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设计了一种由基于马赫-曾德尔干涉结构的石墨 烯-硅混合集成光开关级联而成的电光 半加器。通过施加电压调节石墨烯化学势,改变石墨烯在平面方向上的介电常数,引起模式 有效折射 率发生变化,控制光波在基于马赫-曾德尔干涉结构的石墨烯-硅混合集成光开关不同端口 输出,实现 半加器逻辑功能。仿真结果表明:当石墨烯化学势在0.50eV与0.64eV两种状态切换下,在1520nm到1600nm波长范围内,基于马赫-曾 德尔干涉结构的石墨烯-硅混合集 成光开关的最差串扰为-21.57 dB, 插入损耗小于0.109 dB。当数据传输速率为10Gbit/s时,基于石墨 烯-硅混合集成光波 导的电光半加器在1550nm工作波长下,器件的 消光比大于41.05dB。 相似文献
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24-二硝基茴香醚基含铝熔铸炸药爆轰临界直径的实验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
为了揭示2,4-二硝基茴香醚(DNAN)基高能钝感熔铸炸药的爆轰传播特性,加快DNAN基熔铸炸药的工程化应用,采用连续导线法测量了DNAN基含铝熔铸炸药的临界直径。结果表明:Al含量(质量百分比0~30%)增大、Al粒度d50(分别为6 μm、12 μm、31 μm)减小均会降低爆轰传播的临界直径;黑索今(RDX)的粒度d50(分别为19 μm、147 μm、751 μm)增大、RDX品质提高会增大爆轰传播的临界直径。研究结果为DNAN基含铝熔铸炸药的配方和战斗部结构设计提供基础的技术参数。 相似文献
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绝缘体上张应变锗材料是通过能带工程提高锗材料光电性能得到的一种新型半导体材料,在微电子和光电子领域具有重要的应用前景.采用微电子技术中的图形加工方法以及利用锗浓缩的技术原理,在绝缘体上硅(SOI)材料上制备了绝缘体上张应变锗材料.喇曼与室温光致发光(PL)测试结果表明,不同圆形半径的绝缘体上锗材料张应变均为0.54%.对于绝缘体上张应变锗材料,应变使其发光红移的效果强于量子阱使其发生蓝移的效果,总体将使绝缘体上张应变锗材料的直接带发光峰位红移.同时0.54%张应变锗材料的直接带发光强度随着圆形半径的增大而减弱,这主要是因为圆形半径大的样品其晶体质量较差.该材料可进一步用于制备锗微电子和光电子器件. 相似文献
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一种新型三轴电容式加速度计的设计分析 总被引:1,自引:0,他引:1
设计了一种新型结构的体硅工艺梳齿电容式加速度计,该设计采用2个检测质量块,分别检测水平方向和垂直方向的加速度。x,y水平方向不对称梳齿的设计,消除了z轴对水平轴向加速度的干扰,同时z轴支撑梁的设计,解决了水平轴向对z轴的干扰。电容的差分结构有利于提高加速度计的检测性能。用Ansys仿真软件对敏感结构进行静态和模态分析,理论上验证了所提出的三轴电容式加速度计整体结构的可行性。 相似文献