控方法。     

薄涂层光纤和光纤带中微弯损耗的研究

本文记述了由于环境引起的光纤弯曲光谱与双涂敷层光纤机械性能之间的关系，从这一关系，我们可以确定涂敷层的设计参数，它与微弯损耗有关。对直径从１６０μｍ到２００μｍ的典型薄涂层光纤和光纤带因卷绕于线盘而引起的微弯损耗也有说明。     

一种新颖的真空灭弧室

真空灭弧室有一个陶瓷和金属封接而成的外壳，该外壳的剖视图通常为一有三个接线端的Ｔ型结构。三个陶瓷绝缘子的一端分别与一个金属端盖进行气密焊接。第一端装有一个固定导体、它与装有一个传动装置部件的第二端面相对。第二个固定导体置于第三端上，它与第一个固定导体的轴横向相对。第一个导体有一个定触头安装在其末端。砂置于传动装置部件的末端。当不与静触头接触，电路处和合状态时，以及当头离开静触头，电路处于开断状态时     

实用型5GHz带宽InGaAs／InP PIN光电探测器

设计并研制成功了实用型５ＧＨｚ带宽ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ ＰＩＮ光电探测器，介绍了限制探测器响应速度的主要因素，微波封装的理论依据，以及所研制器件频率响应的测试结果。