在二(2-乙基己基)磷酸钠的微乳液中金属萃合物对水增溶的影响

测算了由二（2－乙基己基）磷酸钠，金属盐（CoSO4,NiSO4,ZnSO4,MgCl2或Cr(NO3)3)水溶液，正辛醇和正辛烷组成的微乳液中正辛醇从连续油相到界面的ΔGo→i^o和水的极限增容量φ'H2O。用金属萃取络合物反胶束的形成及其亲油性解释了金属离子对φ'H2O和ΔGo→i^o的影响。     

用于高频谐振器的PbTiO_3基压电陶瓷

传统的PZT压电陶瓷的相对介电常数较大,一般为1 000以上,用于高频谐振器不易与线路匹配;而PbTiO3基压电陶瓷的相对介电常数较小,一般仅为200左右,对于10 MHz以上频率的谐振器,用PbTiO3基压电陶瓷作为压电振子是最佳的选择。本文主要研究用于高频谐振器的MnO2和Nd2O3改性PbTiO3基压电陶瓷的性质。PbTiO3基压电陶瓷的性质的改善是与此种陶瓷的制备工艺,显微结构和电导机制紧密相关的。     

金属/Al2O3基纳米复合材料研究最新进展

金属／Al2O3纳米复合材料在保持原有金属的功能特性时，还可以获得 很好的力学性能，是有良好发展前景的一种纳米复合材料。本文回顾了近年来金属／Al2O3基纳米复合材料在制备工艺，微观结构和力学性能，增韧强化机理方面的最新进展，并指出了今后的研究方向。     

硅微机械梳齿静电谐振器的建模与分析

基于参数化的计算机辅助设计（CAD）软件，对硅微机械梳齿静电谐振器进行了实体建模，以有限元分析软件为工具，进行了谐振器的模态分析，静态分析和谐响应分析，初步揭示了谐振器的静、动态特性，有助于改善设计效率和质量，展示了计算机辅助工程（CAE）技术在微机电系统（MEMS）研究中的重要作用。     

区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成

中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.     

院基寺水库坝基渗漏分析及处理设计

对院基寺水库运行过程中出现的坝基渗漏现象进行了全面的描述,结合坝址工程地质和水文地质条件、施工情况及坝体结构,系统地分析了产生渗漏的原因及渗漏途径,并提出了防渗帷幕灌浆处理方案。灌浆试验、现场施工质量检查及实际观测成果证实,工程处理措施取得了良好的效果。     

录像磁带带基用聚酯树脂技术(Ⅰ)

作者多年来从事录像磁带基用聚酯树脂技术研究。本讲座为作者近著,本刊将分6期连载,主要内容为:1.概述;2.录像带对带基及树脂的要求;3.录像带带基用PET树脂的特性;4.录像带带基用PET树脂的基本原料;5.录像带基用PET树脂配方技术;6.添加剂技术;7.树脂的高纯化稳定化技术;8.录像带带基用树脂工业的发展动向。     

纳米硅薄膜界面结构的微观特征

对使用等离子体增强化学汽相沉积法（ＰＥＣＶＤ）制备的纳米硅薄膜（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ），使用ＨＲＥＭ及ＳＴＭ技术观测了其显微结构，给出大量的界面结构图象．首次获得有关晶粒及界面区中原子的分布情况．使我们认识到ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜中界面区内的硅原子仍然是具有短程有序性并不是完全无序的．     

新型MSIS结构气敏电容的研究

采用静电喷雾高温分解工艺制备ＳｎＯ２气敏膜，并与Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＯ２集成多层介质膜，用催化金属Ｐｔ作栅电极，制成新型的ＭＳＩＳ结构气敏电容。通过检测平带电压的变化，研究对Ｈ２和Ｏ２的气敏特性，分析其气敏机理并提出了检测的物理模型．