SOI光电子集成

SOI（Silicon-on-Insulator)光电子集成已成为十分引人注目的研究课题，其工艺与CMOS工艺完全兼容，可以实现低成本的SOI基整片集成光电子回路。本文综述了近几年来SOI集成光电子器件的发展以及一些最新的研究进展，着重分析几种最新型光无源器件的工作原理和结构，包括SOI光波导、SOI光波导耦合器、SOI光波导开关、相位阵列波导光栅（PAWG）、基于SOI的光探测器等，并介绍了中国科学院半导体所集成光电子国家重点实验室的研究进展。     

径向基函数神经网络的再学习算法及其应用

为了应用径向基函数神经网络逐步地识别待研究系统,文章针对径向基函数神经网络的再学习算法开展了深入的研究.应用严格的数学推理方法,将径向基函数神经网络的再学习问题转化为矩阵求逆的附加运算.详细给出了径向基函数神经网络再学习算法中增加新训练样本和增加新基函数的数学公式,同时对如何获取新的训练样本进行了研究.     

IEDM大会展现微米/纳米电子技术方面的进步

“2003年国际电子器件大会”(IEDM)于2003年12月8日至10日在美国华盛顿希尔顿大酒店举行。有关微米和纳米电子器件及工艺方面的进展情况在会上发表的诸多论文中有所涉及。此次展会囊括了硅器件和非硅材料器件技术、光电子、MEMS以及分子电子器件方面的最新成果。     

应变SiGe沟道pMOSFET的击穿特性

以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGe pMOS同Si pMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGe pMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGe pMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于Si pMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同Si pMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGe pMOS呈现穿通击穿机制.     

枞阳闸东岸墙、闸墩、闸基渗漏成因与灌浆加固技术效果分析

本文通过水文地质勘察和钻探压水试验研究，对枞阳闸东岸墙、闸基及闸墩渗漏成因进行了分析，并就灌浆加固技术与效果给予了总结，为今后工程的进行管理提供了借鉴与参考。     

含锌离子的聚硅硫酸铝的合成及性能研究

采用一步法制备聚硅硫酸铝絮凝剂合成了含锌离子的聚硅硫酸铝并研究了其性能.含锌离子絮凝剂是一种无毒高效的絮凝剂,且絮凝效果优良,锌离子含量对絮凝剂性能影响很大.     

原油基压裂液研究

研制了一种适用于低压、低渗、水敏性储集层的新型原油基压裂液体系。根据基液原油的组分合成相应的增稠剂，增稠剂在原油中与交联剂反应，形成网状结构，使原油成为黏度可以调控的冻胶，从根本上改变了油基压裂液以柴油、煤油为基液的现状，降低了油基压裂液的成本，同时还提高了压裂液的抗温、抗剪切和破胶性能，并将交联时间缩短到2h以内，可以满足现场压裂施工的要求，大大降低了施工强度和压裂改造的综合成本。在青海油田进行的现场先导试验取得成功。图9表1参5     

汤姆逊IPTV解决方案助力运营商开展三网融合服务

2006年11月13日，北京——业界领先的美国电信系统集成商Falcon Communications正式推出一种综合性的IPTV平台，该平台基于汤姆逊公司端到端的解决方案，包括汤姆逊的编码、内容传送、服务管理以及接入等产品。